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《工作氣壓對(duì)室溫磁控濺射CIGS膜的影響-論文.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)第33卷第6期610CHINESEJ0URNALOFVACUUMSCIENCEANDTEC刪OLoGY2013年6月工作氣壓對(duì)室溫磁控濺射CIGS膜的影響閏勇李莎莎歐玉峰晏傳鵬劉連張勇趙勇，余洲(1．西南交通大學(xué)超導(dǎo)與新能源研究開(kāi)發(fā)中心磁浮技術(shù)與磁浮列車教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成都610031；2．新南威爾士大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院悉尼2052)GrowthandCharacterizationofCu(In，Ga)Se2FilmsbyRFMagnetronSputteringatRoomTemperatureYanYong，LiShasha，OuY
2、ufeng，YanChuanpeng，LiuUan，ZhangYong，ZhaoYongl,2,YuZhou(1．SuperconductivityandNewEnergyR&DCenter，KeylaboratoryofAdvancedTechnologyofMaterialsofMird．~tryofEducation，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu610031，Ch／na；2．SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofNew勘Wales，Syd,~205
3、2，Austra／／a)AbstractTheCu(In，Ga)Se2(CIGS)thinfilmsweredepositedbyRFmagnetronsputteringofasinglequaternarytargetatroomtemperatureonglasssubstrates，withoutadditionalselenization．Theimpactsofdepositionconditions，in—cludingtheargonpressure，sputteringpower，andsubstratetemperature，ontheq
4、ualityoftheCIGSfilmswereevaluated．Themicmstmcturesoftheas-depositedCIGSfilmswerecharacterizedwithX—raydifraction，scanningelectronmi—croscopy，X-rayfluorescencespectroscopy，andenergydispersivespectroscopy．Theresultsshowthatthepressurestronglyafectsthegrowthandpropertiesofthefilms．For
5、example，thedepositionratedecreasedwithanincreaseofthepressure．At0．2Pa，thecompactanduniformCIGSfilmsweregrown；atapressurehigherthan0．2Pa，non—uniform，roughCu2．Se-phasedgrainsformed，graduallyspreadingoverthefilmsurfaceswithanincreasedpressure．Possiblemechanismsre—sponsiblefortheformat
6、ionofCu2一Sephaseweretentativelydiscussedonthebasisofdynamicstheoryoffilmgrowth．KeywordsMagnetronsputteringCIGSthinfilm，Workpressure，Surfacemorphology摘要研究了工作氣壓對(duì)磁控濺射法制備CIGS薄膜的影響，采用x射線衍射，掃描電鏡，X射線螢光光譜和X射線能最色散譜分析了膜層的組織和成分。研究發(fā)現(xiàn)，工作氣壓升高，薄膜沉積速率降低。當(dāng)工作氣壓低于O．2Pa時(shí)，薄膜致密均一；高于0．2Pa表面出現(xiàn)Cu2一Se相，并隨氣壓
7、升高在膜表面的覆蓋面積增大。對(duì)氣壓影響薄膜表面形貌的機(jī)理采用成膜動(dòng)力學(xué)理論進(jìn)行了討論。關(guān)鍵詞磁控濺射CIGS薄膜工作氣壓表面形貌中圖分類號(hào)：0484文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：Adoi：10．3969／j．ism．1672—7126．2013．06．19銅銦鎵硒(CIGS)是一種P型直接帶隙半導(dǎo)體材面積均勻性好等特點(diǎn)，可制備高質(zhì)量的薄膜_6j。國(guó)料，具有高達(dá)6×105cmI1的光吸收系數(shù)，僅需微米際上已開(kāi)展采用合金靶一步磁控濺射法制備CIGS級(jí)的厚度便可吸收99％的太陽(yáng)光，是第三代太陽(yáng)能薄膜的研究，但制備工藝對(duì)CIGS薄膜的影響尚不明電池的主要材料?。CIGS的制備方法有很
8、多，如濺確，需要進(jìn)一步深入研究。射后硒化法，共蒸發(fā)法
