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1、1室溫下某突變PN結(jié)的ND=5×1017cm-3,NA=1x1016cm-3,試求平衡狀態(tài)下(1)內(nèi)建電勢Vbi(2)耗盡區(qū)寬度Xd(3)最大電場強度EmaxVbi=ln2.某硅突變PN結(jié)的ND=1.5×1015cm-3,NA=1.5×1018cm-3,試求室溫下(1)VKN與VKP各為多少?(2)當(dāng)外加電壓V=0.80V時,Pn(xn)與np(-xp)各為多少?(3)內(nèi)建電勢Vbi為多少?3、某高頻晶體管的β0=100當(dāng)信號頻率f為400MHZ時測得
2、βw
3、=8,且最大功率增益Kpmax=100求:(1)該晶體管的特征頻率(2)該
4、晶體管的截止頻率(3)該晶體管的最高振蕩頻率4、某高頻晶體管β0=100、當(dāng)信號頻率f為40MH時測得其
5、βw
6、=5,試求(1)該晶體管的特征頻率fT。(6分)(2)當(dāng)信號頻率分別為15MHz和60MHZ時該晶體管的
7、βw
8、。5、已知?Si-MOSFET具有下列參數(shù):二氧化硅介質(zhì)層厚度Tox=200nm,L=12um,Z/L=40,un=600cm2V-1S-1,飽和時源漏電壓VDsat=8V(1)計算增益因子β(2)計算跨導(dǎo)gm(3)計算最高工作頻率fT6、鋁柵P溝道Si-?MOSFET具有下列參數(shù):二氧化硅介質(zhì)層厚度Tox=15
9、0nm,ND=2x1015cm-3,Qox/g=1011cm-2,?L=4um,?Z=100um,up?=300cm2V-1S-1(1)計算閾值電壓VT(2)計算增益因子β(3)計算VGS=-4V時的飽和漏極電流7、耗盡近似、中性近似、大注入效應(yīng)、小注入效應(yīng)耗盡近似:空間電荷密度=電離雜質(zhì)電荷密度中性近似:平衡多子濃度=電離雜質(zhì)濃度8、厄爾利效應(yīng),采取什么描施增大厄爾利電壓增大基區(qū)寬度、減小勢壘區(qū)寬度,即增大基區(qū)摻雜濃度9、晶體管甚區(qū)擴展效應(yīng)集電結(jié)電壓不變,集電極電流增加時,基區(qū)寬度會展寬8、晶體管基區(qū)穿通效應(yīng),怎樣防止基區(qū)穿通提高
10、Wb和Nb11.什么是晶體管的二次擊穿當(dāng)Vce增大時,Ic增大到某一臨界值時,晶體管上的壓降突然降低,電流仍然增大9、什么是有效溝道長度調(diào)制效應(yīng)有效溝道隨Vds的增大而縮短10、發(fā)射結(jié)電流集邊效應(yīng)當(dāng)晶體管的工作電流很大時,基極電流通過基極電阻產(chǎn)生的壓降也很大,這會使得發(fā)射極電流在發(fā)射結(jié)上的分布不均勻。實際上發(fā)射極的電流的分布是離基極接觸處越近電流越大,離基極越遠電流很快下降到很小的值。14、什么是?MOSFET的襯底偏置效應(yīng)?對于N-MOSFET外加VBS后轉(zhuǎn)移曲線怎么受化?襯底與源極之間外加襯底偏壓Vbs后,mosfet的特性將發(fā)
11、生某些變化當(dāng)外加Vbs后,轉(zhuǎn)移特性曲線的形狀沒有變化,而只是隨著Vbs的增大而右移15、什么DIBL效應(yīng)在短溝道m(xù)osfet中,由于溝道長度很短,起源于漏去的電力線將有一部分貫穿溝道去終止于源區(qū),從而使源、漏區(qū)之間的勢壘高度降低16、短溝道效應(yīng)、窄溝道效應(yīng)、強電場效應(yīng)、熱電子效應(yīng)、按比例縮小法則、短溝道效應(yīng):隨著mosfet的溝道長度不斷縮小,許多原來可以忽略的效應(yīng)變得顯著起來,甚至成為主導(dǎo)因素,使mosfet出現(xiàn)了一系列在長溝道中不從出現(xiàn)的問題。窄溝道效應(yīng):當(dāng)mosfet的溝道寬度Z很小時,閾電壓Vt將隨著Z的減小而增大強電場效應(yīng)
12、:熱電子效應(yīng):按比例縮小法則:17、分布畫出NMOSEET和PMOSFET的輸出特性曲線,并簡單分析各個工作工域的工作特性18、NMOSFET和PMOSFET的結(jié)構(gòu)及工作原理通過改變柵極源電壓Vgs來控制溝道的的導(dǎo)電能力,從而控制漏極電流Id。Nmosfet結(jié)構(gòu)19、分別畫出NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時和放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)、反向放大區(qū)工作時的能帶圖。20、分別畫出突變PN結(jié)在平衡、施加正向、反向電壓時的能帶圖21、分別畫出NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時和放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)、反向放大區(qū)工作時的少子分布圖。22、PN結(jié)的結(jié)構(gòu)和工作
13、原理23、BJT的結(jié)構(gòu)和工作原理發(fā)射極注入效率、:基區(qū)輸運系數(shù)、:基區(qū)渡越時間、電流放大系數(shù)基區(qū)渡越時間:少子在基區(qū)從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需的平均時間基區(qū)輸運系數(shù):基區(qū)少子在輸運過程中會因復(fù)合而引起電流的虧損24、緩變基區(qū)BJT基區(qū)的內(nèi)建電場是怎么形成的,對載流子起什么作用內(nèi)建電場的形成:空穴從高濃度向低濃度擴散,而電離雜質(zhì)不動,于是在雜質(zhì)濃度高的地方空穴濃度低于雜質(zhì)濃度,帶負電荷;在雜質(zhì)濃度低的地方空穴濃度高于雜質(zhì)濃度,帶正電荷??臻g電荷的分離就形成了內(nèi)建電荷。內(nèi)建電場引起了空穴的漂移運動。