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《稀土摻雜鎢酸鉍發(fā)光材料的制備及性能研究.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、TB；zf韶f稀土摻雜鎢酸鉍發(fā)光材料的制備及性能研究PREPARATIONANDCHARACTERIZATIONOFRAREEARTHDOPEDBISUMTHTUNGSTATELUMINESCENTMATERIAL盟幽級昏密編，————一長春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明；所呈交的碩士學(xué)位論文，《稀土摻雜鎢酸鉍發(fā)光材料的制備及性能研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體．均已在文中以明確方
2、式標明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：亞墨竺!硨土月業(yè)日長春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長春理工大學(xué)保留井向中國科學(xué)信息研究所、中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫和c瓤I系列數(shù)據(jù)庫及其它國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全都或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名：—孟{L里～3型三年—王月—韭日導(dǎo)師簽名：壘絲
3、韭3韭一年上月業(yè)日—————————————————————————————————————————————————————————-—————～摘要本文采用水熱法分剮制各了兩種以Bi2W06為基質(zhì)材料的稀土雙摻上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粉體：Bi2w06：Yb”．H一+發(fā)光耪和Bi2W06：Y礦‘，Tm3+發(fā)光粉。制備過程中添加了聚乙二酵為表面活性劑，并對實驗的反應(yīng)條件、摻雜濃度以及熱處理工藝對發(fā)光納米晶備方面性能的影響做了系統(tǒng)的研究。實驗采用x射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對樣品進行物象分析，并以980am紅外半導(dǎo)體激光器為激發(fā)光源，用分光光度計對樣品的
4、上轉(zhuǎn)換發(fā)光進行表征．具體結(jié)果如下：1．Bi2W06：Y礦，H03．發(fā)光粉的穎粒大小在30am左右，在上轉(zhuǎn)換發(fā)射光譜中存在兩個發(fā)射峰，分別為546nm處的綠光發(fā)射和655nm處的紅光發(fā)射。當(dāng)HoH離子和yb3+離子的摻雜濃度分別為1．5m01％和9m01％時，發(fā)光強度選到最佳。2Bi2W06：Yb”。Tmn發(fā)光粉的顆粒大小在35rim左右．在上轉(zhuǎn)換發(fā)射光譜中存在四個發(fā)射峰．分別是481rim的藍光發(fā)射．653nm和691rim處的紅光發(fā)射，以及7ffOnm處的紅外光發(fā)射。當(dāng)Tm卜離子和Ybp離子的摻雜濃度分別為1．0m01％和8m01％時，發(fā)光
5、強度達到最佳。發(fā)光粉經(jīng)過熱處理后晶粒尺寸超過】00am．且600℃熱處理后發(fā)光效果最優(yōu)。關(guān)鍵詞：上轉(zhuǎn)換稀土摻雜水熱法納米材料Bi2WOtABSTRACTInthispaper,yb3’。Ho’andYbj+·Tm’co．dopadBi2W06synthesizedbyh)drothermalmethodusingPEGasdispersantexpafimentalconditionandtheconcentrationofIVd口eearthionsandluminescencebehaviorwasdiscussedmoqstdphosp
6、horwereTheeffectofchangingtheonthefabricationprocessThesampleswerecharacterizedbyX-raydiffrac【ionandscanningelectronmicroscopyUp-conversionluminescencespectrawith980nmexcitationwavelengthofsemiconductorlaserasexcitationSOUXCewasusedtostudytheluminescencepropertiesTheworkint
7、hepapercouldbedividedintoP,vopartsasfollowings：lY礦+-Hoj4co-dopedBi2W06phosphorisakindoforthothombicstructurenanocryslal州thdiameterof30rimVisibleemissionsat546nmand655nmwereobservedandthemaximumluminescentintensitywasachievedwhentheconcentrationofHo”．Yb’+arrivedat1．5m01％and9
8、moi％，respectively．2ThediameterofYb3+-Tm’co-dopadBi2W06phosphorisabout35rim．a(chǎn)ndCanb
