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《太陽電池用多晶硅及其吸雜研究現(xiàn)狀》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、太陽電池用多晶硅及其吸雜研究現(xiàn)狀／吳洪軍等·l35·太陽電池用多晶硅及其吸雜研究現(xiàn)狀吳洪軍，陳秀華，馬文會，梅向陽，蔣詠(1云南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，昆明650091；2昆明理工大學(xué)真空冶金國家工程實(shí)驗(yàn)室，昆明650093)摘要綜述了幾類主要的太陽電池用多晶硅及其吸雜研究現(xiàn)狀。評述了當(dāng)前太陽電池領(lǐng)域涉及到的幾類多晶硅如鑄造多晶硅、冶金法多晶硅、西門子法多晶硅等的優(yōu)缺點(diǎn)。詳細(xì)描述了多晶硅的吸雜類型、吸雜過程、吸雜影響因素等。給出了本課題組關(guān)于冶金法多晶硅吸雜實(shí)驗(yàn)的一些初步研究結(jié)果。展望了多晶硅及其吸雜技術(shù)的發(fā)展。關(guān)鍵詞多晶硅太陽電池吸雜中圖分類號：TN304．1文獻(xiàn)標(biāo)識碼：ARe
2、searchStatusontheMulti-crystallineSiliconforSolarCellsandItsGetteringTechnologyWUHongjun，CHENXiuhua，MAWenhui，MEIXiangyang，JIANGYong(1FacultyofPhysicalScienceandTechnology，YunnanUniversity，Kunming650091；2NationalEngineeringLaboratoryofVacuumMetallurgy，KunmingUniversityofScienceandTechnology，Ku
3、nming650093)AbstractResearchstatusonseveralmaintypesofmulti—crystallinesiliconforsolarcellsandtheirgetteringtechnologyaresummarized．Theadvantagesanddisadvantagesofseveralkindsofmulti-crystallinesilicon(mc-Si)forsolarcellssuchascastingmc—Si，metallurgicalmethodmc-Si，Siemensmethodmc-Siarereviewe
4、d．Thetypesofgette—ring，getteringprocessesandimpactfactorsofgetteringaredescribed．Furthermore，somepreliminaryfindingsofourgroupaboutgetteringofmetallurgicalmethodmc'-Siaregiven．Thedevelopmentalprospectsofmc-Sianditsgetteringtechnologyareputforward．Keywordsmulti—crystallinesilicon，solarcells，ge
5、ttering0引言還沒有形成統(tǒng)一的定論和完整的理論。1太陽電池用多晶硅近年來，多晶硅太陽電池憑借其易制成方形基片、可組件排列、價(jià)格低廉且轉(zhuǎn)換效率較高等優(yōu)點(diǎn)在光伏領(lǐng)域中占據(jù)太陽電池用多晶硅，其純度一般在6～7N，純度太高反著主要地位。但多晶硅中有較高密度的晶界、位錯(cuò)、微缺陷而不能制作成電池_3；另外，為降低成本，以后做電池用的多及金屬雜質(zhì)。這些結(jié)構(gòu)缺陷與金屬雜質(zhì)特別是鐵、鈷、鎳、銅晶硅片子會隨著技術(shù)的提高而越來越薄，其極限厚度約為等重金屬雜質(zhì)相互作用會對電池的電學(xué)性能產(chǎn)生嚴(yán)重影響。50／~m，目前所采用的片子厚度為160#m左右[4]。太陽電池晶界、位錯(cuò)一般可通過退火消除，金屬雜
6、質(zhì)則可通過吸雜去領(lǐng)域涉及到的多晶硅主要有鑄造多晶硅、冶金法多晶硅、西除]。門子法多晶硅等，具體信息如表1所示。吸雜分為內(nèi)吸雜和外吸雜，內(nèi)吸雜就是利用硅中氧沉積1．1鑄造多晶硅及其缺陷所產(chǎn)生的缺陷作用將雜質(zhì)束縛在硅體內(nèi)，從而在硅表面形成鑄造多晶硅是通過對硅原料進(jìn)行重熔鑄錠而成。硅原一層潔凈區(qū)域，通常用于Ic領(lǐng)域。外吸雜，也稱為非本征吸料主要有兩種：其一，半導(dǎo)體工業(yè)制備單晶硅剩下的頭尾料、雜，主要是在硅片表面引入雜質(zhì)、損傷或沉積某種薄膜等，由鍋底料以及沒制備成功而產(chǎn)生的廢料；其二，原生多晶硅(純此產(chǎn)生的雜質(zhì)、缺陷或應(yīng)力作用把硅片體內(nèi)的雜質(zhì)吸到表度在9N以上的西門子法多晶硅)與半導(dǎo)體工
7、業(yè)廢料或高純面，然后去掉吸雜層以達(dá)到徹底除雜的目的。多晶硅太陽電金屬硅(純度在4N以上的多晶硅)按一定比例混摻，這是由池作為體器件，其吸雜必須采用外吸雜，這在多晶硅太陽電于光伏產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展導(dǎo)致半導(dǎo)體工業(yè)邊角廢料生產(chǎn)的多池制備中也是一道必須的工藝。晶硅遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足需求，于是，有的企業(yè)便采取這種方式來目前，國內(nèi)外關(guān)于多晶硅的吸雜研究還遠(yuǎn)不夠系統(tǒng)，近獲得生產(chǎn)電池用的多晶硅c8]。年來，有關(guān)這方面研究的文獻(xiàn)報(bào)道更是很少，所以在這方面鑄造多晶硅中存在著較多的雜質(zhì)、位錯(cuò)及晶界等缺陷。*國家
