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《NOR,SRAM,SDRAM,NAND結(jié)構(gòu)和容量計算》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、標(biāo)準(zhǔn)文案NORflash，NANDflash，SDRAM結(jié)構(gòu)和容量分析1.NORflash結(jié)構(gòu)和容量分析例如：HY29LV160。引腳分別如圖：HY29LV160有20根地址線，16位的數(shù)據(jù)線。所以：容量=220(地址線)X16(數(shù)據(jù)位數(shù))bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM簡單介紹SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。大全標(biāo)準(zhǔn)文案 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時間，要
2、刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。SRAM一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU
3、內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設(shè)計在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部，故PentiumPro的體積較大。最新的PentiumII又把L2Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。 現(xiàn)將它的特點歸
4、納如下： ◎優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！ 蛉秉c，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率?！ 騍RAM使用的系統(tǒng)： ○CPU與主存之間的高速緩存?！ 餋PU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存?！ 〈笕珮?biāo)準(zhǔn)文案○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存?！ 餋MOS146818芯片（RT＆CMOSSRAM）。主要用途：SRAM主要用于二級高速緩存(Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的
5、內(nèi)存小?！ RAMSRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,異步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等?！ 』镜腟RAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分:存儲單元陣列(corecellsarray)，行/列地址譯碼器(decode)，靈敏放大器(Se
6、nseAmplifier)，控制電路(controlcircuit)，緩沖/驅(qū)動電路(FFIO)。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。1.SDRAM結(jié)構(gòu)和容量分析大全標(biāo)準(zhǔn)文案lSDRAM基礎(chǔ)知識SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory,同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指Memory工作需要步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)。動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失。隨機(jī)是指
7、數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。SDRSDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內(nèi)存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。之后的第二，三，四代DDR（Doubl
8、eDataRate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，
