資源描述：
《合金元素及增強(qiáng)體表面狀況對(duì)sicpal復(fù)合材料界面的影響及其交互作用》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、鄭州大學(xué)博士學(xué)位論文摘要采用機(jī)械攪拌復(fù)合方法制各了SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料。通過(guò)透射電子顯微鏡(TEM)、X射線能譜儀(EDXS)、X射線光電子能譜儀(xPs)等分析手段，研究了基體合金成分、siC顆粒表面狀況和制備]：藝對(duì)復(fù)合材料界面結(jié)構(gòu)和界面反應(yīng)的影響。研究表明，對(duì)于基體合金中si含量較高的SiC。／A1．5～10wt％Si一0．5wt％Mg復(fù)合材料，增強(qiáng)體與基體的界面以siC／AI、SiC／Si為主，并可發(fā)生形成尖晶石(MgAl204)的界面反應(yīng)。通過(guò)對(duì)比制備態(tài)復(fù)合材料和重熔后復(fù)合材料的界面特征，確定界
2、面尖晶石具有很高的形成和長(zhǎng)大速度。通過(guò)改變SiC顆粒表面狀況，研究了界面尖晶石的形成機(jī)制。在以變形鋁合金fAI—Mg．Si)為基的SiC顆粒增強(qiáng)復(fù)合材料中，SiC顆粒與基體合金的界面以SiC／A1為主，界面上有MgAl204和A14C3生成。在基體合金中添加Ti元素對(duì)SiC／A1之間的界面反應(yīng)有抑制作用。在SiC。／A1．Mg．Si—Pb．Ti復(fù)合材料中，由于Ti的存在改善了SiCp／A1一Pb之間的潤(rùn)濕，并使基體合金中的Pb以Pb相的形式主要存在于界面上；Pb的存在削弱了Ti對(duì)SiC／A1之間界面反應(yīng)的抑制作
3、用?；w合金元素之間對(duì)復(fù)合材料的界面結(jié)構(gòu)和界面反應(yīng)存在著交互作用。對(duì)復(fù)合材料中界面本征結(jié)構(gòu)的研究表明，SiC晶體中的最密排面與鋁熔體之間具有最低的界面能。SiC晶體在復(fù)合材料中會(huì)形成臺(tái)階界面，此時(shí)界面能處于最低狀態(tài)。對(duì)于a．SiC(6H)晶體的臺(tái)階界面，臺(tái)階界面由(0001)晶面和(1012)晶面族中的晶面構(gòu)成。SiC／A1之間的低能量界面有助于減少界面反應(yīng)，穩(wěn)定界面結(jié)構(gòu)。通過(guò)熱力學(xué)計(jì)算，分析了Ti元素對(duì)SiC／AI之間界面反應(yīng)的控制機(jī)制。關(guān)鍵詞：碳化硅顆粒；鋁基復(fù)合材料：界面結(jié)構(gòu)：界面反應(yīng)：TEM鄭州大學(xué)博士
4、學(xué)位論文TheeffectsandmutualactionofAlloyelementsandSiCparticulatesurfaceconditionontheinterfaceofSiCp／A!compositesAbstractInthethesis，SiCparticulatereinforcedA1matrixcompositeswerefabricatedbymechanicalstirringmethod，Bymeansoftransmissionelectronmicroscopy(TEM)，
5、energy—dispersiveX-rayspectroscopy(EDS)andX-rayphotoelectronspectroscopy(XPS)，theinvestigationwasconductedoneffectofalloyelements；SiCparticulatesurfaceconditionandfabricationprocessingontheinterfaceinSiCp／A1composites．TheresultsshowedthatSiC／AlandSiC／Siinter
6、facedominatedinSiCD／A1—5～1Owt％Si·0．5wt％Mgcomposites．Theinterfacereactionwasoneofformingspinel(MgAl204)inthosecomposites．TheinvestigationoftheinterfaceinasfabricatedandremoltenconditionsofSiCp／AI—Sicompositesshowedthatthespinelcouldformandgrowrapidly．Themecha
7、nismofthespinelformingwasstudiedbychangingthesurfaceconditionofSiCparticles．SiC／A1interfacedominatedattheinterfacaofSiCparticlereinforeedwroughtaluminumalloys(A1一Mg-Si)．Interfacereactionsofformationofspinelandaluminumcarbidewereobserved．Theinterfacereactiono
8、fformingaluminumcarbidecouldbesuppressedbyadditionoftitanium．InaSiCD／A1-Mg—Si—Pb—Ticompositeleadexistedmainlyattheinterfacebecauseoftheeffectoftitanium，whichcouldpromotewettingbetweenSiCandliqui
