NOR ,SRAM,SDRAM,NAND結構和容量計算

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1、NORflash，NANDflash，SDRAM結構和容量分析1.NORflash結構和容量分析例如：HY29LV160。引腳分別如圖：HY29LV160有20根地址線，16位的數(shù)據(jù)線。所以：容量=220(地址線)X16(數(shù)據(jù)位數(shù))bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM簡單介紹SRAM是英文StaticRAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。　SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemor

2、y)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。SRAM一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的12

3、8字節(jié)SRAM，存儲我們所設置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是內建在CPU的內部，L2Cache是設計在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同時設計在CPU的內部，故PentiumPro的體積較大。最新的PentiumII又把L2Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新的

4、操作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。　現(xiàn)將它的特點歸納如下：　　◎優(yōu)點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。　　◎缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關鍵性系統(tǒng)以提高效率?！　　騍RAM使用的系統(tǒng)：　　○CPU與主存之間的高速緩存?！　　餋PU內部的L1／L2或外部的L2高速緩存?！　　餋PU外部擴充用的COAST高速緩存?！　　餋MOS146818芯片（RT＆CMOSSRAM）。主要用途：SRAM主要用于二級高速緩存

5、(Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小?！　RAMSRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM,異步SRAM)、SyncSRAM(SynchronousSRAM,同步SRAM)、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM,流水式突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSR

6、AM等。　　基本的SRAM的架構如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分:存儲單元陣列(corecellsarray)，行/列地址譯碼器(decode)，靈敏放大器(SenseAmplifier)，控制電路(controlcircuit)，緩沖/驅動電路(FFIO)。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。1.SDRAM結構和容量分析lSDRAM基礎知識SDRAM:SynchronousDynamic

7、RandomAccessMemory,同步動態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準。動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失。隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的

8、差分時鐘信號作為同步時鐘。SDRSDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。之后的第二，三，四代DDR（DoubleDataRate）內存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=D