nio薄膜制備及其光學(xué)特性的研究

nio薄膜制備及其光學(xué)特性的研究

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1、長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:所呈交的碩士學(xué)位論文.(NiO薄膜的制備及其光學(xué)特性的研究》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下,獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外.本論文不包臺(tái)任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名:邋蘭!堡年—三月芝日長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長(zhǎng)春理工太學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”.同意睦春理工大學(xué)保留并向中國(guó)辯學(xué)信息研究所、中國(guó)優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文

2、全文數(shù)據(jù)庫(kù)和CNKI系列數(shù)據(jù)庫(kù)及其它國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交學(xué)位論文的復(fù)印件和電子版.允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)長(zhǎng)春理工大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索,也可采用影印、縮印或掃拙等復(fù)制手段保存和匯編學(xué)位論文。作者簽名:邋—90—12-年三月盟閂導(dǎo)師簽名:蘭麴摘要NiO是一種用途廣泛的半導(dǎo)體材料.通常以綠色粉末狀存在,它的分子量為74.70。具有立方晶體結(jié)構(gòu)。在功能材料中,NiO薄膜具備了許多優(yōu)異的性能.在熱敏元件、氣敏元件、光探測(cè)器等電子元件方面具有良好的應(yīng)用前景,NiO薄膜的制備工藝有很多種,主要有脈沖激光沉積技術(shù).溶膠凝膠法.化

3、學(xué)氣相沉積技術(shù)。噴霧熱解法.分子束外延技術(shù)等等。各種制各工藝備具特點(diǎn)。這些制各技術(shù)及其制備時(shí)的工藝參數(shù)都會(huì)對(duì)NiO薄膜的厚度、表面形貌、結(jié)晶趨向以及光學(xué)、電學(xué)特性等性質(zhì)有一定的影響。本論文采用射頻反應(yīng)磁控濺射法制各了Ni0薄膜,并研宄了濺射氣壓,濺射功率及氧氬比對(duì)Ni0薄膜結(jié)構(gòu)、光學(xué)等性質(zhì)的影響.本論文在制各了NiO薄膜基礎(chǔ)上.利用現(xiàn)有的實(shí)驗(yàn)條件制備了基于NiO薄膜的pn結(jié)型紫外探測(cè)器原理器件.并對(duì)器件的紫外光敏特性進(jìn)行了初步研究,最后給出了結(jié)論。關(guān)鍵詞:NiO薄膜射頻磁控濺射光學(xué)特性紫外探測(cè)器ABSTRACTNiOisakindofsemiconductor

4、materialswhichlswidelyused.itisusuallyexistenceintheformofgreenoreItsmolecularweightis7470.ithasacubiccrystallinestructureNiOhasmanyexcellentpropertiesaslhnctionalmaterials;ithasagoodapplicationprospectinthermosensitiveelements。gas·sensitiveelements,lightdetectorsandotherelectmnicco

5、mponentsTherearemanyrnethodsloformNiO山infilm.“inchidespulsedlaserdeposldon(PLD),S01.gel,metalorgmlicchemicalvapourdeposition(MOCVD),spraypyrolysis,molecularbeamepitaxy(MBE)andsoonThepropeaiesofNiOthinfilmisstronglydependonthepreparationmethods,andeachpreparationparmrtetersstronglyef

6、fectonthethickness,thesurfacemorphology,crystallizationandopticalandelectricalpropertiesofNiOminfilmsInthispaper,NiOthinfilmswe爬grownonbyradiofrequencyreacdvemagaetronsputteringmethodTheeffectsofspuneringIcchnologiealpargtmeterssuchasthespuaefingo"ssm.sputteHngpowerandtheO/Atrationo

7、fNiOthinfilmonthestructuralandpropertiesofNiOthinfilmswereinvestigated.BasedoilthesuccessfullypreparationofNiOthinfilms,theNiO-basedultravioletdetectorwithapnjunctionstmcturewerefabricatedandtheultravioletphotosensitivepropertiesofthedeviceweminvestigatedFinally80meconclusionsweredr

8、awnKeywords:NiOthin

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