物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

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1、全國(guó)卷137?[化學(xué)一一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)錯(cuò)(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar],有個(gè)未成對(duì)電子。(2)Ge與C是同族元素,C原子Z間可以形成雙鍵、壘鍵,但Ge原子Z間難以形成雙鍵或壘鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是o(3)比較下列錯(cuò)鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因oGeCI4GeBr4Gel4熔點(diǎn)/°c-49.526146沸點(diǎn)廠C83.1186約400(4)光催化還原CO?制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該

2、反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、0電負(fù)性由大至小的順序是o(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為,微粒之間存在的作用力是。(6)晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0):B為(丄,0,丄):C為(丄,丄,0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為。2222②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。己知Ge單晶的晶胞參數(shù)片565.76pm,其密度為-cm3(列出計(jì)算式即可)?!敬鸢浮浚?)3d104s24p2;2;(2)Ge原子半徑大,原子間形成

3、的。單鍵較長(zhǎng),p-p軌道肩并肩重疊程度很小或兒乎不能重疊,難以形成兀鍵;(3)GeCdGeB"、Ge"的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,分子量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)。(4)0>Ge>Zn;(5)錯(cuò)誤!未找到引用源。;共價(jià)鍵;8x736.02x565.763【解析】試題分析:(1)Ge是32號(hào)元素,與碳元素是同一主族的元素,在元素周期表中位于第四周期IVA族;基態(tài)Ge原子的核外電子排布式^J[Ar]4s24p2,也可寫(xiě)為3d104s24p2;在其原子的最外層的2個(gè)4s電子是成對(duì)電子,位于4s軌道,2個(gè)

4、4p電子分別位于2個(gè)不同的4p軌道上,所以基態(tài)Ge原子有2個(gè)未成對(duì)的電子;(2)Ge與C是同族元素,C原子原子半徑較小,原子Z間可以形成雙鍵、三鍵;但Ge原子Z間難以形成雙鍵或三鍵,從原子結(jié)構(gòu)角度分析,這是由于錯(cuò)的原子半徑犬,原子之間形成的P單鍵較長(zhǎng),PT軌道肩并肩重養(yǎng)的程度很小或幾乎不能重養(yǎng),難以形成兀鍵;(3)錯(cuò)元素的鹵化物在固態(tài)時(shí)都為分子晶體,分子之間通過(guò)微弱的分子間作用力結(jié)合。對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)來(lái)說(shuō),相對(duì)分子質(zhì)量越犬,分子間作用力越犬,熔沸點(diǎn)越高。由于相對(duì)分子質(zhì)量:GeC14

5、它們的熔沸點(diǎn)由低到高的順序是:GeCLGe>Zn,所以這三種元素的電員性由犬至小的順序是O>Ge>Zn;⑸Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為1個(gè),軌道與3個(gè)p軌道進(jìn)行的sp:雜化;由于是同一元素的原子通過(guò)共用電子對(duì)結(jié)合,所以微粒之間存在的作用力是非極性共價(jià)鍵(或?qū)憺楣矁r(jià)鍵);(6)①根據(jù)各個(gè)

6、原子的相對(duì)位墨可知,D在各個(gè)方向的1J4處,所以其坐標(biāo)是丄,根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,在晶胞中含有的Ge原子數(shù)4448x73是8x1/8+642+4=8,所以晶胞的密度8X?3gmQ1r,=亠二———g/cm5=、xlOcVx(565.76pmx10_kan/pm)J6.02x10"x(565.76xlO_lc)J6.02x565.76"mso【考點(diǎn)定位】考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)的有關(guān)知識(shí)?!久麕燑c(diǎn)睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)包括原子結(jié)構(gòu)(原子核外電子排布、原子的雜化方式、元素電負(fù)性大小比較、元素金屬性、非金屈性的強(qiáng)弱)、分子結(jié)構(gòu)(化學(xué)鍵,分子的電子式

7、、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式的書(shū)寫(xiě),化學(xué)式的種類(lèi),官能團(tuán)等)、晶體結(jié)構(gòu)(晶體類(lèi)型的判斷,物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的判斷、影響因素,品體的密度,均攤法的應(yīng)用等)。只有掌握這些,才可以更好的解決物質(zhì)結(jié)構(gòu)的問(wèn)題。全國(guó)卷337?[化學(xué)一一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)砂化鐐(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)寫(xiě)出基態(tài)As原子的核外電子排布式o(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs。(填“大于"或"小于")(3)AsCI3分子的立體構(gòu)型為,其中As的雜化軌道類(lèi)型為.

8、(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000°C,GaCb的熔點(diǎn)為77.9°C,其原因是。(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238°C,密度為pgcm3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類(lèi)型為Ga與As以鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGagmol1和A^Asg-mol'1,原子半徑分別為rGapm和廠AsPm,阿伏伽德羅常數(shù)值為必,則GaAs品胞中原子的體積占晶胞

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