znocdsmos2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究

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1、分類號學校代碼10225UDC學號2131407東華大學碩士學位論文ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究FabricationandpropertiesofZnO/CdS/MoS2heterostructurenanorodarrays姓名傅艷玨指導老師王春瑞教授東華大學理學院應用物理系申請學位級別碩士學科專業(yè)名稱物理學論文提交日期2015年12月論文答辯日期2016年01月培養(yǎng)單位東華大學理學院應用物理系學位授予單位東華大學答辯委員會主席國家自然科學基金(11174049,613

2、76013)萬方數(shù)據(jù)東華大學學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:我恪守學術道德,崇尚嚴謹學風。所呈交的學位論文,是本人在導師的指導下,獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已明確注明和引用的內(nèi)容外,本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品及成果的內(nèi)容。論文為本人親自撰寫,我對所寫的內(nèi)容負責,并完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔。學位論文作者簽名:簽字日期:年月日萬方數(shù)據(jù)東華大學學位論文版權使用授權書學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定,同意學校保留并向國家有關部門或機構(gòu)送交論文

3、的復印件和電子版,允許論文被查閱或者借閱。本人授權東華大學可以將本學位論文的全部或者部分內(nèi)容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索,可以采用影音、縮印或者掃描等復制手段保存和匯編本學位論文。保密□,在年解密后適用本授權書本學位論文屬于不保密□。學位論文作者簽名:導師簽名:簽字日期:簽字日期:萬方數(shù)據(jù)ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究摘要芯-鞘異質(zhì)結(jié)納米線(棒)的研究,特別是寬帶芯/窄帶鞘異質(zhì)結(jié)納米線(棒)的研究,近年來受到國內(nèi)外廣泛關注。這

4、是因為在寬帶芯/窄帶鞘納米結(jié)構(gòu)中,激發(fā)的電子和空穴空間上分離分別進入芯納米線(棒)和包裹鞘層,有利于改善(或提高)器件的輸運特性和光電轉(zhuǎn)換效率,所以在新型光電子、電子器件等方面具有重要應用價值。本文發(fā)展了水熱法,以鉬粉和過氧化氫作為前驅(qū)體與硫脲溶液混o合后在200C進行反應,制備出了兩到三層的MoS2納米片。利用X射線衍射,拉曼光譜,透射電子顯微鏡以及光致發(fā)光光譜對制得的MoS2樣品進行了表征。結(jié)果證實,通過水熱法制備得到的MoS2呈現(xiàn)片狀形貌,且層數(shù)為兩到三層。在此基礎上,研究了MoS2納米片晶-1

5、的電化學性能。MoS2納米片的首次充放電比容量分別為820mAhg-1和1078mAhg,經(jīng)過20次循環(huán)充放電后,MoS2納米片的放電比容-1量達到了1127mAhg。與其它純相的MoS2納米結(jié)構(gòu)相比,制備的少層MoS2納米片無論在循環(huán)性能或是充放電比容量方面都有顯著提高。發(fā)展了連續(xù)離子層吸附法,以ZnO納米棒陣列為模板,將窄帶CdS和更窄帶層狀MoS2依次包覆在ZnO納米棒表面,得到一種比表萬方數(shù)據(jù)ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究面積增大的ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒

6、陣列。利用X射線衍射,掃描電子顯微鏡,透射電子顯微鏡和拉曼光譜對產(chǎn)物進行了表征。結(jié)果表明,產(chǎn)物是ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列,ZnO納米棒芯是單晶,CdS鞘也是單晶,MoS2鞘是多晶,且也是少層結(jié)構(gòu)(兩到三層)。CdS鞘和MoS2鞘依次均勻地包覆在垂直生長的ZnO納米棒上,且結(jié)合過程中未明顯影響內(nèi)芯ZnO的棒狀結(jié)構(gòu)。在異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS2界面接觸良好且晶格失配率低。此外,一維ZnO納米棒陣列的存在也抑制了MoS2在c軸方向上的堆積,使包覆在納米棒上的MoS2以

7、少層的形式存在。原位電輸運特性表明,和ZnO納米棒和ZnO/CdS異質(zhì)結(jié)納米棒相比,ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒則呈現(xiàn)出了更優(yōu)的電學特性。關鍵詞:水熱法,連續(xù)離子層吸附法,少層二硫化鉬,ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié),原位電性能,鋰電池萬方數(shù)據(jù)ZnO/CdS/MoS2異質(zhì)結(jié)納米棒陣列的制備及性能研究FABRICATIONANDPROPERTIESOFZnO/CdS/MoS2HETEROSTRUCTURENANORODARRAYSABSTRACTInrecentyears,thestudyofc

8、ore-sheathheterostructurenano-wires(rods)hasarousedalotofattentionfromscholarsathomeandabroad,especiallythatofwidebandgapcore/narrowbandgapsheathheterostructurenano-wires(rods).Theexcitedelectronsandholesenteredintothecoreandshea

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