單晶硅生產(chǎn)制備方法大全

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1、單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制

2、造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法(CZ法)生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過Cu淀積所檢測出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法本發(fā)明公開了一種采用SIMOX技術(shù)制造SOI材料

3、的方法。通過在傳統(tǒng)的注氧隔離制造工藝中引入離子注入非晶化處理，使得非晶化區(qū)域內(nèi)的各種原子在退火時產(chǎn)生很強(qiáng)的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)，從而制造出頂部硅層中的穿通位錯等晶體缺陷和二氧化硅埋層中的硅島和針孔等硅分凝產(chǎn)物得以消除的高品質(zhì)的SOI材料。本發(fā)明還公開了一種將離子注入非晶化處理應(yīng)用到采用注氮隔離或注入氮氧隔離技術(shù)中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層是非晶層，頂部硅層是和氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層的界面具有原子級陡峭的單晶硅層。分離單晶硅堝底料中石英的工藝本發(fā)明屬于半導(dǎo)體分離技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：a.將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；b

4、.用Si3N4涂料刷抹坩堝底部和內(nèi)壁，讓其自然干燥；c.把顆粒狀堝底料放置在坩堝內(nèi)；d.裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應(yīng)電爐，開啟電源使?fàn)t內(nèi)溫度升高至熔點(diǎn)溫度后100℃左右，保溫10-30分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內(nèi)重熔；e.在加熱達(dá)到規(guī)定時間后，關(guān)掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英；本發(fā)明提供的分離單晶硅堝底料中石英的工藝方法，通過將混含有石英的堝底料放置在中頻爐中高溫加熱熔融，利用硅的熔點(diǎn)低于石英熔點(diǎn)的特性，能夠方便地將石英顆粒與硅液分離開，因此，本發(fā)明具有工藝簡單、生產(chǎn)安全、能耗低、分離效果好等優(yōu)點(diǎn)。單晶硅襯底上可動微機(jī)械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法本發(fā)明公開了一種單晶硅襯底

5、上可動微機(jī)械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法，它涉及微電子機(jī)械工藝加工技術(shù)領(lǐng)域中的微電子機(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件的制造。它采用濃硼擴(kuò)散、光刻、深反應(yīng)離子刻蝕和選擇性濕法腐蝕技術(shù)工藝，實現(xiàn)可動懸空與固定微結(jié)構(gòu)都制作在同一單晶硅片上，達(dá)到可動微機(jī)械單片集成制作目的。本發(fā)明具有制造成本低廉，操作制造簡易，能單片集成和大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn)，適合于光開關(guān)、諧振器、加速度計等多種具有可動微結(jié)構(gòu)器件的制作。直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法本發(fā)明涉及直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片，從表面到3微米以上的深度存在無COP的無缺陷層；及一種單晶硅的制造方法，通過CZ法摻雜氮拉制直徑300mm及30

6、0mm以上的單晶硅時，將拉晶速度設(shè)為V[mm/min]，以G[K/mm]表示從硅的熔點(diǎn)至1400℃間的拉晶軸向的結(jié)晶內(nèi)溫度梯度平均值，將V/G[mm2/K·min]的值設(shè)為低于0.17以生長結(jié)晶；及一種單晶硅晶片的制造方法，對摻雜氮的直徑300mm及300mm以上的硅單晶硅晶片進(jìn)行熱處理，在惰性氣體或氫或它們的混合氣體的環(huán)境下，進(jìn)行1230℃以上、1小時以上的熱處理。由此，確立單晶硅拉晶條件及晶片的熱處理條件，用于拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅并加工成晶片，并對晶片進(jìn)行熱處理，獲得在表層的相當(dāng)深度具有無COP的無缺陷層的單晶硅晶片。抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置在

7、一種丘克拉斯基單晶硅生長裝置中，其在生長爐（１）中通過提線（７）上拉晶種（Ｚ）來生長硅單晶（Ｙ），一個磁環(huán)（１２）被安裝在硅單晶上，一個電磁體（８）被固定于生長爐上以便上拉磁環(huán)。制備單晶硅片表面完整層的新途徑本發(fā)明屬于集成電路用半導(dǎo)體材料的制備技術(shù).發(fā)明人利用中子輻照氫氣氛下區(qū)熔單晶硅.經(jīng)切、磨、拋后,硅片實行兩次熱處理的方法,獲得單晶硅片由于體內(nèi)氫沉淀造成的表面完整層,為集成電路用硅材料提供了新的可能途徑.非線性磁場中單晶硅拉制方