高電壓技術(shù)試題2011

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1、高電壓技術(shù)一、填空?（10分）1、在極不均勻電場中，間隙完全被擊穿之前，電極附近會(huì)發(fā)生電暈，產(chǎn)生暗藍(lán)色的暈光。2、沖擊電壓分為雷電沖擊電壓和操作沖擊電壓??????。3、固體電介質(zhì)的擊穿有電擊穿、熱擊穿?和?電化學(xué)擊穿等形式。4、某110KV電氣設(shè)備從平原地區(qū)移至高原地區(qū)，其工頻耐壓水平將下降????。5、在線路防雷設(shè)計(jì)時(shí)，110KV輸電線路的保護(hù)角一般取20o???????。6、??累暴日?是指一年中有雷暴的天數(shù)。7、電壓直角波經(jīng)過串聯(lián)電容后，波形將發(fā)生變化，變成?指數(shù)波。二、選擇??（10分）1．解釋電壓較高、距離較長的間隙中的

2、氣體放電過程可用（　B?。．湯遜理論B．流注理論C．巴申定律D．小橋理論2．若固體電介質(zhì)被擊穿的時(shí)間很短、又無明顯的溫升，可判斷是（　C?。?。A．電化學(xué)擊穿B．熱擊穿C．電擊穿D．各類擊穿都有3．下列試驗(yàn)中，屬于破壞性試驗(yàn)的是（　B?。?。A．絕緣電阻試驗(yàn)B．沖擊耐壓試驗(yàn)C．直流耐壓試驗(yàn)D．局部放電試驗(yàn)4．輸電線路的波阻抗的大小與線路的長度（　　C?。?。A．成正比B．成反比C．無關(guān)D．不確定5．下列不屬于輸電線路防雷措施的是（　C?。．架設(shè)避雷線B．架設(shè)耦合地線?C．加設(shè)浪涌吸收器D．裝設(shè)自動(dòng)重合閘?三、名詞解釋??（15分）

3、1、自持放電和非自持放電答：必須借助外力因素才能維持的放電稱為非自持放電????不需其他任何加外電離因素而僅由電場的作用就能自行維持的放電稱為自持放電。2、介質(zhì)損失角正切?答：電流與電壓的夾角?是功率因數(shù)角，令功率因數(shù)角的余角為δ?，?顯然是中的有功分量，其越大，說明介質(zhì)損耗越大，因此δ角的大小可以反映介質(zhì)損耗的大小。于是把δ角定義為介質(zhì)損耗角。3、吸收比和極化指數(shù)答：加壓60秒的絕緣電阻與加壓15秒的絕緣電阻的比值為吸收比。加壓10分鐘的絕緣電阻與加壓1分鐘的絕緣電阻的比值為極化指數(shù)。?4、反擊和繞擊答：雷擊線路桿塔頂部時(shí)，由于塔

4、頂電位與導(dǎo)線電位相差很大，可能引起絕緣子串的閃絡(luò)，即發(fā)生反擊。????雷電繞過避雷線擊于導(dǎo)線，直接在導(dǎo)線上引起過電壓，稱為繞擊。5、保護(hù)角答：保護(hù)角是指避雷線與所保護(hù)的外側(cè)導(dǎo)線之間的連線與經(jīng)過避雷線的鉛垂線之間的夾角。?四、簡答：（45分）1、簡述湯遜理論和流注理論的異同點(diǎn)，并說明各自的適用范圍。答：湯遜理論和流注理論都是解釋均勻電場的氣體放電理論。????前者適用于均勻電場、低氣壓、短間隙的條件下；后者適用于均勻電場、高氣壓、長間隙的條件下。????不同點(diǎn)：（1）放電外形??流注放電是具有通道形式的。根據(jù)湯遜理論，氣體放電應(yīng)在整個(gè)

5、間隙中均勻連續(xù)地發(fā)展。（2）放電時(shí)間??根據(jù)流注理論，二次電子崩的起始電子由光電離形成，而光子的速度遠(yuǎn)比電子的大，二次電子崩又是在加強(qiáng)了的電場中，所以流注發(fā)展更迅速，擊穿時(shí)間比由湯遜理論推算的小得多。（3）陰極材料的影響??根據(jù)流注理論，大氣條件下氣體放電的發(fā)展不是依靠正離子使陰極表面電離形成的二次電子維持的，而是靠空間光電離產(chǎn)生電子維持的，故陰極材料對(duì)氣體擊穿電壓沒有影響。根據(jù)湯遜理論，陰極材料的性質(zhì)在擊穿過程中應(yīng)起一定作用。實(shí)驗(yàn)表明，低氣壓下陰極材料對(duì)擊穿電壓有一定影響。?2、試解釋沿面閃絡(luò)電壓明顯低于純空氣間隙的擊穿電壓的原因

6、。答：當(dāng)兩電極間的電壓逐漸升高時(shí)，放電總是發(fā)生在沿固體介質(zhì)的表面上，此時(shí)的沿面閃絡(luò)電壓已比純空氣間隙的擊穿電壓低很多，其原因是原先的均勻電場發(fā)生了畸變。產(chǎn)生這種情況的原因有：（1）固體介質(zhì)表面不是絕對(duì)光滑，存在一定的粗糙程度，這使得表面電場分布發(fā)生畸變。（2）固體介質(zhì)表面電阻不可能完全均勻，各處表面電阻不相同。（3）固體介質(zhì)與空氣有接觸的情況。（4）固體介質(zhì)與電極有接觸的狀況。?3、固體電介質(zhì)的電擊穿和熱擊穿有什么區(qū)別？答：固體電介質(zhì)的電擊穿過程與氣體放電中的湯遜理論及液體的電擊穿理論相似，是以考慮在固體電介質(zhì)中發(fā)生碰撞電離為基礎(chǔ)的

7、，不考慮由邊緣效應(yīng)、介質(zhì)劣化等原因引起的擊穿。電擊穿的特點(diǎn)是：電壓作用時(shí)間短，擊穿電壓高，擊穿電壓與環(huán)境溫度無關(guān)，與電場均勻程度有密切關(guān)系，與電壓作用時(shí)間關(guān)系很小。電介質(zhì)的熱擊穿是由介質(zhì)內(nèi)部的熱不平衡過程所造成的。熱擊穿的特點(diǎn)是：擊穿電壓隨環(huán)境溫度的升高按指數(shù)規(guī)律降低；擊穿電壓與散熱條件有關(guān)，如介質(zhì)厚度大，則散熱困難，因此擊穿電壓并不隨介質(zhì)厚度成正比增加；當(dāng)電壓頻率增大時(shí)，擊穿電壓將下降；擊穿電壓與電壓作用時(shí)間有關(guān)。?4、在測試電氣設(shè)備的介質(zhì)損失角正切值時(shí)什么時(shí)候用正接線，什么時(shí)候用反接線；正接線和反接線各有什么特點(diǎn)？答：使用西林電

8、橋的正接線時(shí)，高壓西林電橋的高壓橋臂的阻抗比對(duì)應(yīng)的低壓臂阻抗大得多，所以電橋上施加的電壓絕大部分都降落在高壓橋臂上，只要把試品和標(biāo)準(zhǔn)電容器放在高壓保護(hù)區(qū)，用屏蔽線從其低壓端連接到低壓橋臂上，則在低壓橋臂上調(diào)節(jié)R3和C4就很安全，而且測