資源描述:
《微電子制造概論-考試復習提綱.ppt》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、微電子制造概論復習提綱題目類型1:名詞解釋(英文縮寫翻譯,解釋)(每題4分,5題,共20分)2:填空(每空2分,10空,共20分)3:簡答(每題5~10分,5題,共45分)4:分析計算(每題15分,1題,共15分)每章主要知識點1、半導體原理2、半導體器件原理3、半導體設(shè)計基礎(chǔ)4、半導體制造基礎(chǔ)5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù)6、無源元件制造技術(shù)7、PCB設(shè)計和制造技術(shù)8、SMT技術(shù)基礎(chǔ)1、半導體物理基礎(chǔ)1.1半導體的能帶理論(分析導體、絕緣體、半導體的區(qū)別)1.2半導體的載流子(種類、特點)1.3本征半導體和本征激發(fā)1.4雜質(zhì)半導體的種類,p型和n型半導體的類型區(qū)別,主要摻入雜質(zhì)的種
2、類,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子,施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì),補償效應1、半導體物理基礎(chǔ)1.5載流子遷移(漂移)運動和擴散運動1.6載流子濃度,費米能級的意義1.7非平衡載流子:熱平衡和非熱平衡的區(qū)別,非平衡載流子載流子的特點,載流子的復合(種類,壽命,復合中心)2、半導體器件原理2.1pn結(jié):pn結(jié)的形成,內(nèi)電場,空間電荷區(qū),pn結(jié)的電流電壓特性,擊穿的種類和原因;2.2雙極型晶體管(三極管):種類(pnp、npn),結(jié)構(gòu),分析其能夠產(chǎn)生電流放大的條件,分析其開關(guān)特性的條件和原因2.3場效應管晶體管(MOS管):場效應的原理,MOS管的結(jié)構(gòu),增強型和耗盡型、n溝道和p溝道--不同MOS管
3、的工作開啟電壓條件2.4CMOS管的結(jié)構(gòu)3、半導體設(shè)計基礎(chǔ)3.1邏輯電路基礎(chǔ):基本邏輯運算(與,或,非,與非,或非)的運算法則、真值表、邏輯圖(符號)、邏輯表達式、時序圖,簡單邏輯電路3.2CMOS門電路:非電路,與非電路,或非電路,其他的邏輯電路轉(zhuǎn)換為上面的三種電路的組合3、半導體設(shè)計基礎(chǔ)3.3集成電路的設(shè)計流程3.4集成電路的版圖設(shè)計:3.4.1什么是關(guān)鍵尺寸(CD)?3.4.2什么是基于“λ”的設(shè)計準則?3.4.3什么是按比例縮小原則?有什么用?3.4.4什么是摩爾定律?有什么用?3.5集成電路的系統(tǒng)設(shè)計:3.5.1設(shè)計方法有哪些?3.5.2什么是ASIC?PAL?GA
4、L?FPGA?4、半導體制造基礎(chǔ)4.1半導體級別硅的生產(chǎn)工藝4.2單晶硅錠的生長工藝4.2.1CZ拉伸法:原理,拉伸設(shè)備的結(jié)構(gòu)4.2.2懸浮區(qū)熔法:原理,設(shè)備結(jié)構(gòu)4.2.3兩種方法的優(yōu)缺點4.3晶圓(wafer,硅圓片)的制造工藝4.4潔凈室的分類標準4、半導體制造基礎(chǔ)4.5、氧化工藝:氧化工藝的種類(優(yōu)缺點),適用于哪些應用;4.6、化學氣相淀積(CVD):定義、種類4.6.1外延:定義,外延的方法,外延的應用4.6.2氮化硅:作用,主要工藝4.6.3多晶硅:作用,主要工藝4.7、金屬化:4.7.1金屬化的主要作用,材料4.7.2金屬化工藝:蒸發(fā)、濺射:原理,應用4、半導體
5、制造基礎(chǔ)4.8、光刻4.8.1光刻膠的種類,優(yōu)缺點,應用范圍4.8.2光刻工藝的主要步驟:成底模--涂膠--前烘--對準和曝光--后烘--顯影--硬烘--檢查,每步驟的主要目的4.8.3曝光光源種類,涂膠主要工藝,分辨率定義等4.9、蝕刻4.9.1蝕刻的種類4.9.2濕法刻蝕的特點,缺點4.9.3干法刻蝕的特點,優(yōu)點,缺點,種類4、半導體制造基礎(chǔ)4.10、雜質(zhì)注入4.10.1擴散:原理、主要流程4.10.2離子注入:原理,設(shè)備,特點4.11、CMP:化學機械拋光的原理4.12、CMOS集成電路的制作過程5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù)5.1引線鍵合技術(shù):WireBonding(WB)5
6、.1.1、引線鍵合的定義5.1.2、引線鍵合的方式5.1.3、引線鍵合工藝的種類5.1.4、引線的材料5.2載帶自動焊技術(shù):TapeAutomatedBonding(TAB)5.2.1、定義5.2.2、與WB相比的優(yōu)點5.3、倒裝焊技術(shù):FlipChip(FC)5.3.1定義5.3.2特點5、芯片互聯(lián)和封裝技術(shù)5.4、封裝的種類5.4.1塑料封裝和陶瓷封裝的特點5.4.2插裝封裝:SIP,DIP,PGA等5.4.2貼裝封裝:SOP,SOJ,QFP,BGA6、無源元件制造技術(shù)6.1、無源元件的定義、種類6.2、薄膜成膜技術(shù)6.2.1、真空蒸發(fā)技術(shù):原理,應用范圍6.2.2、濺射
7、技術(shù):原理,應用范圍6.2.3、膜厚監(jiān)控技術(shù):種類6.3、厚膜技術(shù):6.3.1、厚膜漿料的成分和其作用6.3.2、厚膜工藝:印制(種類)燒結(jié)6.3.3、厚膜厚度的測試:方阻(定義,測試方法)6.3.4、微調(diào)技術(shù):電阻微調(diào)技術(shù)種類,電容微調(diào)6、無源元件制造技術(shù)6.4、無源元件及其制造6.4.1分類6.4.2薄膜電阻的主要工藝6.4.3電解電容的主要結(jié)構(gòu),鋁電解電容的主要工藝6.4.4集成式無源元件的優(yōu)點6.4.5嵌入式無源元件的優(yōu)點7、PCB設(shè)計和制造技術(shù)7.1、PCB的基本術(shù)語:PCB、基板、單面板,雙