電阻選型：厚膜、薄膜電阻特性優(yōu)缺點比較.doc

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1、薄膜電容器新晨陽厚膜電容電容的特性電阻選型：厚膜、薄膜電阻特性優(yōu)缺點比較薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50?至250?的金屬沉積層組成（采用真空或濺射工藝）。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal?金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)濟并節(jié)省空間。它們具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產(chǎn)生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實現(xiàn)不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因?qū)崿F(xiàn)不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個電阻范圍內(nèi)是可變的。這種化學(xué)/機械老化還包括電阻合金

2、的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高?！　∮捎诮饘倭可?，薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會在低壓直流應(yīng)用幾小時內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變最佳薄膜薄膜電容器新晨陽厚膜電容電容的特性厚度會嚴重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度（高阻值/小尺寸）且成本更低，厚膜電阻得到廣泛使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但

3、在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲最高。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其廣泛應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。　　厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點構(gòu)成完整電阻，但工作中的熱應(yīng)變會中斷接觸。由于大部分情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會開路，但阻值會隨著時間和溫度持續(xù)增加。因此，與其他電阻技術(shù)相比，厚膜電阻穩(wěn)定性差（時間、溫度和功率）。　　由于結(jié)構(gòu)中成串的電荷運動，粒狀結(jié)構(gòu)還會使厚膜電阻產(chǎn)生很高的噪聲。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，噪聲越高，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結(jié)構(gòu)中的玻璃成分在電阻加工過程中形成玻璃相保護層，因此厚膜電

4、阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮??！　〗饘俨娮琛　⒕哂幸阎涂煽靥匦缘奶胤N金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低、長期穩(wěn)定性、無感抗、無感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。薄膜電容器新晨陽厚膜電容電容的特性　　這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區(qū)域（圖2），逐步少量提高電阻?！　　　D2　　合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準

5、溫度系數(shù)，在0°C至+60°C范圍內(nèi)為±1ppm/°C（Z箔為0.05ppm/°C）（圖3）。薄膜電容器新晨陽厚膜電容電容的特性　　　　圖3　　采用平箔時，并聯(lián)電路設(shè)計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為0.08uH。最大電容為0.05pF。1-k?電阻設(shè)置時間在100MHZ以下小于1ns。上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉(zhuǎn)換。