電池片返工處理流程

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1、文件名HRX-XX-XXX（宋體小四）[X/X]海潤光伏科技股份有限公司江陰海潤太陽能電力有限公司電池片返工處理流程編號：Q/HRHT-005版本：A/0編制人/日期：審核人/日期：批準人/日期：2010-05-14發(fā)布2010-05-XX實施海潤光伏科技股份有限公司江陰海潤太陽能電力有限公司發(fā)布修訂日期修訂后版本號修訂內(nèi)容修訂人審核人14/05/2010A/0初次制定史小江XXX需要培訓部門：會簽部門生產(chǎn)部生產(chǎn)計劃部工藝部質(zhì)量部動力部設備部研發(fā)部采購部物流部安環(huán)部財務部行政部銷售部人力資源部信息技術部企管部文件制修/訂記錄表文件名HR-XX-XXX（宋體小四

2、）[X/X]1目的明確各段返工片和跨段處理返工片的作業(yè)流程，確保返工片及時快速的處理，把對效率和碎片的影響降到最低；2范圍本標準適用于工藝、生產(chǎn)及質(zhì)量各部門涉及人員；3職責為了確保返工片清洗順利進行，明確返工片處理過程中的職責劃分和處理規(guī)范。3.1返工片處理規(guī)定：處理返工片采取當段返工當班處理，星期五集中下傳；跨段返工每周五集中返前段；返前段處理硅片時需要質(zhì)量確認是否達到返前端標準，對于質(zhì)量偏輕無法返前段硅片，有質(zhì)量確認后方可下傳，返工片命名必須按命名規(guī)則命名，不得與其他硅片混片。出現(xiàn)失敗片（超出工藝范圍通知工藝）3.2返工片處理流程返工片集中當班處理返工正常

3、，按命名規(guī)則命名，并附實驗單下傳返工異常，通知工藝并暫存，周五集中返前段處理或報廢前段按照返工處理返工異常，通知工藝并暫存，周五集中返前段處理或報廢返工正常，按命名規(guī)則命名，并附實驗單下傳12/4文件名HR-XX-XXX（宋體小四）[X/X]3.3工藝職責：提供當段和前段返工片處理工藝，對無法返工硅片進行確認報廢（報廢流程詳見質(zhì)量部硅片報廢流程）；接到返工片異常后，工藝進行異常分析和提供異常處理的辦法；3.4生產(chǎn)職責：對當段返工片進行監(jiān)控，如有異常及時反饋給工藝和相關部門(異常反饋標以各段工藝提供數(shù)據(jù)為準)；接到前段返工處理片，按照返工流程進行返工并及時通知當

4、段工程師；3.5質(zhì)量職責：對無法返工的硅片進行確認，確認返是否符合返前端標準，是否達到報廢標準和報廢數(shù)量；4各段返工流程4.1制絨返工片流程4.1.1制絨返工片處理流程及職責劃分責任部門：生產(chǎn)部/工藝部/質(zhì)量部確認返工片將返工片分類裝入藍中責任部門：生產(chǎn)部根據(jù)不同花斑類型確定不同的返工工藝責任部門：生產(chǎn)部擴散責任部門：生產(chǎn)部4.1.2制絨返工片處理規(guī)范4.1.2.1制絨返工片標準：針對不同的異常片進行分類，質(zhì)量大于等于5.2g的花斑片均可以返工，質(zhì)量小于5.2g大于等于4.48g，直接下傳，質(zhì)量小于4.48g，申請報廢。4.1.2.2類型及處理措施：第一大類：

5、庫存時間小于24h，按照以下流程進行返工：1.發(fā)白和發(fā)亮返工：酸洗—水洗—酒精潤洗—制絨槽返工工藝減重比較小且返工效果最好；2.白斑返工：H2O2潤洗—制絨槽返工工藝以氧化和蝕刻來底切和去除表面顆粒、有機污染物及部分金屬化污染物.第二大類：庫存時間大于24h的制絨庫存后的花斑異常片：1.為預防制絨槽的污染，在處理這些異常片時使用單槽制絨機。12/4文件名HR-XX-XXX（宋體小四）[X/X]1.實行H2O2潤洗—水洗—酒精潤洗流程進行返工。4.1.2.2制絨返工片處理規(guī)定：1.返工片按照分類處理；2.產(chǎn)生后及時處理處理；3.在做返工之前，按照正常生產(chǎn)的流程，

6、每組測試6片前重，對應的6片后重，將相應的減重填寫在返工片的流程單上，并附上返工單；4.第二大類返工完后溶液不允許做正常生產(chǎn)的硅片。4.1.2.3制絨處理片確認：由質(zhì)量和工藝共同確認返工片返工前是否達到返工標準和返工數(shù)量及類型；返工后的硅片，質(zhì)量無異常正常下傳，質(zhì)量偏輕，質(zhì)檢蓋偏輕章下傳。4.1.2.4制絨各類返工處理流程圖4.2擴散返工片流程4.2.1制絨后清洗不干凈硅片4.2.1.1異常表現(xiàn)：接制絨傳過來的硅片清洗不干凈，即清洗后的硅片有大片液滴黏附，見下圖（圖一）。12/4文件名HR-XX-XXX（宋體小四）[X/X]圖14.2.1.2評審報告流程：出現(xiàn)

7、制絨后清洗不干凈硅片時，操作人員應及時通知班組長和當班工藝工程師。4.2.1.3制絨后清洗不干凈硅片流程圖：6.24.2.2.2擴散工藝完成后硅片的方塊電阻異常4.2.2.1方阻異常表現(xiàn)：OOS：一點或多于一點阻值超出SPEC范圍；OOC：單組、單片或單點超出CL范圍,但單點在SPEC范圍內(nèi)；方阻規(guī)格定義：硅片類型SPECCL單晶R2工藝37Ω≤單點Rs≤57Ω39Ω≤單點Rs≤55Ω42Ω≤單片Rs≤52Ω44Ω≤單片Rs≤50Ω44Ω≤單組Rs≤50Ω45Ω≤單組Rs≤49Ω4.2.2.2方阻異常評審報告流程：出現(xiàn)方塊電阻OOS時，質(zhì)檢人員應及時通知班組長

8、或當班工藝工程師進行處理和調(diào)節(jié)，將電阻