集成電路工藝原理試卷A

集成電路工藝原理試卷A

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1、學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……電子科技大學(xué)2012-2013學(xué)年第二學(xué)期期末考試A卷課程名稱:集成電路工藝考試形式:閉卷考試日期:2013年05月13日考試時長:120分鐘課程成績構(gòu)成:平時30%,期中%,實驗%,期末70%本試卷試題由4部分構(gòu)成,共6頁。題號一二三四合計得分得分一、填空題(共12分,共6題,每題2分)1、集成電路是把電阻、電容、二極管、晶體管等多個元器件制作在上,并具有的電路。2、集成電路的發(fā)展趨勢:芯片性能不

2、斷提高;芯片可靠性;芯片成本。3、在硅的熱氧化中,三種氧化方式的氧化速率不同,其中干氧氧化速率濕氧氧化速率;水汽氧化速率濕氧氧化速率。4、在半導(dǎo)體硅中,摻入化學(xué)元素B雜質(zhì)形成型半導(dǎo)體,摻入化學(xué)元素P形成型半導(dǎo)體。5、LPCVD的意思是,Poly-Si的意思是。6、STI的意思是,F(xiàn)OX的意思是。得分二、簡答題(共56分)1、請描述硅的熱氧化;并回答硅熱氧化的工藝目的。(8分)第6頁共6頁學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……2、請回答離

3、子注入的概念。(8分)3、請回答光刻的概念及光刻膠的用途。(8分)4、請寫出干法刻蝕過程(8個步驟)。(8分)5、請回答PECVD的概念,并寫出PECVDSiO2的化學(xué)反應(yīng)式及沉積溫度(注:使用硅烷SiH4)。(8分)第6頁共6頁學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……6、請回答濺射的概念及濺射的優(yōu)點。(8分)7、請描述“早期基本的3.0μmCMOS集成電路工藝技術(shù)”中NMOS管之間的LOCOS隔離原理。(8分)得分三、計算題(共14分)

4、第6頁共6頁學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……1、已知某臺分步重復(fù)式光刻機(jī)的紫外光源的波長為365nm、其光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑為0.7、工藝因子為0.7,試計算該設(shè)備光刻的最小線寬。(7分)2、在P型〈100〉襯底硅片上,進(jìn)行磷離子注入,形成N-WELL。已知襯底摻雜濃度為2.4×1014cm-3,注入能量:180KEV(RP≈7700?、△RP≈1200?)注入劑量:3.6×1013cm-2,試計算磷離子注入分布的最大摻雜濃度Nma

5、x和注入結(jié)深。(注:[2ln5000]1/2≈4)(7分)得分四、畫圖題(共18分)第6頁共6頁學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……在“早期基本的3.0μmCMOS集成電路工藝技術(shù)”中,有7大工藝步驟:1)雙阱工藝;2)LOCOS隔離工藝;3)多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝;4)源/漏(S/D)注入工藝;5)金屬互連的形成;6)制作壓點及合金;7)參數(shù)測試。請寫出其中的多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝和源/漏(S/D)注入工藝的具體工藝流程,并畫出多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝

6、和源/漏(S/D)注入工藝所對應(yīng)的器件制作剖面圖及其對應(yīng)的版圖(注意:版圖要標(biāo)出亮區(qū)或暗區(qū);剖面圖要標(biāo)出各區(qū)名稱)。(18分)第6頁共6頁學(xué)院姓名學(xué)號任課老師考場教室__________選課號/座位號………密………封………線………以………內(nèi)………答………題………無………效……第6頁共6頁

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