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《LED芯片制程工藝培訓(xùn)分析ppt課件.ppt》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、藍寶石工藝制程培訓(xùn)資料27七月2021LED：LightEmittingDiode的簡稱，即發(fā)光二極管，是一種將電轉(zhuǎn)化為可見光的物質(zhì)，其核心是PN結(jié)，當P區(qū)的空穴和N區(qū)的電子復(fù)合，將多余的電勢能以輻射光子的形式釋放出來。LED芯片分二元，三元，四元芯片的主要是看：所用的材料里含幾種元素 兩個元素，稱二元片（GaP磷化鎵）,三個元素稱三元片（GaAlAs鎵鋁砷），四個元素稱四元片（InGaAsP磷化鋁銦鎵），現(xiàn)目前LED主要使用四元片半導(dǎo)體介紹：P型空穴N型電子PN結(jié)厚度約為10-7mE=通電后，電子、空穴復(fù)合發(fā)光λ跟材料有關(guān)系能帶工程，大
2、原子結(jié)合能帶小如InSn、GaP、GaAs小原子結(jié)合能帶大如GaN、AlGaN+一載流子PN++++一一一一hγ=h——c供體硅光發(fā)射的電子躍遷27七月2021藍寶石產(chǎn)品介紹27七月2021PSS藍寶石襯底圖片27七月2021主要產(chǎn)品圖像展示7*910*2312*13圖片解析1、尺寸大小不同2、圖形不同光刻版的選擇光刻版的選擇1023多一層互補SIO227七月2021芯片結(jié)構(gòu)N電極P電極溝槽ITO銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜擴流層上：SIO2下：N-GaNP-GaNSIO2圈ITO圈互補SIO2層SI02氧化硅SIO2ITO銦錫氧化物ITO
3、GaN緩沖層MQW量子阱AlGaNP-GaNn-GaNn-GaNSI02SI02互補SIO2層俯視圖一俯視圖二切面圖三27七月20217*9制程工藝流程外延片清洗去膠、清洗去膠、清洗SiO2沉積下游封裝外延片清洗ITO蒸鍍ITO光刻（甩膠、曝光、顯影）ITO腐蝕ITO合金N光刻（甩膠、曝光、顯影）ICP刻蝕SiO2腐蝕P/N電極蒸鍍金屬剝離COW測試研磨（減薄、拋光）劃片、裂片點測中游成品SiO2光刻（甩膠、曝光、顯影）手選27七月2021藍寶石基板Al2O3(430um)公司采用的外延襯底片分2種：平面襯底、PSS襯底外延片的區(qū)別方式：
4、平面外延片目測比較透，PSS目測顏色偏深 平面外延片鏡檢下無圖形，PSS于500倍下有圖形 平面外延片號后綴-BF，PSS的后綴-PF1、外延片的認識PSS外延片500倍正常表面平面外延片500倍正常表面藍寶石目測體27七月20211、外延片清洗Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNMQW-發(fā)光層AlGaN應(yīng)力釋反晶格層（防止高溫應(yīng)力損壞）P-GaNGaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaN設(shè)備：清洗機臺甩干機超聲器工藝：丙酮超聲5min，無水乙醇超聲2min，沖DI水，BOE泡5min，沖水甩干目的：雜質(zhì)會影響光刻及鍍
5、膜等工藝的質(zhì)量，導(dǎo)致顯影不良或接觸不牢。27七月20212、ITO蒸鍍Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO銦錫氧化物InGaNMQWp-GaN(Mg)0.3?mp-AlGaN(Mg)0.02-0.15?mGaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO設(shè)備：富臨蒸發(fā)臺工藝：真空度：3.0e-6Torr，溫度310℃，005程序，蒸鍍時每個行星盤搭蒸1片BK7測試參數(shù)：BK7玻璃T%＞90%，方塊RS＜10歐姆27七月20213、ITO光刻-甩膠Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNM
6、QWAlGaNP-GaNITOInGaNMQWp-GaN(Mg)0.3?mp-AlGaN(Mg)0.02-0.15?mGaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaN光刻膠設(shè)備：甩膠機烘箱工藝：手動甩膠：正膠、前烘100℃20min自動甩膠：粘膠劑、正膠、前烘100℃20min注意項：1、光刻需注意甩膠時外延片與甩膠頭之間不能偏移太多，否則會導(dǎo)致光刻膠甩不均勻，直接影響曝光顯影；2、前烘溫度時間一定要控制好，不能變化，否則會導(dǎo)致光刻膠太軟或太硬，影響曝光顯影；3、對版容易出現(xiàn)失誤，導(dǎo)致對偏、破膠、顯影不干凈等不良現(xiàn)象，所以對版后需要進行仔
7、細檢驗;4、顯影液溫度和更換頻率也會影響顯影，故亦需進行監(jiān)控……光刻膠ITO27七月20213.2ITO光刻-曝光Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaNITOGaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaN光刻膠ITO光刻膠光刻膠（感光膠體）設(shè)備：尼康曝光機25s、ABM曝光機15s工藝：手動曝光：光刻版：LP-0709A-2E自動曝光：光刻版：LP-LBS-0709C-2A-1010，堅膜110℃10min27七月20213.3ITO光刻-顯影Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNMQWAlGa
8、NP-GaNITOGaN緩沖層n-GaNMQWAlGaNP-GaN工藝：90s，每次只顯25片ITO光刻膠光刻膠27七月20214、ITO腐蝕Al2O3(430um)GaN緩沖層n-GaNMQ
