高精度曲率校正帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì).pdf

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1、位＾ＭＡＳＴＥＲＤＩＳＳＥＲＴＡＴＩＯＮｆＩ＾＾＾＾ｇ高精度曲率校正帶隙ｉ；ｌ電壓源的設(shè)．．＇．‘－＇－．＇、．－￣ｙ－－－－．／ｙ＇＾＜、、＊７／／、－－＜人，ｙ／：＾ｗ：」，■？一Ｖ／／／／．＞＾國(guó)內(nèi)圖書分類號(hào)：ＴＮ４３３密級(jí)：公開國(guó)際圖書分類號(hào)：６２１．３８西南交通大學(xué)研究生學(xué)位論文高精度曲率校正帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)年級(jí)二〇一二級(jí)姓名賀梯申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別工學(xué)碩士專業(yè)電路與系統(tǒng)指導(dǎo)教師馮全源教授二〇一五年四月ＣｌａｓｓｉｆｉｅｄＩｎｄｅｘ：ＴＮ４３３

2、Ｕ：６．Ｄ．Ｃ２Ｌ３８ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｇｙＭａｓｔｅｒＤｅｒｅｅＴｈｅｓｉｓｇＴＨＥＤＥＳＧＩＮＯＦＨＩＧＨＰＲＥＣＩＳＩＯＮＣＵＲＶＡＴＵＲＥＣＯＲＲＥＣＴＥＤＢＡＮＤＧＡＰＶＯＬＴＡＧＥＲＥＦＥＲＥＮＣＥＧｒａｄｅ：２０１２Ｃａｎｄｉｄａｔｅ：ＨｅＷｅｉＡｃａｄｅｍｉｃＤｅｒｅｅＡｌｉｅｄｆｏｒ；ＭａｓｔｅｒｇｐｐＳｐｅｃｉａｌｉｔｙ：ＣｉｒｃｕｉｔａｎｄＳｙｓｔｅｍＳｕｅｒｖｉｓｏｒ：Ｐｒｏｆ．ＦｅｎｕａｎｕａｎｐｇＱｙＡｒｉｌ

3、．２０１５ｐ西南交通大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書、本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)西南交通大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以釆用影印、縮印或掃描等復(fù)印手段保存和匯編本學(xué)位論文。本學(xué)位論文屬于１．保密口，在年解密后適用本授權(quán)書；２．不保密ｒｆ，使用本授權(quán)書。“”（請(qǐng)?jiān)谝陨戏娇騼?nèi)打Ｖ）學(xué)位論文作者簽名：指導(dǎo)老師簽名：、．ｆ義ｎ期：７＾／５－５Ｒ期：Ｗ々＊．西南交通大學(xué)碩

4、士學(xué)位論文主要工作（貢獻(xiàn)）聲明本人在學(xué)位論文中所做的主要工作或貢獻(xiàn)如下：一本文對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理進(jìn)行了分析與研究，提出了種帶高階溫度補(bǔ)償?shù)模崳婓{精度帶隙基準(zhǔn)電壓源。本文主要做了如下幾點(diǎn)工作：１、對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的基本結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行了研究；一２、對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的階和高階溫度補(bǔ)償方法進(jìn)行了分析與研究；３、對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源的電源抑制能力和改良方法進(jìn)行了分析與研究；４ＭＯＳ工藝一、基于０．５ｕｍＢｉＣ設(shè)計(jì)了種高電源抑制比、低溫漂的高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源，并使用ＨＳＰＩＣＥ對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本人鄭重聲明：．所呈交的學(xué)位談文，

5、是在導(dǎo)師指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究工作所得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的研究成果。對(duì)本文的研究做出貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中作了明確的說(shuō)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)》學(xué)位論文作者簽名：￣－１円期：／）丨ＳＳ１］西南交通大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文第Ｉ頁(yè)摘要、作為電路系統(tǒng)中的標(biāo)尺，基準(zhǔn)電壓源是電源管理芯片數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器等集成電路（ＩＣ）中不可缺少的子模塊，其精度與相應(yīng)電路的性能息息相關(guān)。近些年來(lái)，電子設(shè)備的升級(jí)換代和新型電子產(chǎn)品投放市場(chǎng)的速度都在迅猛增長(zhǎng)，這要求高性

6、能的集成電路芯片一作為支撐?；鶞?zhǔn)電壓源是集成電路中的個(gè)關(guān)鍵模塊，對(duì)于其的優(yōu)化設(shè)計(jì)顯得尤為重要。鑒于上述情況，本文對(duì)高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究，旨在設(shè)計(jì)具有低溫度系數(shù)和高電源抑制能力的基準(zhǔn)電壓源。本文在對(duì)帶隙基準(zhǔn)電壓源基本結(jié)構(gòu)和工作原理進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上，對(duì)降低帶隙一基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)和提高電源抑制能力的方法進(jìn)行了研究和比較，設(shè)計(jì)了種混合模式輸出級(jí)的高階帶隙基準(zhǔn)電壓源。采用分段線性補(bǔ)償技術(shù)對(duì)基準(zhǔn)電壓的高階溫度分量進(jìn)行了精確修調(diào)，使得基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)大幅降低；釆用偽電源電壓技術(shù)對(duì)供電進(jìn)行預(yù)穩(wěn)壓，提高基準(zhǔn)源的電源抑制比，同時(shí)也

7、可為芯片其它模塊提供穩(wěn)定的供電電壓，提升芯片整體的性能。ＢｉＣＭＯＳ工．５ｕｍ藝ｉｃｅ?；冢埃冢龋螅鸱抡孳浖路治隽嘶鶞?zhǔn)源的各項(xiàng)性能加入°分段線性補(bǔ)償前，基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)為１４．２８ｐｐｍ／Ｃ，補(bǔ)償后溫度系數(shù)降至０．４３°入預(yù)穩(wěn)壓電路前－ｍ／Ｃ，基準(zhǔn)源的電源抑制比為７５，５ｄＢ，電源電壓調(diào)整率為ｐｐ；加－１９８５ＵＶ／Ｖ９９．７ｄＢ，電源電壓調(diào)整９．２ｕＶ／Ｖ。．，預(yù)穩(wěn)壓后，基準(zhǔn)源的電源抑制比為率為優(yōu)化后，設(shè)計(jì)的高階溫度補(bǔ)償電路和預(yù)穩(wěn)壓電路具有較，基準(zhǔn)源的精度有了大幅提升強(qiáng)的靈活性和可移植性。：關(guān)鍵詞帶隙基準(zhǔn)電壓源；混合

8、模式；高階溫度補(bǔ)償；偽電源電壓；西