資源描述：
《硅集成電路工藝——離子注入IonImplanta》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、Chap.4離子注入（IonImplantation）離子注入摻雜的優(yōu)、缺點1兩種碰撞（阻止）模型2注入離子的分布（溝道效應）3注入損傷及其消除（熱退火）45離子注入系統(tǒng)天津工業(yè)大學離子注入的優(yōu)點:摻雜純度高，污染?。粨诫s的均勻性和重復性好；工作溫度低，工藝靈活性大；摻雜深度和摻雜濃度可精確獨立地控制；最大摻雜濃度不受固溶度限制；低溫工藝避免高溫引起的熱缺陷；離子注入直進性，橫向效應??；掩蔽膜作為保護膜，污染?。贿m合化合物摻雜；可發(fā)展成無掩膜的離子束技術(shù)。天津工業(yè)大學Self-alignment（自對準摻雜）天津工業(yè)大學離子注入的
2、缺點：入射離子對襯底有損傷；很淺和很深的結(jié)難于制得；高劑量注入產(chǎn)率受限制；設(shè)備昂貴。天津工業(yè)大學§4.1離子注入機理核碰撞（核阻止）和晶格原子的原子核發(fā)生碰撞發(fā)生明顯的散射造成大量晶格損傷Sn(E)=(dE/dx)n電子碰撞（電子阻止）和晶格原子的電子發(fā)生碰撞注入離子的路徑基本不發(fā)生變化能量轉(zhuǎn)移很小造成的晶格損傷很小Se(E)=(dE/dx)eLSS理論：S=Sn+Se天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學核阻止本領(lǐng)和電子阻止本領(lǐng)曲線能量較低，質(zhì)量較大的離子，主要是通過核阻止損失能量能量較高，質(zhì)量較小的離子，主要是通過電子阻止損失能量天津工業(yè)大
3、學§4.2注入離子在無定形靶中的分布射程、投影射程、平均投影射程天津工業(yè)大學常見雜質(zhì)在硅中的平均射程天津工業(yè)大學溝道效應（ChannelingEffect）天津工業(yè)大學溝道效應的概念（見書）溝道效應的消除方法：使晶體的主軸方向偏離注入方向（7度左右，陰影現(xiàn)象）在晶體表面覆蓋介質(zhì)膜，散射后改變注入離子的方向表面預非晶化（注入鍺）天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學§4.3離子注入系統(tǒng)天津工業(yè)大學離子注入系統(tǒng)：離子源（離子發(fā)生器，分析器）加速及聚焦系統(tǒng)（先分析后加速，先加速后分析，前后加速，中間分析）終端臺（掃描器，偏束板，靶室）天津
4、工業(yè)大學天津工業(yè)大學磁分析器原理帶電離子在磁場中運動：洛倫茲力=向心力BF3B,B+,BF2+,F-….天津工業(yè)大學加速和聚焦系統(tǒng)利用各種電極可以很方便地對離子束進行加速和聚焦：先加速，后分析：避免離子在到達硅片之前丟失電荷，但需要大磁場；先分析，后加速：分析器較小，但加速過程中電荷交換影響束流強度和純度；前后加速，中間分析：調(diào)節(jié)方便，范圍寬天津工業(yè)大學終端臺1.掃描器靶靜止，離子束X,Y向運動靶X向移動，離子束Y向移動離子束靜止，靶X,Y向移動.天津工業(yè)大學2.偏束板離子束在運動過程中可以和熱電子發(fā)生電荷交換，形成中性粒子，影響
5、注入均勻性加入靜電偏轉(zhuǎn)電極，一般5度左右，中性束不能偏轉(zhuǎn)而去除天津工業(yè)大學離子束中和系統(tǒng)天津工業(yè)大學3.靶室（工作室）樣品架法拉第杯（控制注入劑量）天津工業(yè)大學§4.4注入損傷級聯(lián)碰撞：不同能量的注入離子與靶原子發(fā)生碰撞的情況：E2Ed，被撞原子本身移位之后，還有足夠高的能量于其他原子發(fā)生碰撞使其移位，這種不斷碰撞的現(xiàn)象稱為“級聯(lián)碰撞”。天津工業(yè)大學一個離子的級聯(lián)碰撞引起的晶格損傷：天津工業(yè)大學注入損傷的形式產(chǎn)生孤立的點缺陷或缺陷群（E
6、=Ed)形成非晶區(qū)域（移位原子數(shù)接近原子密度，低劑量重離子）大劑量的注入?yún)^(qū)甚至會形成非晶層天津工業(yè)大學§4.5熱退火ThermalAnnealing晶格損傷的危害：增加散射中心，使載流子遷移率下降增加缺陷中心，使非平衡少數(shù)載流子壽命減少，pn結(jié)漏電流增大注入離子大多處于間隙位置，起不到施主或者受主的作用，晶格損傷造成的破壞使之更難處于替位位置，非晶區(qū)的形成更使得注入的雜質(zhì)根本起不到作用。天津工業(yè)大學熱退火的定義和目的定義：將注入離子的硅片在一定溫度和氛圍下，進行適當時間的熱處理的過程。目的：減少或消除硅片中的晶格損傷，恢復其少子壽
7、命和遷移率；使摻入的雜質(zhì)進入晶格位置，實現(xiàn)一定比例的電激活天津工業(yè)大學熱退火過程（固相外延）天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學快速退火RapidThermalAnnealing(RTA)普通熱退火需要經(jīng)過長時間的高溫過程，會導致明顯的雜質(zhì)再分布，還可能造成硅片翹曲變形快速退火的目的：降低退火溫度或縮短退火時間快速退火手段：脈沖激光；脈沖電子束；掃描電子束等天津工業(yè)大學小結(jié)離子注入相比于擴散的優(yōu)缺點兩種碰撞（阻止）模型及其適用情況注入離子的分布；射程和投影射程的概念；溝道效應的原因及解決方法離子注入系統(tǒng)的主
8、要構(gòu)件及其基本原理注入損傷的形成及影響，級聯(lián)碰撞熱退火的定義及作用，熱退火的機理快速熱退火的優(yōu)勢天津工業(yè)大學天津工業(yè)大學
