資源描述：
《摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究分析畢業(yè)論文》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、畢業(yè)論文題目：摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究目錄摘要…………………………………………………………………………………...………1Abstract……………………………………………………………………………….………1關(guān)鍵詞………………………………………………………………………………...………1Keywords………………………………………………………………………………..……11緒論…………………………………………………………………………………...……21.1存儲(chǔ)器概論……………………………………………………………………
2、.……21.2阻變式存儲(chǔ)器優(yōu)越性……………………………………………………….………31.3RRAM阻變材料的種類(lèi)………………………………………………………….…42RRAM阻變機(jī)制…………………………………………………………………………52.1存儲(chǔ)機(jī)理……………………………………………………………………………52.1.1細(xì)絲理論……………………………………………………………………52.1.2SCLC理論………………………………………………………………..…62.1.3S-V理論……………………………………………………………
3、………82.1.4普爾-法蘭克效應(yīng)………………………………………………………..…92.1.5肖特基發(fā)射效應(yīng)…………………………………………………………..102.2RRAM器件結(jié)構(gòu)………………………………………………………………...…113摻鑭的鈦酸鍶薄膜的制備……………………………………………………..….…123.1鈦酸鍶簡(jiǎn)介…………………………………………………………………....……123.2制備方法……………………………………………………………………………123.3溶膠-凝膠法制備La:STO薄膜………………
4、……………………………….……133.3.1制備原理……………………………………………………………..……133.3.2摻雜La:SrTiO3前驅(qū)體溶液配置…………………………………………133.3.3實(shí)驗(yàn)所需設(shè)備…………………………………………………………..…133.3.4薄膜樣品制備………………………………………………………..……154薄膜的結(jié)構(gòu)表征和電學(xué)性能測(cè)試………………………………………….………194.1摻雜La:SrTiO3的結(jié)構(gòu)表征………………………………………………….……194.2La:SrTiO3
5、的電學(xué)性質(zhì)的測(cè)量………………………………….......................……204.3La:SrTiO3的阻變性質(zhì)的機(jī)制分析……………………………….......................…214.4Unipolar→Bipolar機(jī)制分析………………………………………….................…215總結(jié)………………………………………………………………………….............……22參考文獻(xiàn)………………………………………………………………………................…2
6、3致謝……………………………………………………………………………………….…25摻鑭的鈦酸鍶薄膜的阻變性能研究摘要：隨著傳統(tǒng)存儲(chǔ)器件的尺寸越來(lái)越達(dá)到其縮放極限，下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)研制受到人們極大地關(guān)注。人們相繼開(kāi)發(fā)出多種新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，其中阻變式存儲(chǔ)器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)是以材料的電阻在外加電場(chǎng)作用下可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的一類(lèi)前瞻性非揮發(fā)存儲(chǔ)器。相比其他非揮發(fā)存儲(chǔ)器，阻變式存儲(chǔ)器以其低操作電壓、低功耗、高寫(xiě)入速度、耐擦寫(xiě)、非破壞性讀取、保持時(shí)間
7、長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、與傳統(tǒng)CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛研究，成為目前新型存儲(chǔ)器的一個(gè)重要研究方向。本文重點(diǎn)通過(guò)典型阻變材料摻鑭的鈦酸鍶薄膜的溶膠-凝膠法制備和其阻變性能測(cè)試結(jié)果，并介紹目前關(guān)于RRAM機(jī)理的一些理論模型(導(dǎo)電細(xì)絲(filament)、空間電荷控制電流效應(yīng)(SCLC)、S-V理論、肖特基發(fā)射效應(yīng)(Schottkyemission)以及普爾-法蘭克效應(yīng)(Pool-Frenkel))及其集成技術(shù)，展示鈦酸鍶材料在制造RRAM所具有的巨大潛力。關(guān)鍵詞：阻變存儲(chǔ)器;鈦酸鍶;溶膠-凝膠法Resis
8、tanceswitchingcharacteristicsofLa-dopedSrTiO3Abstract：Whiletraditionalmemoriesareapproachingtheirsealinglimit,thenextgenerationnonvolatilememoryhasattra
