使用直流電弧等離子體噴射合成納米級摻銻錫氧化物粒子.doc

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頁數(shù):30頁

時間:2021-01-25

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1、閃酪牌淳駿刨賚臥恥吭毓英文原文竺仲促且腎漪颮允孬茼激Synthesisofnano-sizedantimony-dopedtinoxide(ATO)particlesusingaDCarcplasmajet帝靦妻疥措醚若筇丿攫跖Keywords:ThermalplasmaAntimony-dopedtinoxide(ATO)Nanopowder蠔輝佳簧贊猓契鍵攢鱘權(quán)Abstrct犬龜屁錢逝餒埏稱蠹保屁Nano-sizedantimony-dopedtinoxide(ATO)particlesweresynthesizedusingDCarcplasm

2、ajet.TheprecursorsSnCl4andSbCl5wereinjected襯吳懌揶篡父睫歹袈護(hù)搬intotheplasmaflameinthevaporphase.ATOpowdercouldconvenientlybesynthesizedwithoutanyotherpost-treatmentinthisstudy.TocontrolthedopingamountofantimonyintheATOparticles,theSb/Snmolarratiowasusedasanoperatingvariable.Tostudythee

3、ffectofcarriergasontheparticlesize,argonandoxygengaseswereused.TheresultsofXRDandTGAshowthatallSbionspenetratedtheSnO2latticetosubstituteSnions.WiththeincreasedSbCl5concentrationinsourcematerial,theSbdopinglevelwasalsoincreased.Thesizeoftheparticlessynthesizedusingtheargoncarri

4、ergaswasmuchsmallerthanthatoftheparticlespreparedusingtheoxygencarriergas.Fortheargongas,PSAresultsandSEMimagesrevealthattheaverageparticlesizewas19nm.However,fortheoxygengas,theaverageparticlesizewas31nm.鄖塢髂纏撟忪姨翎髖咸篇1.Introduction瞳刎葆杰淵旱誆經(jīng)禿柏鄴SnO2isatypicalwidebandgapsemiconducto

5、randitsconductivityisgenerallyrealizedbynon-stoichiometryassociatedwithoxygenvacanciesintheSnO2lattice.However,thecontentofoxygenvacanciesinSnO2is宄镎擔(dān)鱸卮化沖猞脅閉峻typicallydifficulttocontrol.TinoxidedopedwithSb,Mo,andFhasbeenstudiedinthepastduetotheuniquepropertiesofthedopedtinoxides

6、uchaspreferableconductivityandtransparencyinvisiblelightwavelengthrange.Inparticular,Sbisconsideredthebestdopantduetoitsstability.Antimony-dopedtinoxide(ATO)isann-typesemiconductorwithelectronsinthetin5-basedconductionbandprovidedbytheantimonydopant.Theconductivityandtransparen

7、cycanbecontrolledbyvaryingtheamountofSbdopantinsteadofbymanipulatingthenon-stoichiometry.晉敦卜睦詣睹羲摻鵯妯劑ATOhasbeenstudiedinthepasttomeasureitspropertiesoftheinherentelectrochromismaswellasitscapacityforuseinchargestorageandasacatalyst.AtlowSbdopinglevel,ATOhaspropertiesoftransparen

8、cyatthevisibleregionwithgoodconductivity,whilereflecti

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