射頻英文版翻譯

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1、圖4的數(shù)據(jù)表反映的是噪聲系數(shù)相對(duì)集電極電流和源電阻在一個(gè)VCE=6V，工作頻率為105MHZ的晶體管。從圖表可以明顯看出，存在著無(wú)數(shù)Rs、Ic的組合，每個(gè)組合為您提供一個(gè)指定的噪聲系數(shù)。例如，下面的一個(gè)Rs、Ic的組合將為您提供一個(gè)3.5-dB的噪聲系數(shù)。注意到，對(duì)于每個(gè)集電極電流值有兩個(gè)源電阻值與之對(duì)應(yīng)，將提供指定的噪聲系數(shù)。顯然，任何預(yù)期的偏置電流或源電阻的變化，都可以大幅度地改變?cè)肼曄禂?shù)。圖5是另一套簡(jiǎn)單的在相同的偏置水平但在不同的頻率（200MZ）下測(cè)量的輪廓。如果你打算用300MZ的晶體管，并且想知道對(duì)于一個(gè)特定的噪聲系數(shù)使用了什么樣的偏置電流和源電阻，你將得不到結(jié)果。不存

2、在那種頻率下的噪聲輪廓。圖6中，第四頁(yè)的數(shù)據(jù)表，是fT隨集電極電流變化的曲線圖。在曲線的高峰且集電極電流大約為12mA的時(shí)候，得到最佳的fT。此圖變得更為重要fT的頻率接近，當(dāng)你要擠的設(shè)備，你所能得到的每一個(gè)最后一點(diǎn)了。這將表明在最佳的集電極電流來(lái)操作設(shè)備。一旦集電極電流值被定義好，樣本設(shè)備便可以被相應(yīng)的偏壓，并且它的參數(shù)Y或S可別測(cè)量，使得設(shè)計(jì)可以進(jìn)行。圖7，8，9和10是2N5179Y參數(shù)隨頻率變化的圖形表示，次測(cè)量是在VCE=6伏和Ic=1.5毫安的情況下。如果你喜歡設(shè)置不同的偏置條件，你將不得不測(cè)量你自己的Y參數(shù)，因?yàn)闆](méi)有其他數(shù)據(jù)可以提供。每個(gè)圖中的縱軸被校準(zhǔn)成毫姆。因此，2

3、N5179在200MHZ的輸入導(dǎo)納大約為yi=2.5+j7.5毫姆，這可以有圖5—15A中電路表現(xiàn)出來(lái)。記住，正極導(dǎo)納表示并聯(lián)電容器，而負(fù)導(dǎo)納表示電感。同樣，在在200MHz的晶體管，其輸出導(dǎo)納在圖8中可以讀出為y0=0.25+j1.8毫姆。此輸出導(dǎo)納的等效電路如圖5-18所示。晶體管的正向和反向傳輸導(dǎo)納在圖9和10中給出，分別在數(shù)據(jù)表上。在第6章中，您將學(xué)習(xí)如何運(yùn)用在射頻小信號(hào)放大器的設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)表中給定的Y參數(shù)。在數(shù)據(jù)表上的圖11，12，13和15繪制的是在兩個(gè)不同的偏置電平下晶體管的S參數(shù)隨頻率變化曲線：VCE=6.0V，Ic=1.5mA和VCE=6.0V,Ic=5.0mA。在第

4、五頁(yè)數(shù)據(jù)表所示的四個(gè)圖提供了以極坐標(biāo)的形式表示的Y參數(shù)。從圖中心向外的徑向距離等于幅度，角度理解為是沿著圖的周長(zhǎng)的。例如，對(duì)于一個(gè)VCE=6V，Ic=5mA,工作頻率為100MZ的2N5179的S參數(shù)為：S11=0.65∠309?S22=0.84∠348?S12=0.03∠70?S21=8.2∠123?S21和S12參數(shù)是設(shè)備的正向和反向增益的數(shù)量值。為了求得這個(gè)增益值，只需取它以10為底的對(duì)數(shù)再乘以20.S12(dB)=20log100.03=?30.5dBS21(dB)=20log108.2=18.3dB從前面的計(jì)算，我們可以推斷，晶體管輸入輸出端口的隔振在?30.5dB是非常好

5、的。另外，當(dāng)用50歐姆的源電阻驅(qū)動(dòng)，并且用50歐姆的負(fù)載終止時(shí)，晶體管的增益優(yōu)于18分貝。注意到，每個(gè)增益是作為一個(gè)電壓增益計(jì)算的，實(shí)際上，電壓和功率增益在這種情況下是相同的，因?yàn)檩斎牒洼敵龅淖杩怪凳窍嗤模?0歐（50歐姆）。數(shù)據(jù)表最后一頁(yè)上的圖15是另一個(gè)晶體管的輸入和輸出反射系數(shù)圖。然而這一次史密斯圖被使用。正如本章前面所述，S11和S22是簡(jiǎn)單的反射系數(shù)，可以像其他反射系數(shù)一樣繪制出來(lái)。一旦信息繪制出，設(shè)備的輸入輸出阻抗可直接從表中讀出。在圖15的圖表所顯示的有點(diǎn)不同于我們迄今為止在這本書用到的圖表。它已經(jīng)被規(guī)范為50歐姆，而不是通常的1歐姆。因此，現(xiàn)在的圖表中心代表50±j

6、0歐姆，而不是1±j0。這種圖表正規(guī)化的類型經(jīng)常被用于當(dāng)設(shè)計(jì)者正工作集中與一特定值的阻抗，在這種情況下，它的值為50歐姆。在100MHZ，集電極電流為5mA和VCE=6V時(shí)，從史密斯圖中讀書的2N5179的輸入阻抗為：Zin=48?j79歐姆這說(shuō)明，在讀數(shù)的準(zhǔn)確性下，在相同工作條件下的S11的極坐標(biāo)圖，可以通過(guò)插入驗(yàn)證公式5—8用于T和ZL的數(shù)值求解?？偨Y(jié)當(dāng)談到晶體管在射頻中時(shí)，該晶體管與任何其他組件沒(méi)有什么不同。像其他組件，三極管，也有趨近于高頻電壓性能的雜散電感和電容。Y和S參數(shù)的設(shè)計(jì)作為一種表現(xiàn)復(fù)雜晶體管性能的方法，至少比頻率更有效果。制造商通常在數(shù)據(jù)表的表格中介紹Y和S參數(shù)的

7、信息，這應(yīng)該僅僅作為在任何射頻設(shè)計(jì)任務(wù)的一個(gè)起點(diǎn)。制造商不可能希望在每一個(gè)偏置點(diǎn)和每個(gè)可能的電路組態(tài)提供Y和S參數(shù)的信息。而是，他們通常會(huì)試圖考慮為這個(gè)設(shè)備提供一個(gè)有代表性的操作條件。然而，不可避免的，當(dāng)設(shè)備提供的數(shù)據(jù)資料對(duì)您要所做的沒(méi)有任何用處，并且你會(huì)發(fā)現(xiàn)自己測(cè)量的參數(shù)和創(chuàng)建自己的數(shù)據(jù)表以便完成一個(gè)設(shè)計(jì)任務(wù)，這樣的一天會(huì)到來(lái)。射頻小信號(hào)的設(shè)計(jì)是對(duì)于每個(gè)問(wèn)題都有精確解的逐步放大器邏輯過(guò)程。如今在市場(chǎng)上有許多“適用于任何你的電路的問(wèn)題”的書，并且提供的圖表