材料現(xiàn)代分析測(cè)試方法

材料現(xiàn)代分析測(cè)試方法

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1、一、名詞解釋(共有20分,每小題2分。)1.輻射的發(fā)射:指物質(zhì)吸收能量后產(chǎn)生電磁輻射的現(xiàn)象。2.俄歇電子:X射線或電子束激發(fā)固體中原子內(nèi)層電子使原子電離,此時(shí)原子(實(shí)際是離子)處于激發(fā)態(tài),將發(fā)生較外層電子向空位躍遷以降低原子能量的過(guò)程,此過(guò)程發(fā)射的電子。3.背散射電子:入射電子與固體作用后又離開固體的電子。4.濺射:入射離子轟擊固體時(shí),當(dāng)表面原子獲得足夠的動(dòng)量和能量背離表面運(yùn)動(dòng)時(shí),就引起表面粒子(原子、離子、原子團(tuán)等)的發(fā)射,這種現(xiàn)象稱為濺射。5.物相鑒定:指確定材料(樣品)由哪些相組成。6.電子透鏡:能使電子束聚焦的裝置。7.質(zhì)厚襯度:樣品上的不同微區(qū)無(wú)論是質(zhì)量還是厚度的差別,均可

2、引起相應(yīng)區(qū)域透射電子強(qiáng)度的改變,從而在圖像上形成亮暗不同的區(qū)域,這一現(xiàn)象稱為質(zhì)厚襯度。最大)向短波方l8.藍(lán)移:當(dāng)有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)發(fā)生變化時(shí),其吸收帶的最大吸收峰波長(zhǎng)或位置(向移動(dòng),這種現(xiàn)象稱為藍(lán)移(或紫移,或“向藍(lán)”)。9.伸縮振動(dòng):鍵長(zhǎng)變化而鍵角不變的振動(dòng),可分為對(duì)稱伸縮振動(dòng)和反對(duì)稱伸縮振動(dòng)。10.差熱分析:指在程序控制溫度條件下,測(cè)量樣品與參比物的溫度差隨溫度或時(shí)間變化的函數(shù)關(guān)系的技術(shù)。二、填空題(共20分,每小題2分。)1.電磁波譜可分為三個(gè)部分,即長(zhǎng)波部分、中間部分和短波部分,其中中間部分包括(紅外線)、(可見光)和(紫外線),統(tǒng)稱為光學(xué)光譜。2.光譜分析方法是基于電磁輻射

3、與材料相互作用產(chǎn)生的特征光譜波長(zhǎng)與強(qiáng)度進(jìn)行材料分析的方法。光譜按強(qiáng)度對(duì)波長(zhǎng)的分布(曲線)特點(diǎn)(或按膠片記錄的光譜表觀形態(tài))可分為(連續(xù))光譜、(帶狀)光譜和(線狀)光譜3類。3.分子散射是入射線與線度即尺寸大小遠(yuǎn)小于其波長(zhǎng)的分子或分子聚集體相互作用而產(chǎn)生的散射。分子散射包括(瑞利散射)與(拉曼散射)兩種。4.X射線照射固體物質(zhì)(樣品),可能發(fā)生的相互作用主要有二次電子、背散射電子、特征X射線、俄歇電子、吸收電子、透射電子5.多晶體(粉晶)X射線衍射分析的基本方法為(照相法)和(X射線衍射儀法)。6.依據(jù)入射電子的能量大小,電子衍射可分為(高能)電子衍射和(低能)電子衍射。依據(jù)電子束是

4、否穿透樣品,電子衍射可分為(投射式)電子衍射與(反射式)電子衍射。2≠0)。

5、F

6、7.衍射產(chǎn)生的充分必要條件是((衍射矢量方程或其它等效形式)加8.透射電鏡的樣品可分為(直接)樣品和(間接)樣品。9.單晶電子衍射花樣標(biāo)定的主要方法有(嘗試核算法)和(標(biāo)準(zhǔn)花樣對(duì)照法)。10.掃描隧道顯微鏡、透射電鏡、X射線光電子能譜、差熱分析的英文字母縮寫分別是(stm)、(tem)、(xps)、(DTA)。11.X射線衍射方法有、、和。12.掃描儀的工作方式有和兩種。13.在X射線衍射物相分析中,粉末衍射卡組是由委員會(huì)編制,稱為JCPDS卡片,又稱為PDF卡片。14.電磁透鏡的像差有、、和。15.透

7、射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)分為。16.影響差熱曲線的因素有、、和。三、判斷題,表述對(duì)的在括號(hào)里打“√”,錯(cuò)的打“×”(共10分,每小題1分)1.干涉指數(shù)是對(duì)晶面空間方位與晶面間距的標(biāo)識(shí)。晶面間距為d110/2的晶面其干涉指數(shù)為(220)。(√)2.倒易矢量r*HKL的基本性質(zhì)為:r*HKL垂直于正點(diǎn)陣中相應(yīng)的(HKL)晶面,其長(zhǎng)度r*HKL等于(HKL)之晶面間距dHKL的2倍。(×)倒數(shù)3.分子的轉(zhuǎn)動(dòng)光譜是帶狀光譜。(×)線狀光譜4.二次電子像的分辨率比背散射電子像的分辨率低。(×)高5.一束X射線照射一個(gè)原子列(一維晶體),只有鏡面反射方向上才有可能產(chǎn)生衍射。(×)6.俄歇電子能譜不能分

8、析固體表面的H和He。(√)7.低能電子衍射(LEED)不適合分析絕緣固體樣品的表面結(jié)構(gòu)。(√)8.d-d躍遷受配位體場(chǎng)強(qiáng)度大小的影響很大,而f-f躍遷受配位體場(chǎng)強(qiáng)度大小的影響很小。(√)9.紅外輻射與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生紅外吸收光譜必須有分子極化率的變化。(×)10.樣品粒度和氣氛對(duì)差熱曲線沒有影響。(×)四、單項(xiàng)選擇題(共10分,每小題1分。)1.原子吸收光譜是(A)。A、線狀光譜B、帶狀光譜C、連續(xù)光譜2.下列方法中,(A)可用于測(cè)定方解石的點(diǎn)陣常數(shù)。A、X射線衍射線分析B、紅外光譜C、原子吸收光譜D紫外光譜子能譜m)的物相鑒定,可以選擇(D)。m3.合金鋼薄膜中極小彌散顆粒(直徑

9、遠(yuǎn)小于1A、X射線衍射線分析B、紫外可見吸收光譜C、差熱分析D、多功能透射電鏡4.幾種高聚物組成之混合物的定性分析與定量分析,可以選擇(A)。A、紅外光譜B、俄歇電子能譜C、掃描電鏡D、掃描隧道顯微鏡5.下列(B)晶面不屬于[100]晶帶。A、(001)B、(100)C、(010)D、(001)6.某半導(dǎo)體的表面能帶結(jié)構(gòu)測(cè)定,可以選擇(D)。A、紅外光譜B、透射電鏡C、X射線光電子能譜D紫外光電子能譜7.要分析鋼中碳化物成分和基體中碳含量,一般應(yīng)選用(A)

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