Dry Etch工藝及設備介紹.ppt

Dry Etch工藝及設備介紹.ppt

ID:57041308

大?。?.34 MB

頁數:23頁

時間:2020-07-27

Dry Etch工藝及設備介紹.ppt_第1頁
Dry Etch工藝及設備介紹.ppt_第2頁
Dry Etch工藝及設備介紹.ppt_第3頁
Dry Etch工藝及設備介紹.ppt_第4頁
Dry Etch工藝及設備介紹.ppt_第5頁
資源描述:

《Dry Etch工藝及設備介紹.ppt》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關內容在教育資源-天天文庫。

1、Array2016年8月1日ArrayDryEtch工藝與設備介紹課程內容介紹2、DryEtch設備介紹1、DryEtch工藝介紹0.DryEtch目的是什么?干法刻蝕:利用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。薄膜:化學氣象沉積生成的含硅的產物---PECVD工藝。磁控濺射沉積的金屬類產物---Sputter工藝。利用物理涂覆及曝光工藝形成的各種圖案的PR---Photo工藝。GlassSiorMetalPR等離子體1.0DryEtch原理利用RFPower和真空氣體生成的低溫Plasma產生離子(Ion)和自由基(Radical),該Ion和Radical與沉積在基板上的物

2、質反應生成揮發(fā)性物質,從而轉移PRMask規(guī)定的圖案到基板上,這就是干法刻蝕的原理1.1DryEtch工藝概要干法刻蝕均一性UniformityH/V比刻蝕率EtchRateCDBiasAshingBiasProfile選擇比Selectivity1.1DryEtch工藝概要刻蝕率(EtchRate)即刻蝕速度,指單位時間內刻蝕膜層的速度。單位:?/Min。(1nm=10?)均一性(UniformityRate)體現刻蝕過程中刻蝕量或者刻蝕完成后的剩余量的差異性。Uniformity=(Max-Min)(Max+Min)or2×Average×100%1.1DryEt

3、ch工藝概要Profile一般指刻蝕后的斷面,要求比較平緩的角度,且無Undercut。要求:40~70°選擇比指不同的膜層在同一條件下刻蝕速度的比值。若A膜質的刻蝕速度為Ea,B膜質在同一條件下的的刻蝕速度為Eb。那么A膜質相對B膜質的選擇比就是:Sa/b=Ea÷Eb45°45°Undercut1.1DryEtch工藝概要H/V(Horizontal/Vertical)一般指針對PR膠刻蝕過程中,水平方向的刻蝕量與垂直方向的刻蝕量的比值。CDBias(PRAshingBias)CDBias指Photo工藝后的線寬DICD與最終形成的Pattern線寬FICD的差值。

4、干刻相關的主要是指PR在Ashing過程中水平方向的刻蝕量。CDBias=∣DICD-FICD∣1.2DryEtch工藝介紹GTAshing針對Pixel區(qū)域PR膠進行反應,生產揮發(fā)性氣體的過程。Ashing反應氣體(SF6/NF3+O2):CxHy(PR膠)+O2----->COx↑+H2O↑GlassITOGatePRGatePRGlassITOGatePRGateSF6/NF31.2DryEtch工藝介紹Ash/ActorAct/AshActiveEtch:針對Pixel區(qū)域a-Si進行反應,生產揮發(fā)性氣體的過程。Ashing:針對TFTChannel區(qū)域PR膠

5、進行反應,生成揮發(fā)性氣體的過程。ActiveEtch反應氣體(Cl2&SF6/NF3):Si+Cl*+F*→SiCl4↑+SiF4↑Ashing反應氣體(SF6/NF3):CxHy(PR膠)+O2----->COx↑+H2O↑PRPRGIActiveSDPRPRGIActiveSDSF6/NF31.2DryEtch工藝介紹N+Etch&DryStripN+Etch:針對TFTChannel區(qū)域a-Si進行反應,生產揮發(fā)性氣體的過程。DryStrip:針對N+Etch后Glass表面PR膠進行反應,生成揮發(fā)性氣體的過程。N+Etch反應氣體(Cl2&SF6/NF3):S

6、i+Cl*+F*→SiCl4↑+SiF4↑DryStrip反應氣體(SF6/NF3):CxHy(PR膠)+O2----->COx↑+H2O↑GIActiveSDPRPRGIActiveSDSF6/NF31.2DryEtch工藝介紹ViaEtchViaEtch:針對ContactHole區(qū)域SiNx進行反應,生產揮發(fā)性氣體的過程。因為刻蝕的不同區(qū)域的膜厚度及成分不一樣,所以選擇比在ViaEtch中也是一個重要的因素。ViaEtch反應氣體(SF6/NF3):Si+F*→SiF4↑PRPVXGIGateSDActivePRPVXGIGateSDActiveProcessL

7、oadLockProcessProcessTransferCassetteCassetteUSC2.0DryEtch設備介紹2.1DryEtcher設備構成設備構成Vacuum&ExhaustSystemTransferSystemRFSystemTemperatureControlSystemGasSupplySystem2.2DryEtcher設備構成VMBPlasmaPSCM1CM2B-AAPCTMPExhaustMatchingBoxChillerEPD13.56MHz3.2MHzMFCFilterDryPumpISOValveCutOffV

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文

此文檔下載收益歸作者所有

當前文檔最多預覽五頁,下載文檔查看全文
溫馨提示:
1. 部分包含數學公式或PPT動畫的文件,查看預覽時可能會顯示錯亂或異常,文件下載后無此問題,請放心下載。
2. 本文檔由用戶上傳,版權歸屬用戶,天天文庫負責整理代發(fā)布。如果您對本文檔版權有爭議請及時聯系客服。
3. 下載前請仔細閱讀文檔內容,確認文檔內容符合您的需求后進行下載,若出現內容與標題不符可向本站投訴處理。
4. 下載文檔時可能由于網絡波動等原因無法下載或下載錯誤,付費完成后未能成功下載的用戶請聯系客服處理。