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《射頻磁控濺射法制備AlN薄膜及其特性研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、國內圖書分類號：0484工學碩士學位論文射頻磁控濺射法制備A1N薄膜及其特性研究碩士研究生：導師：寸y?：申請學位級別：學科、專業(yè)：所在單位：答辯日期：授予學位單位：姜思達桂太龍教授工學碩士微電子學與固體電子學應用科學學院2013年3月哈爾濱理工大學工學碩士學位論文射頻磁控濺射法制備AlN薄膜及其特性研究姜思達哈爾濱理工大學ClassifiedIndex：0484DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringTheAⅨThinFilmsPreparedbyRFM
2、agnetronSputteringandtheStudyofCandidate：Supervisor：PropertiesAcademicDegreeAppliedfor：Specialty：DateofOralExamination：University：JiangSidaProf．．GuiTailongMasterofEngineeringMicroelectronicsandSoildElectronicsMarch，2013HarbinUniversityof'ScienceandTechn
3、ology哈爾濱理工大學碩士學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：此處所提交的碩士學位論文《射頻磁控濺射法制備AIN薄膜及其特性研究》，是本人在導師指導下，在哈爾濱理工大學攻讀碩士學位期間獨立進行研究工作所取得的成果。據本人所知，論文中除已注明部分外不包含他人已發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文研究工作做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式注明。本聲明的法律結果將完全由本人承擔。少，1，、作者簽名：勿島之冬日期：2班年了月上莎日哈爾濱理工大學碩士學位論文使用授權書《射頻磁控濺射法制備AIN薄膜及其特性研究》
4、系本人在哈爾濱理工大學攻讀碩士學位期間在導師指導下完成的碩士學位論文。本論文的研究成果歸哈爾濱理工大學所有，本論文的研究內容不得以其它單位的名義發(fā)表。本人完全了解哈爾濱理工大學關于保存、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向有關部門提交論文和電子版本，允許論文被查閱和借閱。本人授權哈爾濱理工大學可以采用影日j、縮印或其他復制手段保存論文，可以公布論文的全部或部分內容。本學位論文屬于保密口，在年解密后適用授權書。不保密團。(請在以上相應方框內打√)作者簽名：批。日期：耶年j月爻礦日剔磴氆棲航嗍．zo”引肌
5、陽哈爾濱理工大學工學碩士學位論文射頻磁控濺射法制備A1N薄膜及其特性研究摘要氮化鋁薄膜具備其它ⅡI．V族金屬化合物薄膜所不具備的很多優(yōu)良性能。AlN薄膜在發(fā)光器件與敏感器件，高功率與高溫電子器件、納米技術、微電子技術、聲學技術、多層膜復合材料等領域都有很廣泛地應用。所以制備出高質量的氮化鋁薄膜并研究其特性具有很重要現實意義。本文在國產OLED多功能多元鍍膜系統中采用射頻磁控濺射法，經過這一系列的實驗得出了射頻磁控濺射法制各AlN薄膜的最佳工藝。選取純度為99．99％的氮化鋁靶材，直接轟擊AIN靶材制備
6、薄膜，通過多次改變工作氣體總壓強和濺射功率等濺射沉積參數在普通Si基底上沉積AlN薄膜。最終在工作氣體總壓強為1．0Pa，基底溫度為200℃，濺射功率為230W的工藝條件下制備出具有優(yōu)良擇優(yōu)取向的AIN薄膜。將制備的高質量薄膜樣品分別在600℃、800℃、1000℃的條件下退火處理30min，并使用D／max-rB型X射線衍射儀對600℃、800℃、1000℃退火前后的AIN薄膜進行測試分析。結果表明氮化鋁有擇優(yōu)生長的徑向，經過800℃退火處理后薄膜的顆粒有所增大，結晶性更好。用NanoscopeII
7、l型原子力顯微鏡分別對600℃和800℃退火前后的AlN薄膜表面進行掃描，結果表明600℃退火后薄膜表面沒有明顯變化，氮化鋁晶粒尺寸比較小；800℃退火后薄膜表面相對平整，晶粒尺寸也相對變大，晶粒重新結晶，薄膜結晶度更好。用德國SENTECHSe400激光橢偏儀測量退火前后薄膜樣品的折射率，經過退火處理后，薄膜的折射率從退火前的2．115增大到2．365。使用Quanta200型掃描電子顯微鏡對薄膜樣品進行成分分析，從能譜圖中得出樣品中N元素和Al元素比例接近1：l。關鍵詞射頻磁控濺射鍍膜：氮化鋁薄膜
8、；直接轟擊；折射率哈爾濱理工大學工學碩士學位論文TheAlNThinFilmsPreparedbyRFMagnetronSputteringandStudyofPropertiesAbstractAINthinfilmshPvealotofgoodperformanceothermetaloxidefilmsofIII·VBfamilydoesn'thave．AINthinlight-emittingdeviceswithsensitivedevices
