大疆創(chuàng)新硬件筆試題.doc

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1、產(chǎn)生EMC問題主要通過兩個途徑:一個是空間電磁波干擾的形式;另一個是通過傳導(dǎo)的形式，換句話說，產(chǎn)生EMC問題的三個要素是：電磁干擾源、耦合途徑、敏感設(shè)備。?????????????????????傳導(dǎo)、輻射7nO1pRh$z騷擾源-----------------------------（途徑）------------------------------敏感受體MOS的并聯(lián)使用原則：1.并聯(lián)的MOS必須為同等規(guī)格，最好是同一批次的。2.并聯(lián)的MOS的驅(qū)動電路的驅(qū)動電阻和放電電路必須是獨立分開

2、的，不可共用驅(qū)動電阻和放電電阻。3.PCB走線盡量保證對稱，減小電流分布不均光耦一般會有兩個用途：線性光耦和邏輯光耦，如果理解？工作在開關(guān)狀態(tài)的光耦副邊三極管飽和導(dǎo)通，管壓降<0.4V，Vout約等于Vcc（Vcc-0.4V左右），Vout大小只受Vcc大小影響。此時Ic

3、，一般用于反饋環(huán)路里面(1.6V是粗略估計，實際要按器件資料，后續(xù)1.6V同)。2光耦CTR概要：1)對于工作在線性狀態(tài)的光耦要根據(jù)實際情況分析；2)對于工作在開關(guān)狀態(tài)的光耦要保證光耦導(dǎo)通時CTR有一定余量；3)CTR受多個因素影響。2.1光耦能否可靠導(dǎo)通實際計算舉例分析，例如圖.1中的光耦電路，假設(shè)Ri=1k,Ro=1k,光耦CTR=50%，光耦導(dǎo)通時假設(shè)二極管壓降為1.6V，副邊三極管飽和導(dǎo)通壓降Vce=0.4V。輸入信號Vi是5V的方波，輸出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波嗎

4、？我們來算算：If=(Vi-1.6V)/Ri=3.4mA副邊的電流限制：Ic’≤CTR*If=1.7mA假設(shè)副邊要飽和導(dǎo)通，那么需要Ic’=(3.3V–0.4V)/1k=2.9mA，大于電流通道限制，所以導(dǎo)通時，Ic會被光耦限制到1.7mA，Vout=Ro*1.7mA=1.7V所以副邊得到的是1.7V的方波。為什么得不到3.3V的方波，可以理解為圖.1光耦電路的電流驅(qū)動能力小，只能驅(qū)動1.7mA的電流，所以光耦會增大副邊三極管的導(dǎo)通壓降來限制副邊的電流到1.7mA。解決措施：增大If；增大CTR

5、；減小Ic。對應(yīng)措施為：減小Ri阻值；更換大CTR光耦；增大Ro阻值。將上述參數(shù)稍加優(yōu)化，假設(shè)增大Ri到200歐姆，其他一切條件都不變，Vout能得到3.3V的方波嗎？重新計算：If=(Vi–1.6V)/Ri=17mA；副邊電流限制Ic’≤CTR*If=8.5mA，遠(yuǎn)大于副邊飽和導(dǎo)通需要的電流(2.9mA)，所以實際Ic=2.9mA。所以，更改Ri后，Vout輸出3.3V的方波。開關(guān)狀態(tài)的光耦，實際計算時，一般將電路能正常工作需要的最大Ic與原邊能提供的最小If之間Ic/If的比值與光耦的CTR

6、參數(shù)做比較，如果Ic/If≤CTR，說明光耦能可靠導(dǎo)通。一般會預(yù)留一點余量（建議小于CTR的90%）。工作在線性狀態(tài)令當(dāng)別論。2、輸出特性曲線輸出特性曲線是描述三極管在輸入電流iB保持不變的前提下，集電極電流iC和管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系，即?（5-4）三極管的輸出特性曲線如圖5-7所示。由圖5-7可見，當(dāng)IB改變時，iC和uCE的關(guān)系是一組平行的曲線族，并有截止、放大、飽和三個工作區(qū)。??（1）截止區(qū)IB=0持性曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。此時晶體管的集電結(jié)處于反偏，發(fā)射結(jié)電壓uBE＜0，也是

7、處于反偏的狀態(tài)。由于iB＝0，在反向飽和電流可忽略的前提下，iC=βiB也等于0，晶體管無電流的放大作用。處在截止?fàn)顟B(tài)下的三極管，發(fā)射極和集電結(jié)都是反偏，在電路中猶如一個斷開的開關(guān)。實際的情況是：處在截止?fàn)顟B(tài)下的三極管集電極有很小的電流ICE0，該電流稱為三極管的穿透電流，它是在基極開路時測得的集電極-發(fā)射極間的電流，不受iB的控制，但受溫度的影響。（2）飽和區(qū)在圖5-4的三極管放大電路中，集電極接有電阻RC，如果電源電壓VCC一定，當(dāng)集電極電流iC增大時，uCE=VCC-iCRC將下降，對于硅

8、管，當(dāng)uCE?降低到小于0.7V時，集電結(jié)也進(jìn)入正向偏置的狀態(tài)，集電極吸引電子的能力將下降，此時iB再增大，iC幾乎就不再增大了，三極管失去了電流放大作用，處于這種狀態(tài)下工作的三極管稱為飽和。規(guī)定UCE＝UBE時的狀態(tài)為臨界飽和態(tài)，圖5-7中的虛線為臨界飽和線，在臨界飽和態(tài)下工作的三極管集電極電流和基極電流的關(guān)系為：????（5-1-4）式中的ICS，IBS，UCES分別為三極管處在臨界飽和態(tài)下的集電極電流、基極電流和管子兩端的電壓（飽和管壓降）。當(dāng)管子兩端的電壓UCE＜UCES時，三極管將進(jìn)入