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1、氮化鎵(GaN)基LED芯片工藝介紹四元(AlGaInP)氮化鎵(GaN)Sapphiren-GaNp-GaNAuSapphiren-GaNp-GaNTCLorITOSiO2Pad(CrPtAu)p-GaPp-AlGaInPn-AlGaInPn-GaAsp-GaPp-AlGaInPn-AlGaInPn-GaAsP-Pad背金芯片前端制程表面處理——強(qiáng)酸清洗臺(tái)、甩干機(jī)光刻(Photolithography)——曝光機(jī)、勻膠機(jī)、烘箱、高倍顯微鏡，顯影清洗臺(tái)，臺(tái)階儀蝕刻(Etching)濕式蝕刻(WetEtching)——強(qiáng)酸清洗臺(tái)干式蝕刻(DryEtching)——ICP蒸鍍(E
2、vaporation)——電子束真空鍍膜機(jī)金屬剝離(Lift-off)退火（合金）（Alloy）——退火爐二氧化硅沉積——PECVD芯片前端制程工藝表面處理液體清洗——抗強(qiáng)酸清洗臺(tái)，甩干機(jī)H2SO4(98%)和H2O2(30%)不同比率混合，用于去除有機(jī)污染物和剝離阻SC-2(StandardClean2)：HCl(73%),H2O2(30%),去用于去除金屬污染物Plasma——ICP（干法清洗）調(diào)整ICP刻蝕氣體組分，可去除少量芯片上殘留光阻劑及有機(jī)污染物光刻(Photolithography)光刻膠(Photoresist)：一種具有感光成像功能的制程材料,主要含有高分
3、子樹(shù)脂、感光化合物、溶劑等;正光阻：光阻的一種，這種光阻的特性是將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)會(huì)改變，并在之后的顯影過(guò)程中被曝光的部分被去除。負(fù)光阻：光阻的一種類型，將其曝光之后，感光部分的性質(zhì)被改變，但是這種光阻的特性與正光阻的特性剛好相反，其感光部分在將來(lái)的顯影過(guò)程中會(huì)被留下，而沒(méi)有被感光的部分則被顯影過(guò)程去除。光罩(Mask)：一石英玻璃，上面會(huì)鍍上一層影像。(e.g.TCL,p-pad,n-pad)其原理和拍照一樣。光刻(Photolithography)光刻工藝流程：預(yù)烘烤——加熱板上光阻劑（勻膠）——?jiǎng)蚰z機(jī)軟烘烤——烘箱曝光——曝光機(jī)（光刻機(jī)）顯影——去光阻顯影臺(tái)顯
4、影檢查——高倍顯微鏡硬烘（堅(jiān)膜）——烘箱厚度測(cè)試——臺(tái)階儀勻膠曝光蝕刻(Etching)干式蝕刻原理：蝕刻(Etching)濕式蝕刻與干式蝕刻的對(duì)比：蝕刻前濕式蝕刻后干式蝕刻后蒸鍍(Evaporation)電子束蒸鍍法是利用電子槍所射出的電子束轟擊待鍍材料，將高能電子射束的動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熔化待鍍材料的熱能，使其局部熔化。因在高真空下（4×10-6torr）金屬源的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)接近，容易使其蒸發(fā)，而產(chǎn)生的金屬蒸氣流遇到晶片時(shí)即沉積在上面。蒸鍍?cè)?SiO2、Cr、Pt、Au、Ni、ITO、Ti、Al等，主要應(yīng)用于蒸鍍LED芯片正負(fù)電極及其透明導(dǎo)電層。蒸鍍(Evaporation)蒸鍍?cè)?/p>
5、理金屬剝離(Lift-off)光阻與化學(xué)剝離液反應(yīng),使之更易用膜剝離在光刻膠上鍍上金屬,由于在光刻膠上的金屬的附著力較弱,因此很容易用bluetape把金屬粘走。二氧化硅沉積PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)--等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積機(jī)理：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。優(yōu)點(diǎn)：基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂。缺點(diǎn)如下：1.設(shè)備投資大、成本高，對(duì)氣體的純度要求高；2.涂層過(guò)程中產(chǎn)生的劇烈噪音、強(qiáng)光輻射
6、、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對(duì)人體有害；3.對(duì)小孔孔徑內(nèi)表面難以涂層等。后端制程研磨拋光切割崩裂點(diǎn)測(cè)分選激光切割痕跡芯片制程簡(jiǎn)介前端制程Mesa光刻ICP蝕刻蒸鍍ITOTCL光刻PECVDSiO2光刻SiO2蝕刻品質(zhì)抽檢大圓片品檢入庫(kù)芯片前端制程Sapphiren-GaNp-GaN（2）PRphotolithographySapphiren-GaNp-GaN（3）MesaEtching(ICPorRIE)（1）PRCoatSapphiren-GaNp-GaN芯片前端制程（4）PRStripping（5）ITODep.&photolithography芯片前端制程（6）ITOEt
7、ch（7）PRStrip&alloy（8）P—Npadphotolithography（9）MentalDeposition芯片前端制程（10）MentalLift-off（11）SiO2Deposition&Photolithography芯片前端制程（13）PRStrip（12）SiO2Etch芯片前端制程（14）研磨拋光（15）激光切割Sapphiren-GaNp-GaNLaserCutterBlueTapeBlueTapeSapphiren-GaNp-GaNSteelCutter（16）崩裂Sa
