《有源泄放電路》PPT課件.ppt

《有源泄放電路》PPT課件.ppt

ID:52280666

大小:2.03 MB

頁數(shù):66頁

時間:2020-04-03

《有源泄放電路》PPT課件.ppt_第1頁
《有源泄放電路》PPT課件.ppt_第2頁
《有源泄放電路》PPT課件.ppt_第3頁
《有源泄放電路》PPT課件.ppt_第4頁
《有源泄放電路》PPT課件.ppt_第5頁
資源描述:

《《有源泄放電路》PPT課件.ppt》由會員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、第二章門電路本章的重點:1.半導(dǎo)體二極管和三極管(包括雙極性和MOS型)開關(guān)狀態(tài)下的等效電路和外特性。2.TTL電路的外特性及其應(yīng)用。3.COMS電路的外特性及應(yīng)用。本章的難點:TTL電路的外特性是本章的一個難點,同時也是一個重點。尤其是輸入端采用多發(fā)射級三極管結(jié)構(gòu)時,對輸入特性的全面分析比較復(fù)雜。從實用的角度出發(fā),只要弄清輸入為高/低電平時輸入電流的實際方向和數(shù)值的近似計算就可以了。1VCC0V第二章門電路第一節(jié)概述門電路:實現(xiàn)基本邏輯運(yùn)算和復(fù)合邏輯運(yùn)算的單元電路。門電路的兩種輸入,輸出電平:高電平、低電平。它們分別對

2、應(yīng)邏輯電路的1,0狀態(tài)。負(fù)邏輯:0代表高電平;1代表低電平。VCC0V高電平低電平正邏輯:1代表高電平;0代表低電平。2根據(jù)制造工藝不同可分為單極型和雙極型兩大類。門電路中晶體管均工作在開關(guān)狀態(tài)。首先介紹晶體管和場效應(yīng)管的開關(guān)特性。然后介紹兩類門電路。注意:各種門電路的工作原理,只要求一般掌握;而各種門電路的外部特性和應(yīng)用是要求重點。當(dāng)代門電路(所有數(shù)字電路)均已集成化。3第二節(jié)半導(dǎo)體二極管和三極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)特性1.開關(guān)電路舉例2.靜態(tài)特性伏安特性等效電路在數(shù)字電路中重點在判斷二極管開關(guān)狀態(tài),因此必須把特

3、性曲線簡化。(見右側(cè)電路圖)有三種簡化方法:輸入信號慢變化時的特性。4第一種第三種+-0.5V第二種VON0.7V53.動態(tài)特性當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r,二極管會短時間導(dǎo)通。tre這段時間用tre表示,稱為反向恢復(fù)時間。輸入信號快變化時的特性。DRLi它是由于二極管正向?qū)〞rPN結(jié)兩側(cè)的多數(shù)載流子擴(kuò)散到對方形成電荷存儲引起的。6二、半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性(一)雙極型三極管的開關(guān)特性1.靜態(tài)特性可用輸入輸出特性來描述。基本開關(guān)電路如圖:可用圖解法分析電路:輸入特性輸出特性7條件特點BE結(jié)BC結(jié)截止導(dǎo)通放大飽和

4、(0.7V)ib

5、原理(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)稱為:金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管或絕緣柵場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道(反型層)源極Source漏極Drain柵極Gate稱為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管導(dǎo)電溝道將源區(qū)和漏區(qū)連成一體。此時在D,S間加電壓,將形成漏極電流iD。當(dāng)大于VGS(th)時,將出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。VGS(th)稱為開啟電壓,與管子構(gòu)造有關(guān)。顯然,導(dǎo)電溝道的厚度與柵源電壓大小有關(guān)。而溝道越厚,管子的導(dǎo)通電阻RON越小。因而,若不變,就可控制漏極電流iD。因此,把MOS管稱為

6、電壓控制器件。SDB10123輸出特性2.輸入輸出特性恒流區(qū)恒流區(qū)中iD只受控制,其關(guān)系式為:相應(yīng)曲線稱為轉(zhuǎn)移特性??臻g電荷區(qū)截止區(qū)VDS=0V出現(xiàn)溝道。VDS增加,則溝道“傾斜”(阻值增加)。VGD=VGS(th)時,溝道“夾斷”。VDS再增加時,夾斷點向源區(qū)移動,但iD不變。輸入特性可不討論。可變電阻區(qū)夾斷點VGS(th)=2V設(shè)=5V同理可求出柵源電壓為4V和3V時的夾斷點。它也有三個工作區(qū)固定電阻固定電阻夾斷113.MOS管的基本開關(guān)電路當(dāng)=VDD時,MOS管導(dǎo)通。當(dāng)=0V時,MOS管截止,=VDD;MOS管工作

7、在可變電阻區(qū)。若,則回下頁RONVDD12D靜態(tài)特性—三個工作區(qū)。等效電路如圖,其中CI為柵極輸入電容。約為幾皮法。動態(tài)特性—延遲作用。由于是單極型器件,無電荷存儲效應(yīng)。動態(tài)情況下,主要是輸入電容和負(fù)載電容起作用,使漏極電流和漏源電壓都滯后于輸入電壓的變化。其延遲時間比雙極型三極管還要長??勺冸娮鑵^(qū):截止區(qū):恒流區(qū):4.MOS管的開關(guān)特性及等效電路電路圖135.MOS管的四種類型(1)N溝道增強(qiáng)型(2)P溝道增強(qiáng)型(3)N溝道耗盡型(4)P溝道耗盡型開啟電壓夾斷電壓P溝道增強(qiáng)型:1415第三節(jié)最簡單的與、或、非門電路由于

8、這些電路有嚴(yán)重的缺點,在集成電路中并不使用,但可幫助理解集成門的工作原理。一、二極管與門設(shè):VCC=5V,VIH=3V,VIL=0VVA=VB=0VD1,D2導(dǎo)通,VY=0.7VVA=VB=3VD1,D2導(dǎo)通,VY=3.7V+_+_VA=3V,VB=0VD2導(dǎo)通,D1截止,VY=0.7VVA=0V,VB=3VD1導(dǎo)通

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當(dāng)前文檔最多預(yù)覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數(shù)學(xué)公式或PPT動畫的文件,查看預(yù)覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權(quán)歸屬用戶,天天文庫負(fù)責(zé)整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權(quán)有爭議請及時聯(lián)系客服。
3. 下載前請仔細(xì)閱讀文檔內(nèi)容,確認(rèn)文檔內(nèi)容符合您的需求后進(jìn)行下載,若出現(xiàn)內(nèi)容與標(biāo)題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網(wǎng)絡(luò)波動等原因無法下載或下載錯誤,付費(fèi)完成后未能成功下載的用戶請聯(lián)系客服處理。