電解液對(duì)準(zhǔn)分子電化學(xué)刻蝕硅的影響研究

《電解液對(duì)準(zhǔn)分子電化學(xué)刻蝕硅的影響研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。

1、------------------------------------------------------------------------------------------------電解液對(duì)準(zhǔn)分子電化學(xué)刻蝕硅的影響研究第２９卷第１期２００９年２月應(yīng)用激光Ｖ０１．２９，Ｎｏ．１Ｆｅｂｒｕａｒｙ２００９ＡＰＰＬＪＥＤＬＡＳＥＲ龍芋宏１，史鐵林２’３，熊良才２”，柳海鵬２（１桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院。廣西桂林５４１００４；２華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院，湖北武漢４３００７４；３武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（籌），湖北武漢４３００７４）提要激光電化學(xué)刻蝕是將激光加Ｔ技

2、術(shù)和電化學(xué)加工技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來而形成的一種復(fù)合型刻蝕Ｔ藝。為了研究電解液對(duì)激光電化學(xué)刎蝕硅的影響，本文采用２４８ｎｍＫｒＦ準(zhǔn)分子激光作為光源聚焦照射浸在ＫｏＨ溶液中的陽(yáng)極半導(dǎo)體ｎ－Ｓｉ上，實(shí)現(xiàn)激光誘導(dǎo)電化學(xué)刻蝕。在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上，研究了化學(xué)溶液對(duì)激光電化學(xué)刻蝕Ｓｉ的刻蝕表面形貌和刻蝕速率的影響，并對(duì)其產(chǎn)生的原因進(jìn)行了分析。試驗(yàn)結(jié)果表明：化學(xué)溶液對(duì)刻蝕下藝的影響主要來源于不同濃度的溶液對(duì)激光的吸收和折射；采用吸收率較小、濃度較低的溶液和控制液膜厚度能有效減小溶液飛濺和溶液折射。本文中，溶液的厚度控制在１ｍｍ左右。關(guān)鍵詞準(zhǔn)分子激光；————————————————————

3、——————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------電化學(xué)；刻蝕；溶液中圖分類號(hào)：ＴＧ６６５文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：ＡＴｈｅＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＳｏｌｕｔｉｏｎＥｆｆｅｃｔＬｏｎｇＹｕｈｏｎ９１，ｏｎＬａｓｅｒ－ｉｎｄｕｃｅｄＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＥｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉｌｉｃｏｎＳｈｉＴｉｅｌｉｎ２‘３，ＸｉｏｎｇＬｉａｎｇｃａｉ２“，ＬｉｕＨａｉｐｅｎ９２（１ＳｃｈｏｏｌｏｆＭｅｃｈａｎｉｃａｌ

4、＆ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＧｕｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕｉｌｉｎ，Ｃ，ｕａｎｇｘｉ５４１００４，ｏｆＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＨｕａｚｈｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｈａｎ。Ｃｈｉｎａ‘２ＳｃｈｏｏｌＨｕｂｅｉ４３００７４，Ｃｈｉｎａ；３ＷｕｈａｎＮａｔｉｏｎａｌＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＯｐｔｏ－ｅｌｅｃｔｒｏ——————————————————————————————————————-------------

5、-----------------------------------------------------------------------------------ｎｉｃｓ，Ｗｕｈａｎ，Ｈｕｂｅｉ４３００７４，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔｐｒｏｃｅｓｓ。ｉｓＬａｓｅｒｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ。ｗｈｉｃｈａｃｏｍｂｉｎｅｓｌａｓｅｒｄｉｒｅｃｔｅｔｃｈｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｏｎａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇｃｏｍｐｏｕｎｄｅｔｃｈｉｎｇｐａｐｅｒｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｆｕｒｔｈｅｒｕｎｄｅｒｓｔａｎ

6、ｄｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅｅｆｆｅｅｔｕｓｅｓｌａｓｅｒ－ｉｎｄｕｅｅｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ｅｔｃｈｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎ。ｔｈｉｓａｄｏｐｔｓ２４８ｎｍｅｘｃｉｍｅｒｌａｓｅｒａｓｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅａｎｄａｒｅＫ（）Ｈｓｏｌｕｔｉｏｎｏｎａｓｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍ

7、ｅｎｔｓｏｆｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎｂｙｌａｓｅｒ－ｉｎｄｕｃｅｄｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇｅｆｆｅｃｔｏｎｃａｒｒｉｅｄｏｕｔ．Ｂａｓｅｄｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｒｅｓｕｌｔｓ，ｔｈｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｓｏｎｓｔｈｅｅｔｃｈｉｎｇａｒｅａｐｐｅａｒａｎｃｅｓａｎｄｅｔｃｈｉｎｇｒａｔｅｓｉｎｌａｓｅｒｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎｉｓｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ．Ｔｈｅ——————————————————————————————————————----------------------------