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《kdp晶體快速生長裝置及生長工藝》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、摘要KDP晶體是一種性能優(yōu)良的電光非線性光學(xué)晶體。綜合考慮其電光性能，以及易于生長、生長尺寸比較大的特點，特大口徑、高質(zhì)量的KDP晶體成為大功率激光器中主要光學(xué)晶體材料之一。傳統(tǒng)方法生長大尺寸KOP晶體周期長、成本高，很難滿足對KDP晶體的大量需求，因此快速生長大尺寸高質(zhì)量的KDP晶體成為國際研究的熱點?？焖偕LKDP晶體對生長條件要求很高，要求溶液有高的穩(wěn)定性，同時要保證快速生長的KDP晶體光學(xué)均勻性好，缺陷較少，具有好的光學(xué)質(zhì)量，以滿足高功率激光器對KDP晶體的應(yīng)用要求。本論文以溶液中成核理論為基礎(chǔ)，探討了影響KDP溶液穩(wěn)定性的主要因素，找到了提
2、高溶液穩(wěn)定性的有效方法，設(shè)計制作了用于溶液法晶體生長的錐形底底部加熱裝置，并基于此裝置進(jìn)行了KDP晶體快速生長，以25mm／d的生長速度生長出宏觀透明性良好的KDP晶體，晶體尺寸為25X24X27mm3，探索了溶液法快速生長KDP晶體的工藝過程。以錐形底快速生長裝置的原理為基礎(chǔ)，并充分考慮設(shè)備成本、制造可能性、可靠性和操作的簡便性，目的在于生長大口徑KDP晶體進(jìn)一步提高KDP晶體質(zhì)量，設(shè)計了用于快速生長大口徑KDP的晶體生長裝雹。利用激光層析法、激光透射投影法、表面反射投影法、激光干涉法、腐蝕法、掃描電子顯微鏡(SEM)以及電子能譜分析了快速生長的K
3、DP晶體中散射顆粒分布、層狀包裹、扇形區(qū)界線、位錯分布和液相包裹體等缺陷，討論了這些缺陷的形成機理和減少缺陷的方法，為提高晶體光學(xué)質(zhì)量，改進(jìn)晶體生長工藝，提供科了學(xué)依據(jù)。碩士研究生李曉兵(材料學(xué))指導(dǎo)教師滕冰教授關(guān)鍵詞：KDP晶體，快速生長，溶液中成核，晶體缺陷AbstraetTheKDPcrystalisakindofnonlinearopticalcrystalwithgoodoptical·electricproperty．Consideringthecharacteristicsofbothitsnicepropertyandbeingeas
4、ilygrownlarger,KDPcrystalsaresclec似lasone．oftheoptimalcrystalmaterialsappliedinhi曲powerlasers．BecauseKDPcrystalsgrownbyuseofthetraditionalmethodneedlongergrowthcycle，itcan’tmeetpracticaldemand．SotherapidgrowthofKDPcrystalshasbecometheintemationalresearchfocus．However,themoreswi
5、ctexperimentconditionsarerequiredintherapidgrowthofKDPcrystalsSOthatthesolutionhashighstability．TheKDPcrystalswithhighopticaluniformityandtheleastdefectsareneededinhighpowerlasers．Inthisdissertation．themainfactorsofnucleationinsolutionwerediscussedbasedonthenucleationtheory．Asa
6、result，theeffectivewaytoincreasethestabilityofsolutionWasfound．Further,thedeviceofrapidgrowthKDPcrystalswasdesignedandfabricated．ThetransparentKDPcrystalswererapidlygrownattherateof25mm／d，thesizeWas25x24x27mm’，andtherapidgrowthtechnologyprocessofKDPcrystalsWasdiscussed．Inordert
7、0increasetllesizeofKDPcrystals．theotherbiggergrowthdeviceWasdesignedwhichCalldecreasethecost，bcsafeandeasilyoperated，Inaddition,thedislocationsandtheinclusionswerestudiedbymeansoflasertomographydevice，supermicroscope,lasertransparencydevice，SEMandtheelectronicenergyspec蚋nn．Them
8、echanismofdefectformationwasdiscussedandthemethodsofre
