高功率led芯片之技術(shù)發(fā)展

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1、高功率LED芯片之技術(shù)發(fā)展高功率LED芯片之技術(shù)發(fā)展.txtcopy（復(fù)制）別人的個(gè)性簽名，不叫抄襲，不叫沒(méi)主見(jiàn)，只不過(guò)是感覺(jué)對(duì)了。遇到過(guò)的事一樣罷了。本文由阿拉丁神燈abc貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。Ｍｍｅｒｉａ｜ｓ—Ｄｅ¨ｃｅ＆目ｕｌｐ…ｔ１璺、型墮塑墮！苧高功率ＬＥＤ芯片之技術(shù)發(fā)展謝明勛晶元光電股份有限公司ＬＥＤ的應(yīng)用展望ＬＥＤ效率的Ｒｏａｄｍａｐ及暖白光的ｌｓｓｕｅ根據(jù)美國(guó)能源部對(duì)于ＬＥＤ未來(lái)發(fā)展的效能來(lái)看，在２０１０年時(shí)，實(shí)驗(yàn)宣的數(shù)據(jù)將逃到每瓦１６

2、０流第一次十八世紀(jì)末的機(jī)械革命，第二次十九世紀(jì)末的電力革命，第三次二十世紀(jì)中的數(shù)字化革命及第網(wǎng)次二十世紀(jì)末的信息革命。尤其近二十年來(lái)，人類的進(jìn)步越來(lái)越快．科技的驅(qū)勢(shì)也偏向輕、薄、小及節(jié)能環(huán)保的驅(qū)勢(shì)來(lái)發(fā)展。小而節(jié)能的晶體管取代了又大又熱又耗能的真空管、輕薄的平面顯示器取代了笨重的ＣＲＴ、容量大且保存時(shí)間長(zhǎng)的記憶卡取代了不易儲(chǔ)存的膠卷．而輕薄短小且節(jié)能的固態(tài)照明也正在慢慢取代傳統(tǒng)的耗能白熾燈及不環(huán)保的熒光燈管。在這十年間，ＬＥＤ的應(yīng)用漸漸地從低階應(yīng)用的明，而ＣＲＩ在７０一８０且色溫在４１０嘰６５００Ｋ的商品化ＬＥＤ冷白光

3、源約為１４７流明左右．至于ｃ剛大于８５及色溫２８００－３５００Ｋ的ＬＥＤ暖白光源每瓦９７流明左右，到了２０１５年時(shí)，實(shí)驗(yàn)章的數(shù)據(jù)將可以達(dá)到每瓦２００流明，而ＬＥＤ冷由光約在１８８ｆｍＭ，ＬＥＤ暖白光則在１３８ｌｍ，Ｗ。一般而言．為了提高ＣＲ吸降低色溫，所常見(jiàn)的方法不外乎采用半高寬較大的黃色熒光粉或是直接混臺(tái)紅黃熒光粉，但由ｒ目前紅色熒光粉的效率，相對(duì)于常見(jiàn)的黃色熒光粉而言較低因此從圖１中，美國(guó)能源部對(duì)ＬＥＤ所設(shè)定的目標(biāo)，可以發(fā)現(xiàn)．由于人眼視效函數(shù)及Ｅ述熒光粉效率的關(guān)系，ＬＥＤ暖白光的效率一直較冷白光約少了３０－４０％

4、：晶元光電本身具有生產(chǎn)高亮度紅光ＬＥＤ的優(yōu)勢(shì)，所咀我們也嘗試在ＬＥＤ白光的應(yīng)用上加＾高亮度紅光ＬＥＤ，如此將能夠同時(shí)增加暖白光的效率也能達(dá)到提高ｃＲｌ的目標(biāo)。指示燈跨入到高階應(yīng)用的手機(jī)及筆記型計(jì)算機(jī)的背光源，甚至于大尺寸的ＬＣＤ電視也逐步地以ＬＥＤ的方案來(lái)取代傳統(tǒng)的ＣｃＦＬ。市場(chǎng)的需求及科技的進(jìn)步將使得ＬＥＤ觸及各個(gè)領(lǐng)域ｆ圖２），所有現(xiàn)行的光源都是未來(lái)ＬＥＤ的市場(chǎng)，當(dāng)中最大的當(dāng)屬于通用照明的應(yīng)用。目前成認(rèn)為，隨著ＬＥＤ的效率增加及成本Ｆ降，ＬＥＤ市場(chǎng)將在五到十年間到成為通用照明市場(chǎng)的主流。通用照明市場(chǎng)的應(yīng)用及要求和Ｌ

