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《毫米波有源相控陣射頻前端集成制造技術(shù)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、第26卷第6期機(jī)電產(chǎn)品開崖與釧新Vo1．26，No．62013年11月Development＆InnovationofMachinery＆ElectricalProductsNov．，2013文章編號(hào)：1002—6673(2013)06—01I-04毫米波有源相控陣射頻前端集成制造技術(shù)謝義水(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十研究所，四川成都610036)摘要：毫米波有源相控陣射頻前端工藝集成度高，立體組裝、先進(jìn)封裝材料、TR．組件熱路設(shè)計(jì)和芯片技術(shù)是實(shí)現(xiàn)有源相控陣射頻前端集成制造的關(guān)鍵技術(shù)。綜合國(guó)內(nèi)外研究發(fā)展現(xiàn)狀，系統(tǒng)封裝、綜合集成以及多功能芯片技術(shù)是有源相
2、控陣射頻前端集成制造技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞：毫米波有源相控陣；射頻前端；集成制造中圖分類號(hào)：TN95文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：Adoi：lO．3969／j．issn．1002-6673．2013．06．004IntegratedManufacturingTechnologyforRFFront-endofMillimeter-waveActivePhasedArrayXIEYi-Su(ThelOthInst．ofChineseF．,lectromcTechnologyCorporation，ChengduSichuan610036，China)Abstract
3、：ThemanufacturingtechnologyforR．Ffront—endofMillimeter—waveActivePhasedArrayishi曲Jyintegrated．Combinedwiththedevelopmentintheworld，thetechnologyofThree—dimensionalassembly，advancedpackagingmaterials，thermalcircuitdesignforTRmodule，andmulti—functionchiptechnologyarekeytechnologi
4、es．Asasunurm3,，systeminpackage，comprehensiveintegrationandmulti—functionchiptechnologyalethefuturedevdopmentmendofintegratedmanufacturingtechnology．Keywords：millimeteractivephmeda~ay；RFfront——end；integrationtechnology射波長(zhǎng)，結(jié)果顯示其4位PIN二極管移相器插損4．5dB，0引言陣元發(fā)射功率lOOmW。饋電網(wǎng)絡(luò)的插損5dB[1J。德國(guó)有源
5、相控陣射頻前端是毫米波雷達(dá)、導(dǎo)引頭等裝備IMST公司開發(fā)的基于LTCC的Ka頻段8x8瓦片式智能的關(guān)鍵部件，包括相控陣天線陣面、TR組件、控制電天線終端，共17層，其中11層集成了混頻器、濾波器路以及散熱系統(tǒng)等。在有源相控陣射頻前端設(shè)計(jì)制造過(guò)以及功放等，其余6層主要為液體冷卻系統(tǒng)，封裝結(jié)構(gòu)程中面臨著諸多實(shí)際問(wèn)題。例如，如何實(shí)現(xiàn)在設(shè)備功率合理，集成制造方式有效四。法國(guó)Thales公司開發(fā)的8×成倍增長(zhǎng)的同時(shí)減小設(shè)備的體積：如何解決電子器件高8數(shù)字接收瓦片模塊，包括電源、控制以及光學(xué)接口等密度集成設(shè)計(jì)以及產(chǎn)生的熱量通過(guò)何種方式散失等。有組件，整個(gè)厚度10
6、0ram．重量尚不足8kg，達(dá)到了小型源相控陣射頻前端的功能實(shí)現(xiàn)不僅取決于射頻前端的設(shè)化集成制造技術(shù)上的領(lǐng)先水平翻。計(jì)要素，而且在更大的程度上取決于這些設(shè)計(jì)要素的工在多功能芯片集成制造技術(shù)進(jìn)展方面，歐洲于2005藝集成方式。有源相控陣射頻前端制造工藝復(fù)雜，具有年曾提出將多個(gè)MMICs和數(shù)字控制電路集成于一體，極強(qiáng)的集成制造特點(diǎn)．更高效的集成制造技術(shù)開發(fā)和新并研制通用性良好的“內(nèi)核模塊”，集中完成傳統(tǒng)TR組型材料的合理應(yīng)用是實(shí)現(xiàn)一體化有源相控陣射頻前端的件的收發(fā)開關(guān)、幅相控制等功能H。另外，荷蘭TNO物關(guān)鍵。理與電子實(shí)驗(yàn)室此前開發(fā)出了一款X波段TR芯片
7、，集成了衰減器、移相器、射頻開關(guān)、功放等功能，采用的1國(guó)外發(fā)展現(xiàn)狀是O．21~mpHEMT工藝。達(dá)到了較高的集成水平閣；諾格與雷聲公司先后開發(fā)出了各自的Ka波段多功能芯片，集美國(guó)、德國(guó)、法國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家在有源相控陣射頻前成度較高，經(jīng)濟(jì)性較好[61。端集成制造技術(shù)上居于領(lǐng)先地位。美國(guó)德州儀器公司曾開發(fā)出了Ka頻段4x4發(fā)射子陣，陣元間距為0．8倍發(fā)2006年，Raytheon公司研制成功一款擁有600個(gè)發(fā)射單元、35GHz、低成本的二維有源相控陣導(dǎo)引頭樣機(jī)，修稿日期：2013—10—03它采用單片集成TR組件，單個(gè)有源發(fā)射單元的成本只作者簡(jiǎn)介：謝義水(1
8、969一)，男，研究員級(jí)高級(jí)工程師。主要從需要30美元【7】。事電子裝備工藝技術(shù)研究和工藝總體工作。綜合國(guó)外
