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《§3.1 led封裝流程簡(jiǎn)介2》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、§3.1LED封裝流程簡(jiǎn)介2本文由suyd618貢獻(xiàn)ppt文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機(jī)查看。第3章LED的封裝制程章的封裝制程蘇永道教授濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院1第3章LED的封裝制程章的封裝制程§3.1.3手動(dòng)固晶站流程一、翻晶翻晶的作用:把晶粒極性翻過來,翻晶的作用:把晶粒極性翻過來,以便擴(kuò)晶后的固晶和焊線,確保極性正確。焊線,確保極性正確。壓晶輪負(fù)離子風(fēng)扇預(yù)熱盤翻晶圖示2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院2第3章LED的封裝制程章的封裝制程1.翻晶作業(yè)標(biāo)
2、準(zhǔn)電源,(1)翻晶機(jī)插上)翻晶機(jī)插上220V電源,桌上備負(fù)離子風(fēng)扇并打開;電源桌上備負(fù)離子風(fēng)扇并打開;(2)將原張芯片對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇撕開后,再把保護(hù)膜貼于芯)將原張芯片對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇撕開后,片膜的芯片四周,取一白膜貼于芯片膜與保護(hù)膜上,片膜的芯片四周,取一白膜貼于芯片膜與保護(hù)膜上,然后白膜朝下并放于預(yù)熱盤正中,按下預(yù)熱器的開關(guān),使氣缸動(dòng)作;朝下并放于預(yù)熱盤正中,按下預(yù)熱器的開關(guān),使氣缸動(dòng)作;(3)溫控器溫度設(shè)定為40~60℃,如下頁(yè)畫面圖示;)溫控器溫度設(shè)定為℃如下頁(yè)畫面圖示;(4)氣缸提起后用壓晶輪來回滾壓芯片,使之受
3、溫貼緊;)氣缸提起后用壓晶輪來回滾壓芯片,使之受溫貼緊;(5)用手壓緊下膜,對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇并迅速拉開上膜,然后)用手壓緊下膜,對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇并迅速拉開上膜,取下保護(hù)膜即可。取下保護(hù)膜即可。2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院3第3章LED的封裝制程章的封裝制程2.翻晶注意事項(xiàng)(1)翻晶機(jī)臺(tái)務(wù)必接地良好;)翻晶機(jī)臺(tái)務(wù)必接地良好;(2)藍(lán)白光等高檔芯片翻晶過程)(特別是撕膜過程中,需嚴(yán)格做好特別是撕膜過程)中特別是撕膜過程防靜電措施,防靜電措施,打開負(fù)離子風(fēng)扇進(jìn)行吹風(fēng);吹風(fēng);(3)勿用手去觸摸電熱盤和翻好)的芯片;的芯片;翻晶溫
4、度設(shè)定圖(4)當(dāng)個(gè)別芯片不能翻下時(shí),需用鑷子夾到已翻好之膠膜)當(dāng)個(gè)別芯片不能翻下時(shí),并排列整齊。上,并排列整齊。2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院4第3章LED的封裝制程章的封裝制程二、擴(kuò)晶擴(kuò)晶的作用:擴(kuò)晶的作用:把在翻晶膜上排列緊密的晶粒拉開一定距便于固晶作業(yè)。離,便于固晶作業(yè)。擴(kuò)晶圖示2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院5第3章LED的封裝制程章的封裝制程1.擴(kuò)晶作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(1)按機(jī)器操作說明,將調(diào)溫器溫度調(diào)至±5℃;)按機(jī)器操作說明,將調(diào)溫器溫度調(diào)至35±℃待機(jī)器升溫至要求溫度時(shí),(2)過10min待機(jī)器升溫至要求溫度時(shí),