5、ＥＯ目前主流的應(yīng)用有許多的不同，如，電源為ＡＣ而非ＤＣ、功率的需求較人、光型均勻度等等，因此，一個(gè)完整解決方案的固態(tài)照明必須要能同時(shí)考慮光、熱及電的特性?！砟俊啊剩辍恝琛蔻琚螅琛悖濉恚颉蓿竣蟆螅砣Γ保蓿欤怼?…～一±＊…㈣¨Ⅱ…±Ｋ㈣ｑ…¨一∞－ｄ一…ｍ＇…＂……?｜∞…’…‰“ＰⅢｄ……自ｏⅧ【………Ｈ１…ｍ一…ｏｄ……一“…－…高功率Ｌ印芯片之技術(shù)回顧如同前面所言，最近幾年由于ＬＥＤ技術(shù)的進(jìn)步使得其應(yīng)用越來(lái)越廣，市場(chǎng)對(duì)于高工ＪＪ率ＬＥＤ的需求”卅Ｉ碣婚ｍａｏ∞ｗⅣｗｃｈｍａ—ｌ“ｎ甙５７從

6、傳統(tǒng)照明到固態(tài)照明在人類的歷史上，總共經(jīng)歷了四次的科技革命。６ｔｈｃｈｍａＩｎｔ…ｔＩｏｎ“ＦｏⅢｍＯｎＳＯｌｉｄＳｔａｔｅＬ｛ｇｈｔｌｎｇ也越來(lái)越多。高功率ＬＥＤ和傳統(tǒng)小尺寸ＬＥＤ的設(shè)計(jì)Ｆ有許多相似２處，例如何均勻地?cái)U(kuò)散電流、如何進(jìn)一步提高光萃取效率，但其最大的不同點(diǎn)在于熱的問(wèn)題，為了使ＬＥＤ能在丈功率操作下依舊保有高的可靠度．如何解決散熱是一項(xiàng)最重要的課題ｆ三ｌ晶元光電的高功率晶粒晶元光電藍(lán)光高功率晶粒分別有（陶５｝以藍(lán)寶石為基板的ｖｅｎｕｓ系列、水平結(jié)構(gòu)加高散熱絕緣基板的ｓＨ系列，以及垂直結(jié)構(gòu)加高散熱導(dǎo)電基板的

7、ｓＮ系列。而為了滿足客戶及市場(chǎng)需求的不同，功率從０２ｗ到３ｗ不等（圖６）。ＬＥＤ模塊的熱阻Ｈ前ＬＥＤ的效率大約在４０％?５０％左右，所浪費(fèi)掉的能源一般是以熱的方式呈現(xiàn)．岡此在現(xiàn)行的ＬＥＤ模塊中．為了耐ｊ｛ｊ度，散熱是必須要考慮的一糾、。如圖３所示．ＬＥＤ所發(fā)出多余的熱將從晶粒一層一層到封裝體選出。在同樣的材料下，熱傳導(dǎo)和…■……一！≈№㈣?。。?！螬＆ｍ女Ⅲ＝■……ｉｌ惻面積為證向關(guān)系，由丁晶粒車身材料及尺寸的關(guān)系，因此，一般而言，在晶粒端的熱阻是最大的；換句話說(shuō)．整個(gè)ＬＥＤ散熱的瓶頸往往是在晶粒本身＝■。｜｜●二茹。

8、囊緊＊？■：：；ｉ：晶粒熱阻的改善改善晶粒熱阻的方法有：減少晶粒的厚度、置換高散熱基板或是改采覆晶式晶粒。其中以置換高散熱基扳或是改采覆晶式晶粒的改善效果較為顯著，如圖四所示．以藍(lán)光ＬＥＤ為例．當(dāng)我們將背面原本的藍(lán)寶石基板置換成硅基板或是銅基板時(shí)．熱阻將大幅從每瓦２６１℃降至每瓦０６５℃。當(dāng)改用覆晶式晶粒時(shí)，熱阻更能夠進(jìn)一步降至每瓦Ｏ１６℃。心