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《TDD及WLAN系統(tǒng)雙極化天線設(shè)備規(guī)范V500三四頻2015.doc》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、1.1.1三頻電調(diào)天線電氣性能指標(biāo)三頻電調(diào)天線支持頻段分別為DCS1800（1710MHz～1850MHz）、FA（1885MHz～1920MHz、2010MHz～2025MHz）和D（2575MHz～2635MHz），共6個(gè)端口，每頻段2個(gè)端口。相關(guān)電氣指標(biāo)要求示于表11-17：表11-17三頻電調(diào)天線電氣指標(biāo)要求參數(shù)（單位）指標(biāo)指標(biāo)指標(biāo)指標(biāo)通用參數(shù)工作頻段（MHz）1710～1850（DCS1800）1885～1920(F)2010～2025(A)2575～2635(D)極化方式±45°±45°±45°±45
2、°垂直面電調(diào)角范圍（o）2～122～122～122～12電下傾角精度（o）±1±1±1±1電路參數(shù)平均功率容限（W）≥120≥50≥50≥80三階互調(diào)(dBm)≤-107≤-90二階互調(diào)(dBm)/≤-90各輻射端口電壓駐波比≤1.5隔離度（dB）2～7度下傾≥25dB8～12度下傾≥28dB輻射參數(shù)水平面半功率波束寬度(o)65±565±565±565±5垂直面半功率波束寬度a（°）≥7≥7≥6.5≥5.5增益(dBi)≥16.5≥17≥17≥17.5交叉極化比（dB，軸向）≥18≥18≥18≥18交叉極化比（
3、dB，±60°）≥10≥10≥10≥10前后比(dB)≥25≥25≥25≥25上旁瓣抑制(dB)≤-16≤-16≤-16≤-16波束±60°邊緣功率下降（dB）（參考）/12±212±212±2下零點(diǎn)填充(dB)（參考）≥-22≥-22≥-22≥-22注：1.增益隨電調(diào)角變大，允許下降（0.07×Φ＋0.3)dB，其中Φ為電下傾角2.表中的±60°交叉極化比指中心角度的交叉極化比最小角度中心角度最大角度≥9dB≥10dB≥9dB3.表中上旁瓣抑制指中心角度的上旁瓣抑制最小角度中心角度最大角度≤-15dB≤-16d
4、B≤-15dB注釋：DCS1800/FA/D的峰值功率應(yīng)該達(dá)到500W，500W和800W。對(duì)DCS1800的平均功率容限測(cè)試可采用4個(gè)edge信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，每個(gè)通道輸入總功率為50W的功率；對(duì)F和D頻段輸入LTE信號(hào)，每個(gè)通道輸入總功率為50W的功率；對(duì)A頻段輸入TD-SCDMA信號(hào)，每個(gè)通道輸入總功率為50W的功率。1.1.1四頻電調(diào)天線電氣性能指標(biāo)四頻電調(diào)天線支持頻段分別為GSM900（885MHz～960MHz）、DCS1800（1710MHz～1850MHz）、FA（1885MHz～1920MHz、20
5、10MHz～2025MHz）和D（2575MHz～2635MHz），共8個(gè)端口，每頻段2個(gè)端口。相關(guān)電氣指標(biāo)要求示于表11-18：表11-18四頻電調(diào)天線電氣指標(biāo)要求參數(shù)（單位）指標(biāo)指標(biāo)指標(biāo)指標(biāo)指標(biāo)通用參數(shù)工作頻段（MHz）885～960(GSM900)1710～1850(DCS1800)1885～1920(F)2010～2025(A)2575～2635(D)極化方式±45°±45°±45°±45°±45°垂直面電調(diào)角范圍（o）2～122～122～122～122～12電下傾角精度（o）±1±1±1±1±1電路參數(shù)
6、平均功率容限（W）≥120≥120≥50≥50≥60三階互調(diào)(dBm)≤-107≤-107≤-90≤-90≤-90二階互調(diào)（dBm）≤-107*/≤-90≤-90≤-90各輻射端口電壓駐波比≤1.5隔離度（dB）2～7度下傾≥25dB8～12度下傾≥28dB輻射參數(shù)水平面半功率波束寬度(o)65±565±565±565±565±5垂直面半功率波束寬度a（°）≥12≥7≥7≥7≥6.5≥5.5增益(dBi)≥15≥16.5≥16.5≥17≥17≥17.5交叉極化比（dB，軸向）≥17≥17≥17≥17≥17交叉極化
7、比（dB，±60°范圍內(nèi)）≥8≥8≥8≥8≥8前后比(dB)≥25≥25≥25≥25≥25上旁瓣抑制(dB)≤-16≤-16≤-16≤-16≤-16下零點(diǎn)填充(dB)（參考）≥-22≥-22≥-22≥-22≥-22波束±60°邊緣功率下降（dB）（參考）//12±212±212±2注：1.增益隨電調(diào)角變大，允許下降（0.07×Φ＋0.3)dB，其中Φ為電下傾角2.表中上旁瓣抑制指中心角度的上旁瓣抑制最小角度中心角度最大角度≤-15dB≤-16dB≤-15dB3.此處GSM900的二階互調(diào)是直接測(cè)試GSM900在其
8、他頻段（只要包含F(xiàn)頻段）的端口的二階傳輸互調(diào)注釋：GSM900/DCS1800/FA/D的峰值功率應(yīng)該達(dá)到1200W，500W，500W和800W。對(duì)GSM900和DCS1800的平均功率容限測(cè)試可采用4個(gè)edge信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，每個(gè)通道分別輸入總功率為120W和50W的功率；對(duì)F和D頻段輸入LTE信號(hào)，每個(gè)通道輸入總功率為50W的功率；對(duì)A頻段輸入TD-SCDMA信號(hào)，每
