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《溶膠—凝膠法制備N(xiāo)iO薄膜的光學(xué)特性研究.pdf》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在工程資料-天天文庫(kù)。
1、分類(lèi)號(hào)UDC：密級(jí)：——編號(hào)：——溶膠一凝膠法制備N(xiāo)i0薄膜的光學(xué)特性研究STUDY0NoPTICALPROPERTIESOFNiOTHINFILMSPREPAREDBYSOL-GEL學(xué)位授予單位及代碼：量疊堡王盍堂(!Ql墅2學(xué)科專(zhuān)業(yè)名稱及代碼：徽電王堂皇固往旦士堂￡Q8Q9業(yè)2研究方向：電王建廛皇ME豎撞苤申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：亟±指導(dǎo)教師：王塹副煎攫研究生：王巍論文起止時(shí)叫：!QQ9：!!=墊!Q：12長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士學(xué)位論文，《溶膠凝膠法制各NiO薄膜的光學(xué)特性研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)
2、行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)^和集體，均己在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：!孰趨￡L年—墨月筮目長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長(zhǎng)春理工大學(xué)保留并向中國(guó)科學(xué)信息研究所、中國(guó)優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù)和cNKI系列數(shù)據(jù)庫(kù)及其它國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長(zhǎng)春理
3、工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，也可采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名：]拉導(dǎo)師簽名：至塹蘭生年三月羔R蘭L年—蔓月幺月摘要氧化鎳是具有典型的3d電子結(jié)構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體，是～種P型半導(dǎo)體材料，禁帶寬度是在3．6—40eV之間。因?yàn)檠趸嚤∧ぞ哂袃?yōu)良的光電特性，而被廣泛應(yīng)用于紫外探測(cè)器，電致變色器件，電池電極及電化學(xué)電容器等領(lǐng)域。氧化鎳薄膜的制備方法有：磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、分子束外延、脈沖激光沉積等。這些方法設(shè)各昂貴，技術(shù)較復(fù)雜，不易于大面積的薄膜制各。目前發(fā)展的溶膠一凝膠法則成本低廉、
4、工藝簡(jiǎn)單、成分均勻，適用于多元摻雜薄膜的制各。本論文采用溶膠凝膠法，用不同濃度的溶液，在不同熱處理溫度下制各了多組NiO薄膜。為了調(diào)節(jié)NiO薄膜的禁帶寬度，使其更好的應(yīng)用于紫外探測(cè)器領(lǐng)域，還制各了摻Mg的NiO薄膜，并采用紫外一可見(jiàn)(UV-VIS)分光光度計(jì)，x射線衍射儀(xRD)，原子力顯微鏡對(duì)所得薄膜進(jìn)行測(cè)試，研究了薄膜的結(jié)構(gòu)，光學(xué)，表面形貌等特性。關(guān)鍵詞：氧化鎳薄膜溶腔一凝膠№?yè)诫sNiOisap_卯esemiconductormaterialwithtypical3delectronstructureoxideitsbandgapisb
5、etween36q0eVBecausethinfilmshaveexcellentopticalandelectricalproperties．itiswidelyusedinmanyfields，suchasUV-detector,electrochrorincdisplay，electrodesandelectrochemicalcapacitorsThereareseveralmethodstopreparenickeloxidefilms，whichincludemagnetronspuRefing．chemicalvapordepo
6、sition，molecularbeamepitaxy．pulsedlaserdeposition，etcForabovemethods，theequipmentisexpensive，technologyiscomplexanditisnoteasytopreparethelargeareaofthinfilmsAtpresent，thesol-gelmethodthatisloweost，simpleprocessandcomponentsunifolm，soitissuitableforthepreparationofmulti-ele
7、mentdopedfilminthisthesis，NiOthinfilmsweredepositedbythesol-geImethodatdifferentconcentratioDsofsolutionandtemperalure．InordertoadjustthebandgapoftllinfilmsandmakethethinfilmcanbeappliedtotheUV—detectorfieldsextensively．theMg-dopedthinfilmswerepreparedThestructure，opticalch
8、aracters，andsurfacemorphologyofthethinfilmswereinvestigatedbyX-raydiffraction(XRD)
