張會芳 文獻(xiàn)綜述定稿(1)

《張會芳 文獻(xiàn)綜述定稿(1)》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。

1、文獻(xiàn)綜述題目相變納米薄膜的光學(xué)性質(zhì)測試學(xué)生姓名張會芳專業(yè)班級電子科學(xué)與技術(shù)07-1班學(xué)號200711010149院（系）技術(shù)物理系指導(dǎo)教師(職稱)翟鳳瀟（副教授）完成時間2011年5月1日15綜述題目：相變存儲材料的研究及應(yīng)用專業(yè)班級：電子科學(xué)與技術(shù)07-1姓名：張會芳學(xué)號200711010149相變存儲材料的研究及應(yīng)用1引言信息的儲存是信息系統(tǒng)的重要方面，信息儲存是將獲得的或加工后的信息保存起來，以備將來應(yīng)用。信息儲存和數(shù)據(jù)儲存應(yīng)用的設(shè)備是相同的，但信息儲存的思路，即為什么要儲存這些數(shù)據(jù)，以什么方式儲存這些數(shù)據(jù)，存在什么介質(zhì)上，將來有什么用處，對決

2、策可能產(chǎn)生的效果是什么等。只有正確的舍棄信息，才能正確使用信息。信息存儲伴隨著人類文明和科技的發(fā)展，從原始的存儲方式到現(xiàn)在的高科技存儲技術(shù)經(jīng)歷了一個漫長的時期。信息貯存材料在50年前到現(xiàn)在一直是以磁記錄為主。磁盤的記錄密度已經(jīng)超過108bit/cm2，磁帶為0.2×108。磁盤和磁帶都是將磁粉(γ-FeO鐵氧體)涂在磁盤或有機(jī)膜上而成，產(chǎn)品的成本低，穩(wěn)定性好。60年代發(fā)展出CrO2和以(Co++)改性的氧化鐵粉是記錄密度更高的材料。70年代發(fā)展出超微細(xì)鐵粉(0.2μ×0.02μ)，到80年代(BaO·6FeO)鋇鐵氧體的超微細(xì)粉涂于(0.1μm直徑)

3、和(0.01μ厚度圓盤)都具有良好的磁記錄性能。從50年代就開始研究的金屬薄膜記錄，目前已經(jīng)發(fā)展出多種成分的薄膜材料：Co、CoNi、CoNiCr和CoCr/NiFe垂直記錄雙層薄膜等都具有廣泛的應(yīng)用和發(fā)展前途。從90年代發(fā)展起來的光儲存和磁光儲存的光碟，儲存密度高，可以達(dá)到(1010bit/cm2),使用壽命長(>105次)并且具有高保真度，可以擦除。光碟的發(fā)展很快，目前已經(jīng)普遍使用。15綜述題目：相變存儲材料的研究及應(yīng)用專業(yè)班級：電子科學(xué)與技術(shù)07-1姓名：張會芳學(xué)號2007110101491相變信息存儲技術(shù)奧弗辛斯基(StanfordOvshi

4、nsky)[1]在1968年發(fā)表了第一篇關(guān)于非晶體相變的論文，創(chuàng)立了非晶體半導(dǎo)體學(xué)。一年以后，他首次描述了基于相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態(tài)變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態(tài)呈現(xiàn)不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態(tài)和晶態(tài)分別代表“0”和“1”來存儲數(shù)據(jù)。后來，人們將這一原理稱為奧弗辛斯基電子效應(yīng)。相變存儲器是基于奧弗辛斯基效應(yīng)的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電效應(yīng)統(tǒng)一存儲器(OUM)。1.1相變存儲器工作原理相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝

5、物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異或者光學(xué)性能差異進(jìn)行工作。圖1-1相變存儲器的存儲原理相變存儲的基本原理是一種材料有兩種獨(dú)立穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)態(tài)-晶態(tài)和非晶態(tài),為了克服二者的能量勢壘,必須給材料施加能量即激光脈沖和電流脈沖等才能在兩種結(jié)構(gòu)態(tài)之間實現(xiàn)轉(zhuǎn)換。相變硫?qū)倩镌谟蔁o定形相轉(zhuǎn)向結(jié)晶相時會表現(xiàn)出可逆的相變現(xiàn)象。如圖115綜述題目：相變存儲材料的研究及應(yīng)用專業(yè)班級：電子科學(xué)與技術(shù)07-1姓名：張會芳學(xué)號200711010149所示為相變存儲的原理。在無定形相，材料是高度無序的狀態(tài)，不存在結(jié)晶體的網(wǎng)格結(jié)

6、構(gòu)。在不同的結(jié)構(gòu)狀態(tài)[2]下，材料表現(xiàn)出不同的光學(xué)或者電學(xué)性質(zhì)。利用不同的光學(xué)或電學(xué)性質(zhì)實現(xiàn)二進(jìn)制信息的記錄。1.1相變存儲器目前基于相變材料的存儲方式有光學(xué)存儲和電學(xué)存儲兩種主要的方式。1.1.1相變光盤所謂光存儲技術(shù)，是通過光學(xué)方式在一個被稱為光盤的圓盤上進(jìn)行信息讀寫的技術(shù)。光盤存儲有許多自身獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：數(shù)據(jù)存儲容量大、密度高、壽命更長、信息的信噪比高、可以非接觸式讀寫和擦除等。但是光學(xué)衍射極限在很大程度上限制了存儲的容量和密度。2002年8月東芝和NEC公司就利用藍(lán)光激光器并結(jié)合兩公司的相變存儲提出下一代DVD格式，使得單層和雙層的存儲容量達(dá)到

7、27和50Gb.2004年TDK公推出專業(yè)藍(lán)光相變盤，存儲量是普通DVD盤的五倍可擦寫1000次以上.經(jīng)過三十多年的發(fā)展,光盤存儲技術(shù)從LD(激光視盤)到CD(小型光盤),再到DVD（數(shù)字多用光盤）,直到目前的BD（藍(lán)光光盤），取得了巨大成就，形成了世界規(guī)模的龐大市場?？梢灶A(yù)見光盤存儲技術(shù)還將繼續(xù)占據(jù)信息存儲的重要地位,是光電子領(lǐng)域中的支柱產(chǎn)業(yè)之一。表1-1三代相變光盤的性能指標(biāo)比較光盤類型記錄波長（nm）單面容量（Gb）最小記錄長度（nm）道間距（mm）掃描速率（m/s）存取時間（ms）傳輸速率（Mb/s）CD7800.658331.61.2-1.

8、41004.32DVD6504.74100.743.843036-27BD405251490.3210-20