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1、1室溫下某突變PN結的ND＝5×1017cm-3，NA=1x1016cm-3，試求平衡狀態(tài)下(1)內建電勢Vbi(2)耗盡區(qū)寬度Xd(3)最大電場強度EmaxVbi=ln2.某硅突變PN結的ND＝1.5×1015cm-3，NA＝1.5×1018cm-3，試求室溫下(1)VKN與VKP各為多少？(2)當外加電壓V＝0.80V時，Pn(xn)與np(-xp)各為多少?(3)內建電勢Vbi為多少?3、某高頻晶體管的β0＝100當信號頻率f為400MHZ時測得

2、βw

3、＝8，且最大功率增益Kpmax=100求:(1)該晶體管的特征頻率（2）該

4、晶體管的截止頻率(3)該晶體管的最高振蕩頻率4、某高頻晶體管β0＝100、當信號頻率f為40MH時測得其

5、βw

6、＝5，試求(1)該晶體管的特征頻率fT。(6分)(2)當信號頻率分別為15MHz和60MHZ時該晶體管的

7、βw

8、。5、已知?Si-MOSFET具有下列參數(shù):二氧化硅介質層厚度Tox=200nm，L＝12um，Z/L＝40，un=600cm2V-1S-1，飽和時源漏電壓VDsat＝8V(1)計算增益因子β(2)計算跨導gm(3)計算最高工作頻率fT6、鋁柵P溝道Si-?MOSFET具有下列參數(shù):二氧化硅介質層厚度Tox=15

9、0nm,ND=2x1015cm-3,Qox/g=1011cm-2,?L=4um,?Z=100um,up?=300cm2V-1S-1(1)計算閾值電壓VT(2)計算增益因子β(3)計算VGS=-4V時的飽和漏極電流7、耗盡近似、中性近似、大注入效應、小注入效應耗盡近似：空間電荷密度=電離雜質電荷密度中性近似：平衡多子濃度=電離雜質濃度8、厄爾利效應，采取什么描施增大厄爾利電壓增大基區(qū)寬度、減小勢壘區(qū)寬度，即增大基區(qū)摻雜濃度9、晶體管甚區(qū)擴展效應集電結電壓不變，集電極電流增加時，基區(qū)寬度會展寬8、晶體管基區(qū)穿通效應，怎樣防止基區(qū)穿通提高

10、Wb和Nb11.什么是晶體管的二次擊穿當Vce增大時，Ic增大到某一臨界值時，晶體管上的壓降突然降低，電流仍然增大9、什么是有效溝道長度調制效應有效溝道隨Vds的增大而縮短10、發(fā)射結電流集邊效應當晶體管的工作電流很大時，基極電流通過基極電阻產(chǎn)生的壓降也很大，這會使得發(fā)射極電流在發(fā)射結上的分布不均勻。實際上發(fā)射極的電流的分布是離基極接觸處越近電流越大，離基極越遠電流很快下降到很小的值。14、什么是?MOSFET的襯底偏置效應?對于N-MOSFET外加VBS后轉移曲線怎么受化?襯底與源極之間外加襯底偏壓Vbs后，mosfet的特性將發(fā)

11、生某些變化當外加Vbs后，轉移特性曲線的形狀沒有變化，而只是隨著Vbs的增大而右移15、什么DIBL效應在短溝道m(xù)osfet中，由于溝道長度很短，起源于漏去的電力線將有一部分貫穿溝道去終止于源區(qū)，從而使源、漏區(qū)之間的勢壘高度降低16、短溝道效應、窄溝道效應、強電場效應、熱電子效應、按比例縮小法則、短溝道效應：隨著mosfet的溝道長度不斷縮小，許多原來可以忽略的效應變得顯著起來，甚至成為主導因素，使mosfet出現(xiàn)了一系列在長溝道中不從出現(xiàn)的問題。窄溝道效應：當mosfet的溝道寬度Z很小時，閾電壓Vt將隨著Z的減小而增大強電場效應

12、：熱電子效應：按比例縮小法則：17、分布畫出NMOSEET和PMOSFET的輸出特性曲線，并簡單分析各個工作工域的工作特性18、NMOSFET和PMOSFET的結構及工作原理通過改變柵極源電壓Vgs來控制溝道的的導電能力，從而控制漏極電流Id。Nmosfet結構19、分別畫出NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時和放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)、反向放大區(qū)工作時的能帶圖。20、分別畫出突變PN結在平衡、施加正向、反向電壓時的能帶圖21、分別畫出NPN緩變基區(qū)晶體管在平衡時和放大區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)、反向放大區(qū)工作時的少子分布圖。22、PN結的結構和工作

13、原理23、BJT的結構和工作原理發(fā)射極注入效率、:基區(qū)輸運系數(shù)、:基區(qū)渡越時間、電流放大系數(shù)基區(qū)渡越時間：少子在基區(qū)從發(fā)射結渡越到集電結所需的平均時間基區(qū)輸運系數(shù)：基區(qū)少子在輸運過程中會因復合而引起電流的虧損24、緩變基區(qū)BJT基區(qū)的內建電場是怎么形成的，對載流子起什么作用內建電場的形成：空穴從高濃度向低濃度擴散，而電離雜質不動，于是在雜質濃度高的地方空穴濃度低于雜質濃度，帶負電荷；在雜質濃度低的地方空穴濃度高于雜質濃度，帶正電荷?？臻g電荷的分離就形成了內建電荷。內建電場引起了空穴的漂移運動。