《LED產(chǎn)業(yè)鏈簡介》PPT課件

《《LED產(chǎn)業(yè)鏈簡介》PPT課件》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、LED產(chǎn)業(yè)鏈簡介LED產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)1：藍(lán)寶石襯底生產(chǎn)2：外延3：芯片制造(重點(diǎn)介紹內(nèi)容)4：芯片封裝5：LED應(yīng)用LED的本質(zhì)LED的本質(zhì)就是一個PN結(jié)，通過P區(qū)空穴和N區(qū)電子的復(fù)合而釋放光子，是由電能直接到光能的轉(zhuǎn)換，所以LED又被稱為冷光源，傳統(tǒng)的白熾燈是有電能加熱燈絲，及由電能到熱能，再由熱輻射出光，這也是LED發(fā)光效率高的根本原因。LED優(yōu)點(diǎn)︰●壽命長,理論上為10萬小時，一般大于5萬小萬。（是熒光燈的10倍）●光效高，耗電量小,僅為白熾燈的1/8,熒光燈的1/3）●體積小,重量輕,可封裝成各種類型●堅固耐用,不怕震動。環(huán)氧樹脂封裝，防水，耐惡劣環(huán)境使用●多色顯示,

2、利用RGB可實(shí)現(xiàn)七彩色顯示?！耥憫?yīng)時間快,一般為毫微秒(ns)級。380nm430nm490nm505nm515nm535nm585nm600nm630nm780nm紫色(Purple)藍(lán)色(Blue)藍(lán)綠色(BluishGreen)翠綠色(Green)純綠色(PureGreen)黃綠色(YellowGreen)黃色(Yellow)橙色(Orange)琥珀色(Amber)紅色(Red)●LED顏色區(qū)分目前我司生產(chǎn)的LED目前我司生產(chǎn)的LED主要以波長為440-460nm之間的藍(lán)光LED芯片2021/9/47外延生長芯片前工藝研磨、切割點(diǎn)測、分選檢測入庫工藝流程圖2021/

3、9/48外延生長2021/9/49外延生長：MO源及NH3由載氣傳輸?shù)椒磻?yīng)室，以質(zhì)量流量計控制氣體流量，反應(yīng)物進(jìn)入反應(yīng)室后經(jīng)載氣傳輸?shù)揭r底表面反應(yīng)形成外延薄膜。主要設(shè)備有MOCVD.2021/9/410藍(lán)寶石襯底GaN緩沖層N型GaN:Si發(fā)光層（InGaN/GaN）P型GaN：Mg外延生長示意圖450um5um平面（鏡面），PSS和粗化片的概念與區(qū)別平面片為最早的晶片，指的是藍(lán)寶石襯底是平的；而PSS指的是圖形化襯底，藍(lán)寶石襯底不是平整的，而是做成重復(fù)的山包形狀。而粗化指的是外延襯底生長完成后在P層表面是否進(jìn)行粗化處理。所以理論上存在4中類型晶片：1：鏡面非粗化片（完全

4、鏡面）2：鏡面粗化片3：PSS的非粗化片4：PSS粗化片PSS圖片PSS俯視圖PSS立體圖2021/9/413芯片制造芯片制造工藝流程圖去銦球清洗（外延快測后沒有清洗銦球會導(dǎo)致粘片破片）去銦球清洗采用ITO（氧化銦錫）腐蝕液，33℃水浴下30min左右。外延片清洗外延片清洗采用H2SO4：H2O2：H2O=5：1：1，60℃水浴，30secP-Mesa光罩作業(yè)陰影部分為鉻，紫外光無法透過，被光照區(qū)域光刻膠被顯影液除去，留下刻蝕區(qū)域。N-ITO蝕刻前預(yù)處理利用氧氣加射頻將ITO欲蝕刻區(qū)域轟擊干凈，防止留有殘膠，影響蝕刻效果。ITO蝕刻（不去光阻）將欲刻蝕區(qū)域采用ITO腐蝕液

5、，水浴33℃，腐蝕10minP-mesa刻蝕利用ICP刻蝕機(jī)，主要?dú)怏w為CL2和BCL3,主要作用離子為氯離子，現(xiàn)刻蝕深度帶ITO測量為12000?左右。去光阻去光阻后片上圖形，紫紅色區(qū)域?yàn)镮TO。ITO光罩作業(yè)將所需P區(qū)圖形留出，待下一步去除P區(qū)ITO。P-ITO蝕刻前預(yù)處理原理同N-ITO蝕刻前預(yù)處理ITO蝕刻將欲刻蝕區(qū)域采用ITO腐蝕液，水浴33℃，腐蝕7min去光阻N區(qū)P區(qū)均顯露出來，為下步蒸鍍電極做準(zhǔn)備ITO熔合熔合目的：主要使ITO材料更加密實(shí)，透光率增加，降低電壓，使ITO層與GaN襯底形成良好的歐姆接觸。熔合條件：溫度：500℃，10minN/P電極光罩作

6、業(yè)采用負(fù)性膠，未光照區(qū)域光刻膠被顯影液去掉，留下電極蒸鍍區(qū)域。P、N光刻N(yùn)-GaNMQWP-GaNAl2O3ITOITOAl2O3PRPRN-GaNMQWP-GaNITOITO鍍NPPRPRN-GaNAl2O3MQWP-GaNITOITOAuPtCrNP電極形成膠厚：6.5um（AZ4620）N/P電極蒸鍍&金屬剝離采用蒸鍍機(jī)，電極分三層：Cr﹨Pt﹨Au,厚度分別為：200?﹨300?﹨12000?金屬熔合熔合目的：增強(qiáng)歐姆接觸，提高穩(wěn)定性熔合條件：溫度：250℃，5minSiO2沉積采用設(shè)備：PECVD主要?dú)怏w：SiH4/N2OSiO2作用：保護(hù)芯片，增加亮度開雙孔光

7、罩作業(yè)將N/P電極區(qū)域的SiO2露出，以便下步蝕刻SiO2蝕刻將電極上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蝕35sec,露出電極。去光阻左圖綠色陰影區(qū)域?yàn)镾iO2，黃色陰影區(qū)域?yàn)榻饘匐姌O。2021/9/434單顆晶粒前工藝后成品圖2021/9/435點(diǎn)亮后點(diǎn)亮后點(diǎn)亮后點(diǎn)亮后ITO蒸鍍機(jī)Temperature：200℃O2：8.52021/9/4湘能華磊光電股份有限公司37ICP曝光機(jī)2021/9/438PECVD蒸鍍機(jī)2021/9/439芯片分離（切割裂片）研切的目的將一整片上的LED分開，形成一粒粒的芯片。并且在此過程