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《ZnSnO_3透明導電薄膜溶膠-凝膠法制備及性能.pdf》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第28卷第3期無機化學學報Vo1．28No．32012年3月CHINESEJ0URNALOFIN0RGANICCHEMISTRY437．444ZnSnO3透明導電薄膜：溶膠一凝膠法制備及性能季伶俐1賀蘊秋-l12李樂11同濟大學材料科學與工程學院，上海200092)(同濟大學先進土木工程材料教育部重點實驗室，上海20092)摘要：采用溶膠一凝~(So1．Ge1)~和旋涂法制備了Zn—Sn．O系統(tǒng)薄膜。通過對干凝膠的熱重一差示掃描同步熱分析fTG．DSC1．研究了干凝膠在燒結(jié)過程中的反應歷程。采用X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(xPs1、場發(fā)射掃描電鏡(FE．SEM1以及
2、紫外一可見透過率(uv．Vis)等表征了燒結(jié)后薄膜的晶相、晶格缺陷、微觀形貌以及紫外一可見光透過率。本文還研究了燒結(jié)溫度、N氣氛熱處理以及組成變化對薄膜電阻率的影響，結(jié)果表明：偏錫酸鋅ZnSnO晶體薄膜具有較低的電阻率；當n(n+n：50．3at％時，薄膜的電阻率達極小值，約為8．0xl0zQ·am。偏錫酸鋅ZnSnO晶體的導電機理研究表明：晶格中間隙陽離子含量的增加有利于薄膜電阻率的降低，而氧空位的形成則使其電阻率升高。薄膜的紫外一可見光透過率(uv—Vis)表明：偏錫酸鋅ZnSnO晶體薄膜在400900nm的可見光波段透過率可達8O％以上關(guān)鍵詞：ZnSnO，；薄膜；溶膠一凝
3、膠法；透明性；導電材料中圖分類號：0614．241；0614．43+2文獻標識碼：A文章編號：1001．4861(2012)03．0437．08TransparentandConductivePropertiesofZnSn03CrystalFilmsPreparedbySol-GelMethodJILing—LiHEYun—Qiu，’LILe(SchoolofMaterialScienceandEngineering,TongjiUniversity,Shanghai200092，China)(2KeyLaboratoryofAdvancedCivilEngineeringM
4、aterialsofJ]lnfofEducation,rongiUniversity,Shanghai200092，China)Abstract：TheZn-·Sn—-0systemthinfilmswerefabricatedbysol-·gelprocessandspincoatingtechniqueonsilicaglasses．ThereactionofdrygelduringsinteringwascharacterizedbyThemogravimetry—DifferentialScanningCalorimetrysynchronousthermalanaly
5、sis(TG-DSC)．Andthecrystallinephases，thedefects，themorphologyandthetransmittanceoffilmsaftersinteringinairwerecharacterizedbyXRD，XPS，F(xiàn)E—SEMandUV—Vis．Theresistivityofthefilmsisaffectedbythesintefingtemperatureinair，thetreatmentinN2andthefilmcomposition．TheZnSnO3crystalhasalowresistivityandthem
6、inimumresistivity(about8．0x1012·am)isobtainedwhen(n+sn)isequalto50．3at％．TheelectricpropertytestingresultsalsoshowthatthedefectofinterstitialcationsinZnSnO3latticeisbeneficialforalowerresistivity，meanwhiletheoxygenvacanciesinthelatticeleadstoanoppositeresult．TheUV—Visanalysisindicatesthatthet
7、ransmittanceofZnSnO3crystalfilmsismorethan80％intherangeof400～900nm．Keywords：ZnSn03；thinfilms；Sol-Gelprocess；transparency；conductivematerial近年來．透明導電氧化物(Transparentand眾多TCO薄膜中，研究得最為成熟的當屬In-xSnxO，ConductiveOxides，TCOs)薄膜因其良好的導電性和fITO)薄膜，其最低電阻率可達1OQ·am
