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《點狀籽晶法生長kdp晶體的缺陷研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、捅姜KDP晶體是一種綜合性能比較優(yōu)良的非線性光學材料，被廣泛地應用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開關(guān)等高科技領(lǐng)域，是人工激光變頻系統(tǒng)的首選材料。隨著KDP晶體的推廣使用，對KDP晶體的質(zhì)量要求日趨增高。KDP晶體在生長過程中往往不可避免會出現(xiàn)生長條紋、位錯、散射顆粒等品體生長缺陷，這在很大程度上限制了KDP晶體的應用。于是KDP晶體中的生長缺陷研究成為KDP晶體研究的重點之一。由于KDP晶體中各類缺陷的成因比較復雜，因此對它們的形成機理研究對改善KDP晶體的質(zhì)量有著很大的意義。通過對KDP晶體中的位錯、散射顆粒等缺陷進行檢測并對位錯、
2、散射顆粒等缺陷的形成機理進行探討來改變晶體的生長條件以有效減少KDP晶體中的位錯、散射顆粒等缺陷。在以}二的思路下，本論文主要采用點狀籽品法進行了KDP晶體生長實驗，在不同pH條件下得到質(zhì)量不同的KDP晶體，觀察到通過改變生長條件可以控制KDP晶體的生長形貌，pH值較低時晶體柱面無明顯擴展，pH值在5左右時杞面有明顯擴展。對KDP晶體中按位錯線走向分類的位錯類型進行了光學顯微檢測，將點狀籽晶生長條件下的位錯類型與文獻中片狀籽晶生長條件下的位錯類型進行了對比，證實了用點狀籽晶生長KDP品體比文獻中用片耔晶生長KDP品體能有效地減少KD
3、P晶體中不同角度的位錯。利用光學顯微鏡和吊瓶設(shè)計了觀察KDP晶體在螺型位錯生長機制下的生長臺階運動，對螺型位錯生長機制進行了實驗說明，驗證了低過飽和度下KDP晶體的生長機制。并利用超顯微方法對不同生長條件下得到的KDP晶體中的散射顆粒進行了觀測，證實了pH值及降溫速度與晶體中散射顆粒多少的關(guān)系。最后對用點籽品法得到的KDP晶體中的位錯與散射顆粒間的關(guān)系進行了分析，并通過超顯微觀測對這種劃‘應關(guān)系予以了證實。碩士研究生莊嚴(材料學)指導老師滕冰教授關(guān)鍵詞：KDP晶體；位錯；散射顆粒；pH值。AbstractKDPcrysta¨saty
4、peofexcellentelectro-opticalnon-linearopticalmaterials，whichiswidelyappliedinthefieldsuchas1aserradiation，electm-opticalmodulationandOpticalrapidswitchetc．Thusitisagoodchoicefbrtheanificialpercolatinglasersystem．Becauseofitsspreadingusageinthesefields，ahighqualityinKDP
5、crystalisbeingrequiredtoensureitseH．ectiVenessandlaserdamagethreshold．ItisusuallyunaVoidabIefortheemergenceofseVeralkindsofdefectinKDPcrystals，suchasstripes，dislocationsandscatters，sothattheseKDPcrystalsareimprobableto捅姜KDP晶體是一種綜合性能比較優(yōu)良的非線性光學材料，被廣泛地應用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開關(guān)等高
6、科技領(lǐng)域，是人工激光變頻系統(tǒng)的首選材料。隨著KDP晶體的推廣使用，對KDP晶體的質(zhì)量要求日趨增高。KDP晶體在生長過程中往往不可避免會出現(xiàn)生長條紋、位錯、散射顆粒等品體生長缺陷，這在很大程度上限制了KDP晶體的應用。于是KDP晶體中的生長缺陷研究成為KDP晶體研究的重點之一。由于KDP晶體中各類缺陷的成因比較復雜，因此對它們的形成機理研究對改善KDP晶體的質(zhì)量有著很大的意義。通過對KDP晶體中的位錯、散射顆粒等缺陷進行檢測并對位錯、散射顆粒等缺陷的形成機理進行探討來改變晶體的生長條件以有效減少KDP晶體中的位錯、散射顆粒等缺陷。在以
7、}二的思路下，本論文主要采用點狀籽品法進行了KDP晶體生長實驗，在不同pH條件下得到質(zhì)量不同的KDP晶體，觀察到通過改變生長條件可以控制KDP晶體的生長形貌，pH值較低時晶體柱面無明顯擴展，pH值在5左右時杞面有明顯擴展。對KDP晶體中按位錯線走向分類的位錯類型進行了光學顯微檢測，將點狀籽晶生長條件下的位錯類型與文獻中片狀籽晶生長條件下的位錯類型進行了對比，證實了用點狀籽晶生長KDP品體比文獻中用片耔晶生長KDP品體能有效地減少KDP晶體中不同角度的位錯。利用光學顯微鏡和吊瓶設(shè)計了觀察KDP晶體在螺型位錯生長機制下的生長臺階運動，對
8、螺型位錯生長機制進行了實驗說明，驗證了低過飽和度下KDP晶體的生長機制。并利用超顯微方法對不同生長條件下得到的KDP晶體中的散射顆粒進行了觀測，證實了pH值及降溫速度與晶體中散射顆粒多少的關(guān)系。最后對用點籽品法得到的KDP晶體中的位錯
