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《zaocuzao透明導(dǎo)電薄膜的制備與特性研究》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號?????UDC??????．豐南大學(xué)密級?????編號?????．．CENTRALSOUTHUNIVERSITY碩士學(xué)位論文論文題目ZAO／Cu／ZAO透明導(dǎo)電薄膜●?????●???●???????????●???一的制備與特性研究???????●????????????????¨學(xué)科、專業(yè)?????。物理學(xué)??????研究生姓名?????．．楊廷撻??????導(dǎo)師及職務(wù)????．周繼承?教授????原創(chuàng)性聲明本人聲明，所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了論文中特別加
2、以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得中南大學(xué)或其他單位的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我共同工作的同志對本研究所作的貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明。作者簽名：扭型上區(qū)。日期：竺!蘭年』月上日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本人了解中南大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留學(xué)位論文并根據(jù)國家或湖南省有關(guān)部門規(guī)定送交學(xué)位論文，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)校可以公布學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以采用復(fù)印、縮印或其它手段保存學(xué)位論文。同時授權(quán)中國科學(xué)技術(shù)信息研究所將本學(xué)位論文收錄到《
3、中國學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫》，并通過網(wǎng)絡(luò)向社會公眾提供信息服務(wù)。摘要平面顯示技術(shù)與光電器件的飛速發(fā)展，對透明導(dǎo)電薄膜(TCO)提出了越來越高的要求。目前應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜當(dāng)屬In203：Sn(ITO)膜，ZnO：AI(ZAO)膜作為新一代透明導(dǎo)電薄膜的代表，已有取代ITO膜的趨勢。但半導(dǎo)體透明導(dǎo)電薄膜受制于其半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)制，已不能滿足人們與日俱增的要求，于是金屬夾層透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜應(yīng)運(yùn)而生。深入探索ZAO／Cu／ZAO多層膜的制備原理與工藝技術(shù)具有重要的意義。本文通過直流磁控濺射法，在普通玻璃襯底上制備了ZAo／Cu／
4、ZAO透明導(dǎo)電薄膜。用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、紫外．可見光分光光度計(jì)及四腳探針對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌與光電性能等進(jìn)行了表征。研究和分析了ZAO／C州ZA0多層膜中各膜層厚度、濺射溫度及退火溫度對于樣品顯微結(jié)構(gòu)及光電特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：Cu層厚度對于ZAO／Cu／ZAO多層膜的光電性能具有決定性的影響，Cu層最佳厚度為8nm。頂層ZAO膜比底層ZAO膜對該薄膜結(jié)構(gòu)的表面粗糙度及透過率影響更明顯，其厚度分別為50nm／8nm／50nm時，樣品的方塊電阻可低至10．10Q／口，可見光平均透過了達(dá)到85．78％，品
5、質(zhì)因數(shù)2．14×10之Q～。適當(dāng)提高濺射工藝溫度，可有效改善ZAO／C吡AO透明導(dǎo)電薄膜質(zhì)量。濺射溫度為100℃時，樣品的品質(zhì)因數(shù)為2．62×10乏f2～，此時可見光平均透過率為86．64％，電阻率為9．8×10’5Q·cm。當(dāng)濺射溫度高于150℃后，ZAO／C吡AO多層膜光電性能開始變差?？焖贌嵬嘶鹛幚砜墒箻悠烦霈F(xiàn)Cu(111)的衍射峰，并改善樣品的光電性能。當(dāng)退火溫度達(dá)到400℃時，多層膜的可見光平均透過率達(dá)到了88．33％，電阻率低至8．81×10巧Q·cm，品質(zhì)因數(shù)達(dá)到最大值3．54×10。2Q一。關(guān)鍵詞：磁控濺
6、射，ZAO／Cu／ZAO，透明導(dǎo)電薄膜，顯微結(jié)構(gòu)，光電特性中南大學(xué)碩士學(xué)位論文ABSTRACTTherequirementstotransparentconductivefilm(TCO)areever-increasing，withtherapiddevelopmentoftheflatpaneldisplaytechnologyandoptoelectronicdevices．CurrentlyIn20a：Sn(ITO)filmwasthemostwidelyusedtransparentconductivefilm
7、，ZnO：AI(ZAO)filmsasarepresentativeofthenewgenerationoftransparentconductivefilmshavethetrendofreplacingtheITOfilm．Nevertheless，semiconductortransparentconductivefilmislimitedbythesemiconductorconductivemechanismcannolongermeettheincreasingrequirementsofpeople．The
8、reupon，metalsandwichtransparentconductivecompositefilmarises．IthasimportantvaluetodeeplyinvestigatethepreparationprinciplesandprocesstechnologyofZAO／Cu／ZAOmult
