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《多晶硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝的研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、多晶硅太陽電池表面織構(gòu)化工藝的研究摘要表面織構(gòu)化（制作絨面）是提高太陽電池效率的重要手段。多晶硅表面織構(gòu)工藝，目前在工業(yè)化生產(chǎn)中還沒有全面推廣。如何判絨面的質(zhì)量，以及如何實現(xiàn)穩(wěn)定的工業(yè)生產(chǎn)等問題還有待解決。本文研究了以硝酸和氫氟酸為基礎(chǔ)的腐蝕液對多晶硅表面的化學(xué)腐蝕。酸的濃度對硅片的微觀形貌、腐蝕速率、溶液穩(wěn)定性等方面的有較大影響。硝酸或氫氟酸濃度的微小變化都會影響硅片表面形貌，因此要保證絨面形貌，必須嚴格控制溶液濃度，使之保持在一定的濃度范圍。在大批量工業(yè)生產(chǎn)中，隨著酸的消耗，必然導(dǎo)致溶液濃度的變化，及時調(diào)整溶液濃度是保證工業(yè)生產(chǎn)的一個關(guān)鍵問題。微觀形貌對電
2、池生產(chǎn)工藝和電池性能有一定的影響。反射率較低的樣品，晶體缺陷處和晶界處會被腐蝕得比較深，對清洗、鈍化、印刷電極等造成不利影響；反射率較高的樣品，有比較平整的表面形貌，但陷光效果不理想。如何兼顧光學(xué)性能和電學(xué)性能，選擇最合適的微觀形貌，是制作多晶硅絨面要解決的一個主要問題。本文應(yīng)用絨面技術(shù)工藝，在125mm×125mm的多晶硅片上制作絨面，分析了……。制得的電池的短路電流密約為32mA/cm2，達到了增加硅表面對光吸收的效果。關(guān)鍵詞：多晶硅；表面織構(gòu)化；微觀形貌；晶格缺陷-42-Investigationoftexturizationformulticrysta
3、llinesiliconsolarcellsCondensedstatephysicsName：XuXinxiangSupervisor:ProfessorShenHuiABSTRACTSurfacetexturingisoneofthekeytechniquestoimprovetheefficiencyofsiliconsolarcell.Thetechniqueofmulticrystallinetexturinghasnotbeenwidelyusedinindustry.Someproblemsneedtobesolved,suchashowtoju
4、dgethequalityofthetexturing,andhowtokeepthestabilityintheindustrialmanufacture.Inthispaper,Iinvestigatewetchemicaletchingonmulticrystallinesiliconwafer.Theacidicmixturescontainhydrofluoricandnitricacid.Theconcentrationofthemixturesaffectsthemicrocosmicformation,etchingrateandthestab
5、ilityofthemixture.Eventhetinychangeofthehydrofluoricacidorthenitricacidwouldbringdifferentformation.Sotheconcentrationshouldbekeptinanallowablerange.Intheindustrialsolarcellprocessing,theconcentrationchangeswhentheacidconsumes.Adjustingtheconcentrationintimeistheguaranteeofformation
6、.Themicrocosmicformationaffectsthemanufactureprocessandthecellperformance.Thesampleswhichhavelowreflectancepresentdeepgroovewherethecrystallatticehasdefects.Thiskindofgroovetakesdisadvantageoncleaning,passivationandscreenprinting.Thehighreflectancesampleshavethesmoothformation,butth
7、elighttrappingisnotidealized.Howtomakethebalancebetweenthelighttrappingandtheelectricityperformanceisaproblemneedtobesolved.Wehaveappliedthetexturisationmethodtoproduction.Thedensityofshortcircuitachieves32mA/cm2.Keywords:multicrystallinesilicon;texturization;microcosmicformation;cr
8、ystallatticedefect-
