《LED芯片工藝》PPT課件

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1、藍(lán)光LED芯片工藝外延片清洗有機(jī)物金屬離子MQWP-GaNAL2O3N-GaNMQWP-GaNAl2O3N-GaN蒸鍍ITOITO為透明電極，可以起到一個(gè)增加電流擴(kuò)展和提高出光效率的作用。Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaN蒸鍍ITO光刻ITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO膠Al2O3N-GaNMQWP-GaNITO膠Al2O3N-GaNMQWP-GaNITO膠甩膠曝光顯影光刻一般是分為三步：1.甩膠，膠是用來做光刻的掩膜，分為正膠和負(fù)膠2.曝光,膠是一種光的敏感材料，見光反應(yīng)

2、，如果是正膠見光后，見光部分則容易被顯影液去掉，如果是負(fù)膠見光后，則沒有見光的部分容易被顯影液去掉3.顯影，通過顯影液去掉經(jīng)過曝光的正膠或沒有曝光的負(fù)膠ITO腐蝕Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO腐蝕ITO去膠腐蝕分別濕法腐蝕和干法刻蝕兩種濕法腐蝕：通過液體化學(xué)藥品與要去掉的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氣體或溶于液體的物質(zhì)而去掉。這種方法有各向同性的性質(zhì)，會(huì)容易產(chǎn)生鉆蝕現(xiàn)象。干法刻蝕：通過氣體原子和離子轟擊及輔助相應(yīng)的氣體化學(xué)反應(yīng)，而去掉需要去掉

3、的層。這種方法的優(yōu)點(diǎn)就是它的各向異性特點(diǎn)，但是由于其能量極大，如果用膠保護(hù)容易把膠打焦從而導(dǎo)致后續(xù)去膠困難。濕法腐蝕去ITO光刻N(yùn)電極Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITO甩膠曝光顯影ICP刻蝕N電極Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOICP刻蝕GaN去膠由于GaN的化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，用一般的化學(xué)藥品很難腐蝕動(dòng)，即

4、使能腐蝕，速率也是特別的慢，所以要去掉GaN一般用干法刻蝕PECVD沉積SiO2SiO2為鈍化膜，起到防靜電，保護(hù)發(fā)光管的作用。P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOP-GaNN-GaNMQWP-GaNITO沉積SiO2鈍化膜光刻電極Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOSiO2P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOSiO2Al2O3P-GaNMQWP-GaNITOSiO2P-GaNN-GaNMQWP-GaNITOSiO2甩膠曝光顯影腐蝕SiO2Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOSiO2Al2O3N-GaNMQ

5、WP-GaNITOSiO2腐蝕蒸鍍金屬電極及剝離Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAl2O3N-GaNMQWP-GaNITOAu電極Al2O3N-GaNMQWP-GaNITOAu電極蒸鍍金屬電極金屬剝離