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《貴金屬修飾鈦陽極的制備及電催化性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、上海大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要采用陽極氧化．陰極電沉積兩步法：先在鈦基體上陽極氧化法制各多孔Ti02薄膜，再在這層多孔狀薄膜上采用陰極電沉積方法摻雜Pt、Ir制備出Ti用02．Pt修飾電極和n俄02．Ir修飾電極。利用xRD、sEM、TEM、SIMS、孔徑分布測定、電化學(xué)測試等手段系統(tǒng)研究了不同工藝條件下制備的Ti門ri02薄膜電極的結(jié)構(gòu)形貌、相組成、晶粒尺寸、表面孔隙率及電化學(xué)性能，得出了制備Ti仍02薄膜電極的最佳工藝參數(shù)，同時研究了鼬Ti02．Pt修飾電極和啪02．Ir修飾電極的表面形貌、電催化性能、表面電阻率及快速放氧壽命。研究結(jié)果表明，采用陽極氧化法可制備得到納米晶多孔Ti
2、02薄膜，薄膜由銳鈦礦相納米晶和非晶相構(gòu)成，納米晶粒直徑在20m左右。電解質(zhì)溶液的酸堿性影響Ti02薄膜的表面形貌，堿性條件下制備的薄膜表面平坦致密，酸性條件下制備的薄膜表面呈多孔狀結(jié)構(gòu)。綜合Ti門ri02薄膜電極的晶粒尺寸、表面形貌、表面孔隙率及電化學(xué)性能，可知室溫1mol幾H2S04溶液，氧化電壓為120V，氧化時間為11min是制備Ti02薄膜電極的最佳工藝條件。此時制備所得的Ti02薄膜厚度約73oIlm，孔徑為35011IIn，表面孔隙率為12．7％。研究了陰極電沉積Pt、h過程，摻雜貴金屬Pt、h明顯降低了Ti門ri02電極的表面電阻率值，大大提高了電極的導(dǎo)電性能。
3、由極化曲線和阻抗譜結(jié)果得出：摻雜Pt，Ir明顯改善了Ti／Ti02電極的電催化性能，沉積時間1min的凰m02．Pt修飾電極己具有Pt電極的電催化性能；隨著Pt沉積時間的增長，修飾電極在硫酸析氧反應(yīng)中的電催化活性進一步提高。由快速放氧壽命測試結(jié)果表明，刪02一Pt修飾電極的快速壽命值提高了，Ti爪02．Pt5min修飾電極的快速壽命值與吲Pt電極相比延長了一倍。關(guān)鍵詞：鈦陽極，陽極氧化，電催化，納米晶二氧化鈦薄膜V上海大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTA似o-st印procedl】rcwasuscd向rmeprI翟aratjonoftlIeP拙modmedTi爪02allOdes
4、：First，amicroporoustitaniumdioxidew嬲fbnnedbyanodisationofmetitaIlilllIIsubstrate，tll肌dopingPtorIrontllemicroporousTi02filmsbycamodicd印osition．Themorl'hology，咖lctI聃觚ddec昀c刪yticactivitiesoftlleTim02elec吶despr印aredatdi腩rellttechniquepar鋤eterswerecharact積zedbyXRD，SEM，TEMandmeasureInentsofdecn∞h鋤
5、icalbehaviors．Theoptim砌tedlniquepar鋤e時sfortIlepnepara￡ionofmeTi爪02filmdectrodew℃reobtained．Inaddition．tllech觚lct鰣zationofIhePt／Irmodifiedfilmdec∞deswerealsosystematicallystIldied．nis矗Ⅻndthatthemultiporous趾dnano-crystallineTi02mmscaIlbeobtainedbyanodicoxidationmemod，tllefillllsarecomposedofa1
6、1at嬲eaIld鋤ophollsmixs仃uctIIres，tllecrystalsizeisabOut20mn．ThenatI】reofelectIDlytehas鏟eaIefrectonthcmorpllologyofTi02丘lms．ThemicroporousstnJctureofTi02thinfilmisfoⅡned血theacidicdectrolyte，wlliletIlefilmis鋤oothaIldcompactintllealkalineelec仃01Me．111eoptiⅡmmtedlniquep珊I鋤eters南rmcpreparationofmcT
7、i用02mmdectrodearemat：1)meelechDl”esolutionislm01／LH2S04；2)meoxidationvoltagcat120v．3)thcoxidationtcInperatllreatroomtemperal=llre；and4)tbeoxidationtimeisabout11min．nethi出lessoffihnpr印aredundersuchconditionisabout730m，thesurfaceporesizeisabout350nm，