5、將子環(huán)套在發(fā)熱盤)待機(jī)器升溫至要求溫度時(shí)上;(3)將翻好的芯片或手動(dòng)芯片對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇將膜撕下,并)將翻好的芯片或手動(dòng)芯片對(duì)準(zhǔn)負(fù)離子風(fēng)扇將膜撕下,放在發(fā)熱盤正中央,芯片朝上;放在發(fā)熱盤正中央,芯片朝上;(4)開啟擴(kuò)晶機(jī),將加熱盤緩慢上升,并用吹風(fēng)機(jī)對(duì)準(zhǔn)芯片)開啟擴(kuò)晶機(jī),將加熱盤緩慢上升,使其間距能均勻吹開;使其間距能均勻吹開;(5)將母環(huán)套于子環(huán)上;)將母環(huán)套于子環(huán)上;(6)用壓晶模將母環(huán)壓到發(fā)熱盤底,將擴(kuò)好的芯片取出,再)用壓晶模將母環(huán)壓到發(fā)熱盤底,將擴(kuò)好的芯片取出,按下降按鈕使發(fā)熱盤回復(fù)原位。按下降按鈕使發(fā)熱盤回復(fù)原
6、位。2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院6第3章LED的封裝制程章的封裝制程(7)用剪刀將露出子母環(huán)外膠紙割掉,再在膜上注明具體芯)用剪刀將露出子母環(huán)外膠紙割掉,片規(guī)格及數(shù)量等。片規(guī)格及數(shù)量等。2.擴(kuò)晶注意事項(xiàng)(1)檢查芯片晶圓(WAFER)直徑,若超過加熱盤規(guī)定范圍)檢查芯片晶圓()直徑,不能擴(kuò)晶作業(yè);不能擴(kuò)晶作業(yè);(2)擴(kuò)芯片前,應(yīng)放在顯微鏡底下檢查芯片是否有異常,如芯)擴(kuò)芯片前,應(yīng)放在顯微鏡底下檢查芯片是否有異常,片反向、電極方向排列錯(cuò)誤、電極損壞等;片反向、電極方向排列錯(cuò)誤、電極損壞等;芯片朝上﹑(3)膠紙切勿放反,
7、以免將芯片壓壞芯片朝上﹑膠紙朝下;)膠紙切勿放反,以免將芯片壓壞(芯片朝上膠紙朝下);(4)擴(kuò)晶作業(yè)員不得留有長(zhǎng)指甲以免人為刺破膠膜;)擴(kuò)晶作業(yè)員不得留有長(zhǎng)指甲以免人為刺破膠膜;(5)套子環(huán)時(shí)須弧形光滑的一邊朝上,以防刮破膠膜;)套子環(huán)時(shí)須弧形光滑的一邊朝上,以防刮破膠膜;(6)注意膠帶置于發(fā)熱盤上時(shí)需超出壓環(huán);)注意膠帶置于發(fā)熱盤上時(shí)需超出壓環(huán);2011-2-14濟(jì)南大學(xué)理學(xué)院7第3章LED的封裝制程章的封裝制程(7)芯片在擴(kuò)張過程發(fā)熱盤上升速度要)適中,以防膠紙破裂;適中,以防膠紙破裂;(8)母環(huán)需均勻平行向下使其壓
8、到發(fā)熱)盤底;盤底;(9)芯片擴(kuò)開取下后,須置于光滑粘性)芯片擴(kuò)開取下后,膠膜上以保護(hù)芯片;膠膜上以保護(hù)芯片;(10)如生產(chǎn)藍(lán)光﹑藍(lán)綠光等高檔芯片,)如生產(chǎn)藍(lán)光﹑藍(lán)綠光等高檔芯片,擴(kuò)晶機(jī)確實(shí)接地,且需吹負(fù)離子風(fēng)扇;擴(kuò)晶機(jī)確實(shí)接地,且需吹負(fù)離子風(fēng)扇;擴(kuò)晶后芯片間距(11)芯片擴(kuò)張間距要適中,不能有過寬或過密現(xiàn)象,兩芯片