晶斷棱的原因及采取的措施

晶斷棱的原因及采取的措施

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1、斷棱的原因及采取的措施斷棱的原因及采取的措施斷棱的原因:A:極限真空、漏氣率達(dá)不到要求B:設(shè)備故障C:縮頸位錯(cuò)排除不干凈D:吃渣E:操作不當(dāng)F:熱場(chǎng)梯度不合適極限真空、漏氣率達(dá)不到要求原因:1.存在僥幸心理。采取措施:嚴(yán)格執(zhí)行工藝條件2.密封清理不干凈采取措施:重新清理密封3.泵油沒及時(shí)更換;過濾網(wǎng)沒有清掃采取措施:更換泵油4.其它原因,請(qǐng)維修部檢修設(shè)備故障機(jī)械故障液面震動(dòng);堝升不合適等。電器故障拉速不穩(wěn);晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)不穩(wěn);歐陸有自動(dòng)升降溫現(xiàn)象等。采取措施:找維修人員維修縮頸位錯(cuò)排除不干凈引晶的目的:引入一定向晶核,對(duì)于我公司的產(chǎn)品型號(hào)是P型,晶向是<100>縮

2、頸的目的:引出的單晶存在著大量的位錯(cuò),通過縮細(xì)頸可有效地排除位錯(cuò),保證無位錯(cuò)單晶的生長(zhǎng)。如何引晶、縮細(xì)頸引晶1.保證籽晶無氧化、表面干凈2.熔硅時(shí)使籽晶遠(yuǎn)離高溫區(qū),避免籽晶污染和新的位錯(cuò)產(chǎn)生。3.多晶硅熔完后,籽晶下降到離液面10—20毫米,烘5—10分鐘,使籽晶溫度接近熔硅溫度。4.調(diào)整液面溫度,待溫度合適時(shí),籽晶點(diǎn)入熔體5毫米左右,停留穩(wěn)定至少10分鐘,讓其充分熔接。如何引晶、縮細(xì)頸縮細(xì)頸待溫度合適時(shí),逐漸上提拉速引出一段晶體,確認(rèn)是要求的晶向,并且是單晶開始縮頸。縮頸的要求:1.拉速2.5—4.0毫米/分最好2.細(xì)頸的直徑2.5—4.5毫米3.細(xì)頸的長(zhǎng)度

3、100毫米以上4.縮頸時(shí)位錯(cuò)排除不徹底,放肩時(shí)到轉(zhuǎn)肩200毫米時(shí)會(huì)斷棱,因?yàn)槲诲e(cuò)會(huì)擴(kuò)張長(zhǎng)大。5.熔硅溫度的起伏和縮頸速率的起伏,均會(huì)產(chǎn)生新的位錯(cuò)吃渣當(dāng)晶體在生長(zhǎng)過程中遇到外來的渣點(diǎn)原來生長(zhǎng)的單晶的晶格將被破壞,使原來的單晶變?yōu)槎嗑?,?duì)于<100>晶向即所謂的斷棱。渣點(diǎn)的來源1.原料內(nèi)存在的石英、石墨及多晶料殘留的水痕、酸痕。2.爐室清掃的不干凈,殘留的渣點(diǎn)落入液面造成斷棱。3.導(dǎo)流筒內(nèi)外表面清掃的不干凈,殘留的渣點(diǎn)落入液面造成斷棱。4.氬氣不純、漏氣、漏水生成的SiO5.抽氣速率低生成的揮發(fā)物排除的不及時(shí)。避免吃渣采取的措施1.裝料時(shí)要認(rèn)真檢查原料是否有石英、

4、石墨,盡量避免熔硅時(shí)的搭橋、掛邊,檢查原料是否清洗干凈。2.爐室及導(dǎo)流筒的內(nèi)、外表面必須清掃干凈,必要時(shí)要用沙紙把表面過多的揮發(fā)物要進(jìn)行清理。3.嚴(yán)格按操作工藝要求操作,認(rèn)真檢查爐臺(tái)各部分的密封,并按工藝要求進(jìn)行清理。4.對(duì)于抽氣率、漏氣率要嚴(yán)格按工藝要求執(zhí)行。5.認(rèn)真觀察拉晶過程中爐內(nèi)的運(yùn)行情況,并做好記錄,存在的問題要及時(shí)處理。6.必要時(shí)要掉出一部分料沾出一些渣點(diǎn),高溫?fù)]發(fā)一段時(shí)間操作不當(dāng)1.引晶、縮頸位錯(cuò)排除的不徹底2.放肩速度不合適,溫度、拉速控制不當(dāng)3.轉(zhuǎn)肩沒有掌握要領(lǐng)4.裝爐檢查不仔細(xì),造成坩堝擺動(dòng),液面晃動(dòng)5.熔硅不當(dāng),造成濺硅、掛邊,坩堝變形6

5、.翻板閥使用不當(dāng),造成返氣(強(qiáng)調(diào)翻板閥使用方法)

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