摻鋁氧化鋅的工藝參數(shù)對low—e面電阻的影響

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1、上海建材科技前沿?fù)戒X氧化鋅的工藝參數(shù)新聞對Low—E面電阻的影響信息上海耀華皮爾金頓玻璃股份有限公司陳波摘要：通過改變ZnAlO靶的氧氣量以及濺射功率，測量Low-E膜層面電阻的變化，分析摻鋁氧化鋅薄膜對低輻射鍍膜玻璃面電阻的影響。關(guān)鍵詞：ZnAlO磁控濺射面電阻玻璃離線低輻射鍍膜玻璃是利用磁控濺射的方法，將銀STRATOMETER表面電阻儀。及和介質(zhì)化合物(氧化物或氮化物)濺射沉積到玻璃表面，實驗保持Ag功率不改變的情況下，通過改變深形成一定的膜層結(jié)構(gòu)，其中銀薄膜是功能膜，起反射紅ZnA10靶的各種工藝參數(shù)，用STRATOMETER表面電加外線、使玻璃原片的輻

2、射率從84％降低到4％一12％的作阻儀分析薄膜面電阻的變化。32用；介質(zhì)膜層起調(diào)整整個膜系的可見光透射率和干涉(1)改變通入ZnA10靶的氧氣的量，控制ZnA10靶色、保護(hù)銀膜層不被腐蝕和劃傷的作用lI。的氧分壓以5mV變化，從入=265mV至=285mV低輻射薄膜的面電阻主要取決于Ag層的面電阻。測量薄膜面電阻的變化；磁控濺射Ag膜是以島狀模式形成和成長的。隨著膜厚(2)改變ZnA10靶濺射功率，測量薄膜面電阻的的增加，由獨(dú)立的晶核逐漸過渡到小島階段，經(jīng)過小島變化。長大和島的聯(lián)并直至形成連續(xù)薄膜。當(dāng)Ag層比較薄時，2結(jié)果與討論薄膜是以島狀結(jié)構(gòu)存在的，有比較多的

3、缺陷，不是連續(xù)2．1氧氣分壓量的影響的薄膜，此時它的面塊電阻很大；當(dāng)銀膜的厚度逐漸增(1)保持ZnA10靶濺射功率以及氬氣量不變，減少加時，薄膜變得逐漸連續(xù)，薄膜的凹凸起伏變小，趨向通入的氧氣量，控制ZnA10靶的氧分壓以5mV變平整，薄膜的面塊電阻逐漸下降[21?；瑥?265mV至)L=285mV(越低，氧氣量越多；常用介質(zhì)膜層有SnO、ZnO、TiO、NiCrO、SiN等。越高，氧氣量越低，越接近氧化態(tài)至金屬態(tài)的轉(zhuǎn)變點(diǎn))，其中SnO有良好的抗腐蝕性，但SnO薄膜表面粗糙，測量薄很容易被銀原子滲透。ZnO有光滑的表而，可以加速銀膜的成核，得到很好的導(dǎo)電性，用

4、它作介質(zhì)層，可以得到比只用SnO的低輻射薄膜有更高的可見光透射率和低的輻射率、傳熱系數(shù)，它的缺點(diǎn)在于易被s0腐蝕同。本文研究在制備低輻射鍍膜玻璃時，保持銀層厚度不變的情況下，ZnAIO靶的工藝參數(shù)對薄膜面電阻的影響，使用表面電阻儀表征薄膜面電阻的變化。圖1ZnAlO功率不變，氧分壓對薄膜面電阻的影響1實驗方法圖1說明ZnA10靶在過氧的狀態(tài)以及接近轉(zhuǎn)變點(diǎn)試驗設(shè)備：上海耀皮工程玻璃有限公司TG鍍膜線，時，薄膜的面電阻是較高的。從過氧狀態(tài)開始，隨著通實驗?zāi)咏Y(jié)構(gòu)：SnOJZnO／Ag／NiCrO／SnO。ZnA10靶材采入的氧氣量的減少、氧分壓的增大，薄膜面電阻先用

5、Heraeus生產(chǎn)的摻鋁氧化鋅旋轉(zhuǎn)靶材，濺射氣體采用降后升。在=275mV時，薄膜的面電阻最低。純度為99．99％的Ar、O?；ＡР捎靡こＪ焐a(chǎn)(2)考慮到在改變ZnA10靶通人的氧氣量時，靶材線的6mil白片，薄膜表面電阻的測量使用的濺射背景氣壓也有一定的變化，這會同時造成靶材的濺射效率的改變。為了避免ZnAIO靶濺射效率對薄膜電性能的影響，在減少ZnAIO靶通入的氧氣量，控制ZnAIO靶的氧分壓以5mV變化，從=265mV至=285mV的同時，對ZnA10靶的濺射功率做出一定的調(diào)整，保持SnO2／ZnO的總膜厚保持基本一致，即樣品玻璃的顏色基本不變。圖

6、4保持ZnAIO靶氧分壓=275mV，SnO2功率不變，增加ZnAIO靶濺射功率對面電阻影響圖4說明在ZnAIO靶濺射功率較低和較高時，薄膜面電阻較差。隨著ZnAIO靶濺射功率由低到高，薄膜面電阻先降后升，ZnAIO功率在11kW至23kW之間，圖2底層膜厚不變。氧分壓對薄膜面電阻的影響薄膜面電阻較低。圖2說明ZnAIO靶在過氧的狀態(tài)以及接近轉(zhuǎn)變點(diǎn)試驗表明，ZnAIO靶濺射功率增加，導(dǎo)致等離子體時，薄膜的面電阻是較高的。從過氧狀態(tài)開始，隨著通密度增加，較多的氬離子以較高的能量撞擊靶材使產(chǎn)入的氧氣量的減少、氧分壓入的增大，薄膜面電阻先生的濺射粒子數(shù)增加，從而沉積速

7、率得到提高。撞擊產(chǎn)降后升。在=275mV時，薄膜的面電阻最低。生的濺射粒子以較高的能量沉積到基片上形成ZnO薄試驗表明，在ZnA10靶的濺射過程中加入一定量膜，因此，膜層與基片的粘附力以及膜層的致密性都有的氧氣能夠有利于ZnO薄膜的生成，減少薄膜的缺陷，所提高，另外，晶體結(jié)構(gòu)也得到進(jìn)一步優(yōu)化，因此，隨功有利于改善膜層的電性能。當(dāng)氧氣量過多時，ZnO薄膜率增加，薄膜的導(dǎo)電性得到改善。ZnO薄膜在形成過程晶粒較小，晶面間距大，薄膜表面較為疏松，從而影響中不斷受到濺射粒子的轟擊作用，當(dāng)ZnAIO靶濺射功薄膜電性能；而在氧氣量較多時，薄膜晶化程度較高，薄率太高時，濺射出

8、來的高能粒子易損害生長的