單晶硅生產(chǎn)制備方法大全

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1、單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方

2、法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法單晶硅生產(chǎn)制備方法大全單晶硅晶片及單晶硅的制造方法本發(fā)明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法(CZ法)生長(zhǎng)單晶硅晶片，其特征為：對(duì)全部晶片進(jìn)行熱氧化處理時(shí)，在環(huán)狀發(fā)生OSF的外側(cè)的N區(qū)域，不存在通過(guò)Cu淀積所檢測(cè)出的缺陷區(qū)域。由此，可以利用確實(shí)能提高氧化膜耐壓等電氣特性的CZ法，在穩(wěn)定的制造條件下，制造既不屬于富含空孔的V區(qū)域、OSF區(qū)域，也不屬于富含晶格間隙硅的I區(qū)域的硅單晶晶片。絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法本發(fā)明公開(kāi)了一種采用SIMOX技術(shù)制造SOI材料的方法。

3、通過(guò)在傳統(tǒng)的注氧隔離制造工藝中引入離子注入非晶化處理，使得非晶化區(qū)域內(nèi)的各種原子在退火時(shí)產(chǎn)生很強(qiáng)的增強(qiáng)擴(kuò)散效應(yīng)，從而制造出頂部硅層中的穿通位錯(cuò)等晶體缺陷和二氧化硅埋層中的硅島和針孔等硅分凝產(chǎn)物得以消除的高品質(zhì)的SOI材料。本發(fā)明還公開(kāi)了一種將離子注入非晶化處理應(yīng)用到采用注氮隔離或注入氮氧隔離技術(shù)中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層是非晶層，頂部硅層是和氮化硅埋層或者氮氧化硅埋層的界面具有原子級(jí)陡峭的單晶硅層。分離單晶硅堝底料中石英的工藝本發(fā)明屬于半導(dǎo)體分離技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種分離單晶硅堝底料中石英的工藝，包括下列步驟：a.將堝底料破碎，得到顆粒狀的堝底料；b.用Si3N

4、4涂料刷抹坩堝底部和內(nèi)壁，讓其自然干燥；c.把顆粒狀堝底料放置在坩堝內(nèi)；d.裝有顆粒狀堝底料的坩堝放入中頻感應(yīng)電爐，開(kāi)啟電源使?fàn)t內(nèi)溫度升高至熔點(diǎn)溫度后100℃左右，保溫10-30分鐘，則顆粒狀堝底料在坩堝內(nèi)重熔；e.在加熱達(dá)到規(guī)定時(shí)間后，關(guān)掉電源，待自然冷卻后，可得到已分離的硅與石英；本發(fā)明提供的分離單晶硅堝底料中石英的工藝方法，通過(guò)將混含有石英的堝底料放置在中頻爐中高溫加熱熔融，利用硅的熔點(diǎn)低于石英熔點(diǎn)的特性，能夠方便地將石英顆粒與硅液分離開(kāi)，因此，本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)安全、能耗低、分離效果好等優(yōu)點(diǎn)。單晶硅襯底上可動(dòng)微機(jī)械結(jié)構(gòu)單片集成的制作方法本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶硅襯底上可動(dòng)微機(jī)械結(jié)構(gòu)

5、單片集成的制作方法，它涉及微電子機(jī)械工藝加工技術(shù)領(lǐng)域中的微電子機(jī)械系統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件的制造。它采用濃硼擴(kuò)散、光刻、深反應(yīng)離子刻蝕和選擇性濕法腐蝕技術(shù)工藝，實(shí)現(xiàn)可動(dòng)懸空與固定微結(jié)構(gòu)都制作在同一單晶硅片上，達(dá)到可動(dòng)微機(jī)械單片集成制作目的。本發(fā)明具有制造成本低廉，操作制造簡(jiǎn)易，能單片集成和大規(guī)模集成等優(yōu)點(diǎn)，適合于光開(kāi)關(guān)、諧振器、加速度計(jì)等多種具有可動(dòng)微結(jié)構(gòu)器件的制作。直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法本發(fā)明涉及直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片，從表面到3微米以上的深度存在無(wú)COP的無(wú)缺陷層；及一種單晶硅的制造方法，通過(guò)CZ法摻雜氮拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅時(shí)

6、，將拉晶速度設(shè)為V[mm/min]，以G[K/mm]表示從硅的熔點(diǎn)至1400℃間的拉晶軸向的結(jié)晶內(nèi)溫度梯度平均值，將V/G[mm2/K·min]的值設(shè)為低于0.17以生長(zhǎng)結(jié)晶；及一種單晶硅晶片的制造方法，對(duì)摻雜氮的直徑300mm及300mm以上的硅單晶硅晶片進(jìn)行熱處理，在惰性氣體或氫或它們的混合氣體的環(huán)境下，進(jìn)行1230℃以上、1小時(shí)以上的熱處理。由此，確立單晶硅拉晶條件及晶片的熱處理?xiàng)l件，用于拉制直徑300mm及300mm以上的單晶硅并加工成晶片，并對(duì)晶片進(jìn)行熱處理，獲得在表層的相當(dāng)深度具有無(wú)COP的無(wú)缺陷層的單晶硅晶片。抑制長(zhǎng)的大直徑單晶硅生長(zhǎng)條紋的直拉生長(zhǎng)裝置在一種丘克拉斯基單晶硅生長(zhǎng)

7、裝置中，其在生長(zhǎng)爐（１）中通過(guò)提線（７）上拉晶種（Ｚ）來(lái)生長(zhǎng)硅單晶（Ｙ），一個(gè)磁環(huán)（１２）被安裝在硅單晶上，一個(gè)電磁體（８）被固定于生長(zhǎng)爐上以便上拉磁環(huán)。制備單晶硅片表面完整層的新途徑本發(fā)明屬于集成電路用半導(dǎo)體材料的制備技術(shù).發(fā)明人利用中子輻照氫氣氛下區(qū)熔單晶硅.經(jīng)切、磨、拋后,硅片實(shí)行兩次熱處理的方法,獲得單晶硅片由于體內(nèi)氫沉淀造成的表面完整層,為集成電路用硅材料提供了新的可能途徑.非線性磁場(chǎng)中單晶硅拉制方