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《電解液對(duì)準(zhǔn)分子電化學(xué)刻蝕硅的影響研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、------------------------------------------------------------------------------------------------電解液對(duì)準(zhǔn)分子電化學(xué)刻蝕硅的影響研究第29卷第1期2009年2月應(yīng)用激光V01.29,No.1February2009APPLJEDLASER龍芋宏1,史鐵林2’3,熊良才2”,柳海鵬2(1桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院。廣西桂林541004;2華中科技大學(xué)機(jī)械科學(xué)與工程學(xué)院,湖北武漢430074;3武漢光電國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(籌),湖北武漢430074)提要激光電化學(xué)刻蝕是將激光加T技
2、術(shù)和電化學(xué)加工技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來而形成的一種復(fù)合型刻蝕T藝。為了研究電解液對(duì)激光電化學(xué)刎蝕硅的影響,本文采用248nmKrF準(zhǔn)分子激光作為光源聚焦照射浸在KoH溶液中的陽(yáng)極半導(dǎo)體n-Si上,實(shí)現(xiàn)激光誘導(dǎo)電化學(xué)刻蝕。在實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,研究了化學(xué)溶液對(duì)激光電化學(xué)刻蝕Si的刻蝕表面形貌和刻蝕速率的影響,并對(duì)其產(chǎn)生的原因進(jìn)行了分析。試驗(yàn)結(jié)果表明:化學(xué)溶液對(duì)刻蝕下藝的影響主要來源于不同濃度的溶液對(duì)激光的吸收和折射;采用吸收率較小、濃度較低的溶液和控制液膜厚度能有效減小溶液飛濺和溶液折射。本文中,溶液的厚度控制在1mm左右。關(guān)鍵詞準(zhǔn)分子激光;————————————————————
3、——————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------電化學(xué);刻蝕;溶液中圖分類號(hào):TG665文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:ATheStudyoftheSolutionEffectLongYuhon91,onLaser-inducedElectrochemicalEtchingofSiliconShiTielin2‘3,XiongLiangcai2“,LiuHaipen92(1SchoolofMechanical
4、&ElectricalEngineering,GuilinUniversityofElectronicTechnology,Guilin,C,uangxi541004,ofMechanicalScienceandEngineering,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan。China‘2SchoolHubei430074,China;3WuhanNationalLaboratoryforOpto-electro——————————————————————————————————————-------------
5、-----------------------------------------------------------------------------------nics,Wuhan,Hubei430074,China)Abstractprocess。isLaserelectrochemicaletchingprocess。whichacombineslaserdirectetchingprocessonandelectrochemicaletchingcompoundetchingpapertechnique.Inordertofurtherunderstan
6、dtheelectrolyteeffeetuseslaser-indueedelectrochemical——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------etchingsilicon。thisadopts248nmexcimerlaseraslightsourceandareK()Hsolutiononaselectrolyte.Theexperim
7、entsofmicromachiningsiliconbylaser-inducedelectrochemicaletchingeffectoncarriedout.Basedtheexperimentresults,thesolutionreasonstheetchingareappearancesandetchingratesinlaserelectrochemicaletchingsiliconisresearched.The——————————————————————————————————————----------------------------