直流反應(yīng)磁控濺射制備的mo摻雜tio薄膜的光電特性

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------直流反應(yīng)磁控濺射制備的Mo摻雜TiO2薄膜的光電特性February[Article]物理化學(xué)學(xué)報(bào)(WuliHuaxueXuebao)ActaPhys.-Chim.Sin.2012,28(2),381-386doi:10.3866/PKU.WHXB201112123381www.whxb.pku.edu.cn顏秉熙1

2、羅勝耘1,22沈杰1,*(1復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系,上海200433;摘要:貴州民族學(xué)院理學(xué)院,貴陽550025)通過直流反應(yīng)磁控濺射制備了不同Mo摻雜量的Mo-TiO2薄膜.用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)儀、X射線光電子能譜(XPS)儀、紫外-可見(UV-Vis)分光光度計(jì)詳細(xì)研究了Mo摻雜量對薄膜表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、元素價(jià)態(tài)及吸收帶邊的影響.用瞬態(tài)光電流和循環(huán)伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2電極的光電特性.結(jié)果表明:在TiO2薄膜中摻入的Mo以Mo6+和Mo5+兩種價(jià)態(tài)存在;

3、隨著Mo摻雜量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐漸減小,晶格畸變增大,吸收閾值顯著紅移;薄膜的禁帶寬度先減小后增大,在Mo摻雜量為2.7%(n(Mo)/n(Ti))時(shí)禁帶寬度最小;Mo摻雜量為0.9%的樣品在氙燈下的光生電流最大,且隨著所加陽極偏壓的提高光生電流并未呈現(xiàn)出飽和的趨勢.此后隨著摻雜量的提高,——————————————————————————————————————--------------------------------------------------------------

4、----------------------------------薄膜的光生電流開始下降,當(dāng)Mo摻雜量達(dá)到3.6%時(shí),薄膜的光電流小于未摻雜的樣品;說明適當(dāng)濃度的Mo摻雜能夠提高M(jìn)o-TiO2薄膜光電性能,光生電流最大可達(dá)未摻雜的2.4倍.關(guān)鍵詞:光生電流;循環(huán)伏安;直流反應(yīng)磁控濺射;二氧化鈦薄膜;鉬摻雜O644中圖分類號:PhotoelectricPropertiesofMoDopedTiO2ThinFilmsDepositedbyDCReactiveMagnetronSputteringYANBin

5、g-Xi1LUOSheng-Yun1,2SHENJie1,*(1DepartmentofMaterialsScience,FudanUniversity,Shanghai200433,P.R.China;2CollegeofScience,GuizhouUniversityforNationalities,Guiyang550025,P.R.China)Abstract:NanocrystallineTiO2thinfilmsdopedwithdifferentconcentrationsofMowere

6、depositedbydirectcurrent(DC)reactivemagnetronsputtering.TheinfluenceofMoonsurfaces,crystalstructures,the——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------valencestatesofel

7、ementsandtheabsorptionbandofModopedTiO2filmswerecharacterizedbymeansofatomicforcemicroscopy(AFM),X-raydiffraction(XRD),X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS),andUltraviolet-visiblespectroscopy(UV-Vis).ToinvestigatethephotoelectriccharacteristicofITO(indiumti

8、noxide)/Mo-TiO2electrodes,aseriesofcyclicvoltammetryexperimentswereconducted.TheresultsindicatethatanappropriateamountofMoatoms,observedasMo6+andMo5+byXPS,couldinhibitthecrystalgrowthofparticles,enhancethesurfacerou

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