cui薄膜的制備和光電特性研究

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1、＼分類號；０４７２密級：公開－－－檔案號６０６０８０８０３０ＭＯ－：２０１Ｃ００５學(xué)１３１１０８４００號：６堯抑解義考ＳＵ之ＨＯＵ＊ＵＮＩＶ巨ＲＳＳＹＦＳ幻ＥＮＯＣＥＡｒｃＴＥＣＨＮＣＬＯＧｙ碩：ｂ學(xué)位論文（學(xué)術(shù)學(xué)位）論文題目：Ｃｕｌ薄膜的制備和光電特性研究學(xué)生姓名：王強(qiáng)指導(dǎo)教師姓名；馬錫英學(xué)科口類？：工學(xué)專業(yè)名稱：光學(xué)工程研究方向：光電材料與器件二〇—六年六月蘇州科技大學(xué)碩士學(xué)位論文CuI薄膜的制備和光電特性研究學(xué)生姓名：王強(qiáng)指導(dǎo)教師姓名：馬錫英專業(yè)名稱：光學(xué)工程

2、蘇州科技大學(xué)數(shù)理學(xué)院二○一六年六月MasterDissertationofSuzhouUniversityofScienceandTechnologyFabricationandinvestigationofthephotoelectricpropertiesofCuIfilmsMasterCandidate:WangQiangSupervisor:MaXiyingMajor:OpticalEngineeringSuzhouUniversityofScienceandTechnology+SchoolofMathematicsandPhysicsJun

3、e,2016學(xué)號：１３１１０８４００６學(xué)位論文答辯委員會名單￣￣姓名專業(yè)技術(shù)職務(wù)現(xiàn)從事專業(yè)工作單位、部ｎ簽名ＩＩＩ主席陳磊ｒａ光社程南京學(xué)＊誤富嗦磊高炬正高光學(xué)工極蘇州科技大學(xué)委徐國定山高光學(xué)Ｔ；稍蘇州科技乂學(xué)衡犯Ｉ潘濤山高１光學(xué)．；釉蘇州科技大黃員／，私皆－＾？：：，’王曉丹副高Ｉ光學(xué)；粘蘇州科技大學(xué)＇馬春蘭副高光學(xué)工程蘇州科技大學(xué)Ｊ著多換＾：＼ｒＩ．一。’４；叫綱熙／一－驚參Ｉ＇＂Ｖ－王強(qiáng)同學(xué)學(xué)位論文答辯成績８；＿千質(zhì)

4、量等級（分優(yōu)秀、良好、合格和不合格四等）。答辯委員會主席（簽名）：（單位公章）＾？＇年ｔ月義曰又１蘇州科技大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要摘要碘化亞銅（γ-CuI）作為I–VII族半導(dǎo)體，屬于p型寬帶隙高電導(dǎo)率的材料，具有閃鋅礦晶體類型、獨(dú)特的光電特性，是優(yōu)秀的空穴傳輸材料，在鈣鈦礦、聚合物、異質(zhì)結(jié)等太陽能電池領(lǐng)域中具有巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值，已成為專家學(xué)者研究的熱點(diǎn)。本文主要討論了連續(xù)提拉法、化學(xué)氣相沉積法制備CuI薄膜，并探討了基于CuI薄膜的異質(zhì)結(jié)的光電特性。本文首先利用連續(xù)提拉法，以碘化亞銅飽和溶液為前驅(qū)液，在ITO透明導(dǎo)電玻璃襯底上制備了Cu

5、I薄膜。通過金相顯微鏡、X-射線衍射儀、分光光度計(jì)、掃描電子顯微鏡、霍爾效應(yīng)儀等儀器討論了提拉次數(shù)（10次、20次、30次）對CuI薄膜光電特性的影響。發(fā)現(xiàn)連續(xù)提拉20次時(shí)，薄膜的光電特性最好，薄膜表面顆粒大小適中，分布較為均勻。另外，研究了銀摻雜對提拉法制備的CuI薄膜的光電特性的影響，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，摻銀并沒有改變薄膜的光電特性和晶體結(jié)構(gòu)，而是提高了薄膜的光電特性和結(jié)晶度，摻雜在薄膜生長過程中起到了催化作用。由于提拉法制備的薄膜結(jié)晶度較低，本文還利用化學(xué)氣相沉積法，以摻銀的碘化亞銅飽和溶液作為前驅(qū)溶液，氬氣為輸運(yùn)氣體，在硅（Si）和石英玻璃襯底上沉積生長

6、CuI薄膜，探究了反應(yīng)時(shí)間（20min、40min、60min）對CuI薄膜光電特性和表面形貌結(jié)構(gòu)的影響。發(fā)現(xiàn)隨著反應(yīng)時(shí)間的增加，薄膜的表面相貌越來越平整，越容易獲得大面積的薄膜樣品，光電特性也隨時(shí)間的增加有所提高。同時(shí)，本文還對比了化學(xué)氣相沉積法和連續(xù)提拉法制備的CuI薄膜及其光電特性。通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的表征，發(fā)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積法制備的CuI薄膜具有更好的光電特性。最后，本文利用化學(xué)氣相沉積法，以摻銀的硫化鉬和碘化亞銅飽和溶液作為前驅(qū)溶液，氬氣為輸運(yùn)氣體，在FTO導(dǎo)電玻璃襯底上制備了CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)。探討了CuI和MoS2薄膜的表面相貌、晶體結(jié)構(gòu)、光

7、吸收特性和電學(xué)特性。CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)的光吸收波段幾乎包括了整個(gè)近紫外、可見光、近紅外波段，有助于提高該異質(zhì)結(jié)的光電響應(yīng)及光伏特性。CuI/MoS2異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)出很好的整流特性,并在有光照的條件下具有良好的光電特性和光電響應(yīng)特性，說明該異質(zhì)結(jié)適于制備高效率的光電子器件。關(guān)鍵詞:碘化亞銅，提拉法，化學(xué)氣相沉積法，光電特性，異質(zhì)結(jié)蘇州科技大學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractAbstractCuprousiodide(γ-CuI),I-VIIsemiconductorwithbroadbandenergygap,highconductivityandzincb

8、lendestructure,isaexcellenthole-transportingmat