資源描述：
《PID 產(chǎn)生的原理介紹及測試方法》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫。
1、Insertpicturehere10x17cmSystemvoltagedurabilitytest系統(tǒng)電壓耐受測試TüVSüDChinaAgenda1什么是PID?2造成PID的原因3實驗研究數(shù)據(jù)4標(biāo)準(zhǔn)解讀Page2TüVSüDChina什么是PID?PID(PotentialInducedDegradation)Test為電位誘發(fā)衰減測試，也稱之為SystemVoltageDurabilityTest。PID最早是Sunpower在2005年發(fā)現(xiàn)的。組件長期在高電壓作用下使得玻璃、封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池片表面，使得電池片表面的鈍化效果惡化，導(dǎo)致FF、Isc、Voc降
2、低，是組件性能低于設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。在2010年，NREL和Solon證實了無論組件采用何種技術(shù)的p型晶硅電池片，組件在負(fù)偏壓下都有PID的風(fēng)險。Page3TüVSüDChina什么是PID?IEC62804Ed.1.0Systemvoltagedurabilitytestforcrystallinesiliconmodules–designStage:PNWqualificationandtypeapprovalDocument:82/685/NP晶體硅組件系統(tǒng)電壓耐受測試-設(shè)計鑒定Date:2011-12與定型Stage:ANW此測試通過模擬條件來驗證光伏組件在光Document:82/725/
3、RVN伏發(fā)電系統(tǒng)實際應(yīng)用過程中的抗PID性能，Date:2012-06成為反映組件品質(zhì)和性能可靠性的重要測試項目之一。Nextstage:1CDDecisionDate:2012-10Page4TüVSüDChina什么是PID?Thesemodulesinaarrayhadbeenusedaboutthreeyears,buttherehaveverybigdegradationonPmax.陣列的這些組件使用大約3年時功率大幅下降。SomeELPicturesofCustomerComplaintsModules(185W/72pcs/125monocells)PmaxPmaxPmaxP
4、maxPmax168.911W156.459W101.269W78.001W43.360WPage5TüVSüDChinaPID的三種衰減模式-11.半導(dǎo)體活性區(qū)受到影響，導(dǎo)致分層現(xiàn)象：活性層內(nèi)離子的遷移，導(dǎo)致電荷聚集或者帶電離子穿過半導(dǎo)體材料表面電荷，影響半導(dǎo)體材料表面的活性區(qū)。嚴(yán)重情況下，離子的聚集，例如鈉離子在玻璃表面的聚集，將導(dǎo)致分層現(xiàn)象。BPSolar,a-Simodules,-600Vbias,12modelsinthefield鈉離子遷移到玻璃/TCO界面，導(dǎo)致TCO分層和電化學(xué)腐蝕Page6TüVSüDChinaPID的三種衰減模式-1N-typeMultic-Si:Sunp
5、owerin2005光伏陣列的正向偏壓會導(dǎo)致帶正電的載流子穿過玻璃，通過接地邊框流向地面，使得在電池片表面剩下帶負(fù)電的載流子，從而導(dǎo)致前表面n+/n層的n+區(qū)域出現(xiàn)衰減現(xiàn)象。少數(shù)n+載流子（空穴）在前表面復(fù)合導(dǎo)致了電池性能的衰減。Page7TüVSüDChinaPID的三種衰減模式-22.半導(dǎo)體結(jié)的性能衰減和分流現(xiàn)象：離子遷移會發(fā)生在活性層內(nèi)，是半導(dǎo)體結(jié)的性能衰減并造成分流。施加正負(fù)偏壓時，薄膜器件在活性區(qū)內(nèi)的離子遷移都很活躍。如果通過電池片的電壓為負(fù)壓，邊框正偏壓，則陽極離子流入電池片，造成p-n結(jié)衰減；如果通過電池片的電壓為正壓，邊框負(fù)偏壓，則陽極離子流出電池片，聚集在p-n結(jié)附近。Pa
6、ge8TüVSüDChinaPID的三種衰減模式-33.電離腐蝕和大量金屬離子的遷移現(xiàn)象：通常封裝過程中的濕氣會造成電解腐蝕和金屬導(dǎo)電離子的遷移。Si柵格界面腐蝕和柵線腐蝕會導(dǎo)致串聯(lián)電阻升高。在焊帶附近發(fā)現(xiàn)腐蝕和離子向邊框處遷移的現(xiàn)象。Page9TüVSüDChinaAgenda1什么是PID?2造成PID的原因3實驗研究數(shù)據(jù)4標(biāo)準(zhǔn)解讀Page10TüVSüDChina造成PID的原因外部可能的原因：光伏組件在野外環(huán)境中的實際情況和大量研究都表明了：在高溫、潮濕和由于光伏逆變器陣列接地方式引起的光伏組件嚴(yán)重的腐蝕和衰退。內(nèi)部可能的原因：系統(tǒng)、組件和電池片3個方面可以引起PID現(xiàn)象Page11
7、TüVSüDChina造成PID的原因-系統(tǒng)方面逆變器接地方式和組件在陣列中的位置決定了電池片和組件是受到正偏壓或者負(fù)偏壓，實際電站運行情況和研究結(jié)果表明：如果陣列中間一塊組件和逆變器負(fù)極輸出端之間的所有組件出于負(fù)偏壓下，則越靠近福輸出端的組件的PID現(xiàn)象越明顯。而在中間一塊組件和逆變器正極輸出端之間的所有組件出于正偏壓下，PID現(xiàn)象不明顯。PV逆變器、陣列的負(fù)極輸出端接地會有效的預(yù)防PID現(xiàn)象。Page12
